ТГУ.Сотрудники
Admittance characterization of pentacene metal-insulator-semiconductor capacitorswith SiO2 and SiO2/Ga2O3 insulators in temperature range of 9-300 K
| Авторы | автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Новиков В. А. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Копылова Т. Н. (Сотрудник), автор Ивонин И. В. (Сотрудник), автор Дегтяренко К. М. (Сотрудник), автор Терещенко Е. В. (Сотрудник) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2019 |
| Язык | английский |
| Отдел | Научное управление, Физический факультет, Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. физики полупроводников (ФФ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ"), отделение фотоники (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Admittance characterization of pentacene metal-insulator-semiconductor capacitorswith SiO2 and SiO2/Ga2O3 insulators in temperature range of 9-300 K / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Novikov V.A., Dzyadukh S.M. [et al] // Thin Solid Films. 2019. Vol. 692. P. 1‒7. DOI: 10.1016/j.tsf.2019.137622 |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность