ТГУ.Сотрудники

Коротаев Александр Григорьевич

Публикации

Общее число записей - 108
1 Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si с массивом наноотверстий для атмосферного канала связи / Х. Диб, К.И. Швалева, К.А. Лозовой, А.Г. Коротаев [и др.] // Прикладная физика. 2024. № 4. С. 39‒45. DOI: 10.51368/1996-0948-2024-4-39-45
2 Влияние смены механизма роста на формирование удлиненных квантовых точек германия на кремнии / О.И. Кукенов, В.В. Дирко, А.Г. Коротаев, К.А. Лозовой [и др.] // Тезисы докладов XV Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний–2024», Иркутск, 15–20 июля 2024 г. Иркутск: Изд-во Ин-та географии им. В.Б.Сочавы СО РАН, 2024. С. 100.
3 Коханенко А.П., Диб Х., Лозовой К.А., Коротаев А.Г. Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si для атмосферного канала связи // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 332‒333. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-332
4 Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 334‒335. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-334
5 Расчет параметров инфракрасных фотоприемников с квантовыми точками / сост.: Лозовой К.А., Коханенко А.П., Духан Р., Коротаев А.Г. Томск: Изд-во ТГУ, 2023. 38 с.
6 Применение метода дифракции быстрых отраженных электронов при молекулярно-лучевой эпитаксии : учебно-методическое пособие / сост.: В.В. Дирко, А.П. Коханенко, К.А. Лозовой, А.Г. Коротаев. Томск: Изд-во Том. гос. ун-та, 2023. 51 с.
7 Температурная зависимость длины димерного ряда при эпитаксиальном росте германия на кремнии / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.П. Коханенко [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 109. DOI: 10.34077/RCSP2023-109
8 Двадцатая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, г. Томск, 2−5 мая 2023 г. / рец.: Коротаев А.Г., Каширский Д.Е., Торгаев С.Н., Лозовой К.А. Томск: STT, 2023. 173 с.
9 Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D. Determination of the Parameters of Multi-Carrier Spectrum in CdHgTe. II. Discrete Mobility Spectrum Analysis // Russian Physics Journal. 2023. Vol. 65, № 10. P. 1716‒1731. DOI: 10.1007/s11182-023-02822-6
10 Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D. Determination of the Parameters of Multi-Carrier Spectrum in CdHgTe. I. A Review of Mobility Spectrum Analysis Methods // Russian Physics Journal. 2023. Vol. 65, № 9. P. 1538‒1554. DOI: 10.1007/s11182-023-02799-2
11 Peculiarities of the 7×7 to 5×5 Superstructure Transition during Epitaxial Growth of Germanium on Silicon (111) Surface / V.V. Dirko, K.A. Lozovoy, A.P. Kokhanenko, O.I. Kukenov [et al] // Nanomaterials. 2023. Vol. 13, № 2. Art. num. 231. DOI: 10.3390/nano13020231
12 Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д. Определение параметров многочастичного состава носителей заряда в CdHgTe. II. Дискретный анализ спектров подвижности // Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 10. С. 98‒113. DOI: 10.17223/00213411/65/10/98
13 Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G. Discrete mobility-spectrum analysis and its application to transport studies in HgCdTe // Journal of Applied Physics. 2022. Vol. 132, № 15. Art. num. 155702. DOI: 10.1063/5.0097418
14 Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д. Определение параметров многочастичного состава носителей заряда в CdHgTe. I. Обзор методов анализа спектров подвижности // Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 9. С. 106‒121. DOI: 10.17223/00213411/65/9/106
15 Nano-scale structural studies of defects in arsenic-implanted n and p-type HgCdTe flms / A.V. Voitsekhovsky, A.G. Korotaev, I.I. Izhnin, K.D. Mynbaev [et al] // Applied Nanoscience. 2022. Vol. 12, № 3. P. 395‒401. DOI: 10.1007/s13204-021-01704-y
16 Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках Cd0.3Hg0.7Te: накопление и отжиг / Коротаев А.Г., Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Дворецкий С.А. [и др.] // Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2021. С. 140. DOI: 10.34077/RCSP2021-140
17 Fluence dependence of nanosize defect layers in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films studied with TEM/HRTEM / Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Dvoretsky S.A., Izhnin I.I. [et al] // International research and practice conference «Nanotechnology and nanomaterials» (NANO-2021), 25-27 august 2021, Lviv : abstract book. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2021. P. 378.
18 Analysis of carrier species in arsenic-implanted p- and n-type Hg0.7Cd0.3Te / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V, Korotaev A.G., Dvoretsky S.A. [et al] // Infrared Physics and Technology. 2021. Vol. 114. P. 103665-1‒103665-7. DOI: 10.1016/j.infrared.2021.103665
19 Accumulation of Arsenic Implantation-Induced Donor Defects in Hg0.7Cd0.3Te Heteroepitaxial Structures / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V, Korotaev A.G., Dvoretsky S.A. [et al] // Journal of Electronic Materials. 2021. Vol. 50, № 6. P. 3714‒3721. DOI: 10.1007/s11664-021-08877-w
20 Accumulation and annealing of radiation donor defects in arsenic-implanted Hg0.7Cd0.3Te films / Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Izhnin I.I., Mynbaev K.D. [et al] // 2020 7th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE). Proceedings. USA: IEEE, 2020. P. 1004‒1008. DOI: 10.1109/EFRE47760.2020.9241974
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность