ТГУ.Сотрудники

Олейник Владимир Леонидович

Публикации

Общее число записей - 40
21 Smirnova T.E., Kopyev V.V., Oleinik V.L., Prudaev I.A. The influence of the deep level type on a switching time delay of GaAs avalanche S-diodes // Saint Petersburg OPEN 2018. 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Book of Abstracts. St. Petersburg: Academic University Publishing, 2018. P. 504‒505. URL: http://spbopen.spbau.com/PDF/EN/SPBOPEN2018.pdf (date of access: 28.09.2018).
22 Смирнова Т.Е., Копьев В.В., Олейник В.Л. Электрические характеристики высоковольтных лавинных S-диодов на основе арсенида галлия //Радиоэлектроника, электротехника и энергетика: Двадцать четвертая Междунар. науч.-техн. конф. студентов и аспирантов (15–16 марта 2018 г., Москва): Тез. докл. Москва: ООО "Центр полиграфических услуг "Радуга", 2018. С. 378.
23 Бессонов Д.В., Олейник В.Л. Исследование вольт-фарадных характеристик светодиодов с множественными квантовыми ямами GaInP/AlGaInP //Труды Пятнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов. 17-18 мая 2018 г. Томск: Изд-во НТЛ, 2018. С. 213-215.
24 The Mechanism of Superfast Switching of Avalanche S-Diodes Based on GaAs Doped With Cr and Fe / Prudaev I.A., Oleinik V.L., Smirnova T.E., Kopyev V.V. [et al] // IEEE Transactions on Electron Devices. 2018. Vol. 65, № 8. P. 3339‒3344. DOI: 10.1109/TED.2018.2845543
25 Brudnyi V.N., Prudaev I.A., Oleinik V.L., Marmaluk A.A. Electron Irradiation Degradation of AlGaInP/GaAs Light-Emitting Diodes //Physica status solidi (a). 2018. Vol. 215, № 8. P. 1700445(5pp).
26 И.А. Прудаев, В.В. Копьев, И.С. Романов, В.Л. Олейник, А.Д. Лозинская, А.В. Шемерянкина, и другие. Квантово-размерные эффекты переноса носителей заряда в сверхрешетках и множественных квантовых ямах InGaN/GaN //Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы : тез. докл. 11-й Всерос. конф., 1-3 февр. 2017 г., Москва. М., 2017. С. 158-159.
27 V.V. Kopyev, I.A. Prudaev, V.L. Oleynik. Resonant tunneling of charge carriers in InGaN/GaN superlattice //Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 864. P. 012052(8pp).
28 Прудаев И.А., Копьев В.В., Романов И.С., Олейник В.Л. Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN // Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51, № 2. С. 240‒246. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44112.8251
29 I.A. Prudaev, V.V. Kopyev, I.S. Romanov, V.L. Oleynik. On the effect of ballistic overflow on the temperature dependence of the quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes //Semiconductors. 2017. Vol. 51, № 2. P. 232-238.
30 Олейник В.Л. Исследование температурных и частотных зависимостей мкости и проводимости в светодиодах на основе AlGaInP //Материалы 53-й Международной научной студенческой конференции МНСК-2015: Квантовая физика. Новосибирск: Изд-во НГУ, 2015. С. 41.
31 Олейник В.Л. Низкотемпературные электрические характеристики светодиодов на основе AlGaInP //Системы связи и радионавигации. Сборник тезисов. Красноярск, 2015. С. 322-326.
32 Олейник В.Л. Исследование светодиодов из AlGaInP методикой спектроскопии адмиттанса //Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов. Томск, 2015. С. 46-47.
33 Олейник В.Л., Прудаев И.А. Исследование низкотемпературных электрических характеристик светодиодов из AlGaInP //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 138-141.
34 Олейник В.Л., Прудаев И.А., Рябоштан Ю.Л., Горлачук П.В. Низкотемпературные вольт-амперные характеристики AlGaInP светодиодов //Физика твердого тела: сборник материалов XIV Российской научной студенческой конференции. томск: Издательский Дом ТГУ, 2014. С. 142-144.
35 Олейник В.Л., Прудаев И.А., Новиков В.А., Рябоштан Ю.Л., Горлачук П.В. Исследование распределения электрического поля в светодиодах из AlGaInP методом зонда Кельвина //Физика твердого тела: сборник материалов XIV Российской научной студенческой конференции. томск: Издательский Дом ТГУ, 2014. С. 145-147.
36 Олейник В.Л. Исследование низкотемпературных вольт-амперных характеристик светодиодов из AlGaInP //Труды Всероссийской конференции Студенческих научно-исследовательских инкубаторов. Томск 15-17 мая 2014 г. Томск: Изд-во НТЛ, 2014. С. 105-107.
37 Transport of charge carriers in light-emitting diodes based on the multiple quantum wells (ALxGA1-x ) 0,5IN0,5P/ (AL0,54GA0,46)0,5IN0,5P / Prudaev I.A., Oleynik V.L., Romanov I.S., Brudny'j V.N. [et al] // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 57, № 7. P. 915‒919.
38 Charge Carrier Transport in LEDs Based on Multiple (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P Quantum Wells / Prudaev I.A., Oleynik V.L., Romanov I.S., Brudny'j V.N. [et al] // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 57, № 7. P. 915‒919. DOI: 10.1007/s11182-014-0324-5
39 V.L. Oleynik, I. A. Prudaev, Vad. A. Novikov, Yu. L. Ryaboshtan, P. V. Gorlachuk. Study of electric field distribution in AlGaInP light-emitting diode by Kelvin probe force microscopy //Journal of Physics: Conference Series. 2014. Vol. 541, № 1. P. 012057(4pp).
40 Прудаев И.А., Олейник В.Л., Романов И.С., Брудный В.Н., Рябоштан Ю.Л., Горлачук П.В., Мармалюк А.А. Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 7. С. 48-51.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность