Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия

Авторы	автор Филонов Н. Г. (Сотрудник), автор Ивонин И. В. (Сотрудник), под редакцией Филонов Н. Г. (Сотрудник)
Тип	Монография
Год	2018
Язык	русский
Отдел	Факультет инновационных технологий, Физический факультет, каф. управления качеством (ФИТ), каф. физики полупроводников (ФФ)
Библиографическая запись	Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия /Филонов Н.Г., Ивонин И.В.; под ред.: Филонов Н.Г. Томск: Издательский Дом ТГУ, 2018. 364 с.
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность