ТГУ.Сотрудники
Electrophysical Characteristics of Metal-Insulator-Semiconductor Structures Comprising CdHgTe-based Quantum Wells
| Авторы | автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Горн Д. И. (Сотрудник) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2014 |
| Язык | английский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I. Electrophysical Characteristics of Metal-Insulator-Semiconductor Structures Comprising CdHgTe-based Quantum Wells //Advanced Materials Research. 2014. Vol. 1040. P. 34-38. |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность