Светодитодные гетероструктуры на основе соединений (GaN, AlNm InN), полученные методом МОСГФЭ-эпитаксии

Авторы автор Брудный В. Н., автор Гущин С. М., автор Ивонин И. В., автор Мазалов А. В., автор Курешов В. А., автор Мармалюк А. А., автор Романов И. С., автор Сабитов Д. Р., автор Чернов Н. А.
Тип Статья в журнале
Год 2011
Язык русский
Отдел Физический факультет, каф. физики полупроводников (ФФ)
Библиографическая запись Брудный В.Н., Гущин С.М., Ивонин И.В., Мазалов А.В., Курешов В.А., Мармалюк А.А., Романов И.С., Сабитов Д.Р., Чернов Н.А. Светодитодные гетероструктуры на основе соединений (GaN, AlNm InN), полученные методом МОСГФЭ-эпитаксии //Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 9(2). С. 3-9.
Направление науки
УДК