Nature of size effects in compact models of field effect transistors

Авторы автор Торхов Н. А. (Сотрудник), автор Бабак Л. И. (Сотрудник другой организации), автор Колоколов А. А. (Сотрудник другой организации), автор Сальников А. С. (Сотрудник другой организации), автор Добуш И. М. (Сотрудник другой организации), автор Новиков В. А. (Сотрудник), автор Ивонин И. В. (Сотрудник)
Тип Статья в журнале
Год 2016
Язык английский
Отдел Научное управление, Физический факультет, научно-образовательный центр "Наноэлектроника" (НУ), каф. физики полупроводников (ФФ)
Библиографическая запись Torkhov N.A., Babak L.I., Kolokolov A.A., Salnikov A.S., Dobush I.M., Novikov V.A., Ivonin I.V. Nature of size effects in compact models of field effect transistors //Journal of Applied Physics. 2016. Vol. 119, № 9. P. 094505-094505f.
Направление науки
УДК