ТГУ.Сотрудники

Прудаев Илья Анатольевич

Публикации

Общее число записей - 132
1 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. Ферромагнитный нитрид галлия, легированный примесями редкоземельных элементов, в качестве материала для спинтроники // Известия высших учебных заведений. Физика. 2024. Т. 67, № 4. С. 59‒72. DOI: 10.17223/00213411/67/4/7
2 Копьев В.В., Прудаев И.А., Олейник В.Л., Скакунов М.С. Влияние частоты и температуры на импульсную оптическую мощность лазерной микросборки на основе лавинного S-диода // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 159‒160.
3 S-диоды для накачки полупроводниковых лазерных диодов / В.Л. Олейник, И.А. Прудаев, В.В. Копьев, Ю.С. Петрова [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 163‒164.
4 Прудаев И.А., Копьев В.В., Олейник В.Л., Петрова Ю.С. Физические основы работы лавинного S-диода // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 181.
5 The physical mechanism underpinning superfast switching of GaAs S-diode / Prudaev I.A., Vainshtein S.N. [et al] // Solid State Communications. 2023. Vol. 365. Art. num. 115111. DOI: 10.1016/j.ssc.2023.115111
6 Prudaev I., Kopyev V., Oleinik V. Microplasma Breakdown in GaAs-Based Avalanche S-Diodes Doped with Deep Fe Acceptors // Physica Status Solidi B: Basic Research. 2023. Vol. 260, № 4. Art. num. 2200446. DOI: 10.1002/pssb.202200446
7 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 2 // Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 2. С. 14‒22. DOI: 10.17223/00213411/66/2/14
8 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 1 // Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 1. С. 56‒66. DOI: 10.17223/00213411/66/1/56
9 Verkholetov M.G., Prudaev I.A. Multi-Filament Triggering of Superfast HG PCSS // 2022 IEEE International Multi-Conference on Engineering, Computer and Information Sciences (SIBIRCON). [Danvers]: IEEE, 2022. P. 1930‒1933. URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/10016980 (date of access: 30.01.2023).
10 Manufacturing and Properties of Ferromagnetic Aluminum Nitride Doped with Nonmagnetic Impurities / Khludkov S.S., Prudaev I.A., Tolbanov O.P., Ivonin I.V. [et al] // Russian Physics Journal. 2022. Vol. 65, № 6. P. 909‒923. DOI: 10.1007/s11182-022-02714-1
11 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. Диффузия примесей и собственных точечных дефектов в арсениде галлия / науч. ред.: И.В. Ивонин. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2022. 248 с.
12 Khludkov S.S., Prudaev I.A., Tolbanov O.P., Ivonin I.V. Formation of Dislocations in the Process of Impurity Diffusion in GaAs // Russian Physics Journal. 2022. Vol. 64, № 12. P. 2350‒2356. DOI: 10.1007/s11182-022-02596-3
13 Получение и свойства ферромагнитного нитрида алюминия, легированного немагнитными примесями / Хлудков С.С., Прудаев И.А., Роот Л.О., Толбанов О.П. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 6. С. 3‒16. DOI: 10.17223/00213411/65/6/3
14 Suppression of Dynamic Current Leakage in Avalanche S-Diode Switching Circuits / I.A. Prudaev, V.V. Kopyev, V.L. Oleynik, S.N. Marochkin [et al] // IEEE Electron Device Letters. 2022. Vol. 43, № 1. P. 100‒103. DOI: 10.1109/LED.2021.3130596
15 Verkholetov M.G., Prudaev I.A. Effect of Barrier Contacts on Carrier Transport in Homogeneous GaAs Structures Doped with Deep Cr and EL2 Centers // Semiconductors. 2021. Vol. 55, № 9. P. 705‒709. DOI: 10.1134/S1063782621080200
16 Maltsev S.N., Konev V.Y., Barmin V.V., Romanchenko I.V., Prudaev I.A. Radiopulse generation in dispersive nonlinear transmission lines with GaAs S-diodes //Journal of Physics: Conference Series. 2021. Vol. 2094. Art. num. 22065.
17 Gusev A.I., Prudaev I.A., Lavrinovich I.V., De Ferron A., Novac B. M., Pecastaing L. Subnanosecond switching of standard thyristors triggered in impact-ionization wave mode by a high-voltage PCSS driver //Journal of Physics: Conference Series. 2021. Vol. 2064. Art. num. 12120.
18 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. Образование дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs // Известия вузов. Физика. 2021. № 12. С. 160‒165. DOI: 10.17223/00213411/64/12/160
19 Верхолетов М.Г., Прудаев И.А. Влияние барьерных контактов на транспорт носителей заряда в однородных структурах из GaAs, легированных глубокими центрами Cr и EL2 //Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55, № 8. С. 693-698.
20 Aluminum Nitride Doped with Transition Metal Group Atoms as a Material for Spintronics / Khludkov S.S., Prudaev I.A., Root L.O., Tolbanov O.P. [et al] // Russian Physics Journal. 2021. Vol. 63, № 11. P. 2013‒2024. DOI: 10.1007/s11182-021-02264-y
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность