ТГУ.Сотрудники
Effect of the graded-gap layer composition on the formation of n+ –n– –p structures in boron-implanted heteroepitaxial CdxHg1–xTe layers
| Авторы | автор Талипов Н. Х. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Григорьев Д. В. (Сотрудник) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2014 |
| Язык | английский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Talipov N.X., Voitsekhovskii A.V., Grigor`ev D.V. Effect of the graded-gap layer composition on the formation of n+ –n– –p structures in boron-implanted heteroepitaxial CdxHg1–xTe layers // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 57, № 3. P. 345‒358. |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность