ТГУ.Сотрудники

Олейник Владимир Леонидович

Публикации

Общее число записей - 39
1 Прудаев И.А., Копьев В.В., Олейник В.Л., Земляков В.Е. Механизм последовательного включения токовых шнуров в лавинном S-диоде // Физика и техника полупроводников. 2024. Т. 58, № 7. С. 293‒299. DOI: 10.61011/FTP.2024.07.59184.6718
2 Effect of thermal annealing on properties Ga2O3/GaAs:Cr heterostructures / V.M. Kalygina, O.S. Kiseleva, V.V. Kopyev, B.O. Kushnarev [et al] // Technical Physics. 2024. Vol. 68, № 11. P. 1514‒1518. DOI: 10.1134/S106378422406015X
3 Prudaev I.A., Kopyev V.V., Oleinik V.L., Zemlyakov V.E. Evaluating the Switching Efficiency of Avalanche S-Diodes in a High-Current Mode // IEEE Transactions on Electron Devices. 2024. Vol. 71, № 10. P. 5831‒5837. DOI: 10.1109/TED.2024.3438675
4 Влияние термического отжига на свойства гетероструктур Ga2O3/GaAs:Cr / В.М. Калыгина, О.С. Киселева, В.В. Копьев, Б.О. Кушнарёв [и др.] // Журнал технической физики. 2023. Т. 93, № 11. С. 1631‒1636. DOI: 10.61011/JTF.2023.11.56495.140-23
5 Копьев В.В., Прудаев И.А., Олейник В.Л., Скакунов М.С. Влияние частоты и температуры на импульсную оптическую мощность лазерной микросборки на основе лавинного S-диода // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 159‒160.
6 S-диоды для накачки полупроводниковых лазерных диодов / В.Л. Олейник, И.А. Прудаев, В.В. Копьев, Ю.С. Петрова [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 163‒164.
7 Прудаев И.А., Копьев В.В., Олейник В.Л., Петрова Ю.С. Физические основы работы лавинного S-диода // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 181.
8 Influence of White Light on the Photoelectric Characteristics of UV Detectors Based On β-Ga2O3 / V.M. Kalygina, A.V. Tsymbalov, A.V. Almaev, B.O. Kushnarev [et al] // IEEE Sensors Journal. 2023. Vol. 23, № 14. P. 15530‒15536. URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/10151778.
9 Effect of UV and IR Radiation on the Electrical Characteristics of Ga2O3/ZnGeP2 Hetero-Structures / V.M. Kalygina, S.N. Podzyvalov, N.N. Yudin, E.S. Slyunko [et al] // Crystals. 2023. Vol. 13, № 8. Art. num. 1203. URL: https://doi.org/10.3390/cryst13081203.
10 Prudaev I., Kopyev V., Oleinik V. Microplasma Breakdown in GaAs-Based Avalanche S-Diodes Doped with Deep Fe Acceptors // Physica Status Solidi B: Basic Research. 2023. Vol. 260, № 4. Art. num. 2200446. DOI: 10.1002/pssb.202200446
11 Self-powered photo diodes based on Ga2O3/n-GaAs structures / Kalygina V.M., Kiseleva O.S., Kushnarev B.O., Oleinik V.L. [et al] // Semiconductors. 2022. Vol. 56, № 9. P. 707‒711. DOI: 10.21883/SC.2022.09.54139.9868
12 Фотодиоды на основе структур Ga2O3/N-GaAs, способные работать в автономном режиме / Калыгина В.М., Киселева О.С., Кушнарёв Б.О., Олейник В.Л. [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56, № 9. С. 928‒932. DOI: 10.21883/FTP.2022.09.53417.9868
13 Self-powered Photodetectors based on the Ga2O3/n-GaAs / Kalygina V.M., Kiseleva O.S., Kushnarev B.O., Petrova Yu.S. [et al] // Proceedings of 8th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects : EFRE–2022 Congress Proceedings, October 2–8, 2022. Tomsk: TPU Publishing House, 2022. P. 1282‒1288. DOI: 10.56761/EFRE2022.N1-O-027801
14 Suppression of Dynamic Current Leakage in Avalanche S-Diode Switching Circuits / I.A. Prudaev, V.V. Kopyev, V.L. Oleynik, S.N. Marochkin [et al] // IEEE Electron Device Letters. 2022. Vol. 43, № 1. P. 100‒103. DOI: 10.1109/LED.2021.3130596
15 Impact of Cr2O3 additives on the gas-sensitive properties of β-Ga2O3 thin films to oxygen, hydrogen, carbon monoxide and toluene vapors / Almaev A.V., Chernikov E.V., Novikov V.A., Kushnarev B.O. [et al] // Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 2021. Vol. 39, № 2. P. 023405. DOI: 10.1116/6.0000723
16 Avalanche Delay and Dynamic Triggering in GaAs-Based S-Diodes Doped With Deep Level Impurity / I.A. Prudaev, M.G. Verkholetov, V.L. Oleynik, V.V. Kopyev [et al] // IEEE Transactions on Electron Devices. 2021. Vol. 68, № 1. P. 57‒65. DOI: 10.1109/TED.2020.3039213
17 The application of superfast GaAs switch for nanosecond pumping of a semiconductor laser / M.G. Verkholetov, V.V. Kopyev, V.L. Oleynik, I.A. Prudaev [et al] // Saint Petersburg OPEN 2020. 7th international school and conference on optoelectronics, photonics, engineering and nanostructures : book of abstracts. Saint Petersburg: Academic University Publishing, 2020. P. 201‒202. URL: https://spbopen.spbau.com/PDF/EN/SPBOPEN2020.pdf (date of access: 26.01.2023).
18 Олейник В.Л. Температурные зависимости емкостных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlInGaP //Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», 26-28 ноября 2019 г. : программа и тезисы докладов. Новосибирск: Дигит Про, 2019. С. 28-29.
19 Kopyev V.V., Smirnova T.E., Oleinik V.L., Prudaev I.A. The influence of the deep level type on a switching time delay of GaAs avalanche S-diodes //Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1124. P. 071013(4pp).
20 Smirnova T.E., Kopyev V.V., Oleinik V.L., Prudaev I.A. The influence of the deep level type on a switching time delay of GaAs avalanche S-diodes // Saint Petersburg OPEN 2018. 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Book of Abstracts. St. Petersburg: Academic University Publishing, 2018. P. 504‒505. URL: http://spbopen.spbau.com/PDF/EN/SPBOPEN2018.pdf (date of access: 28.09.2018).
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность