ТГУ.Сотрудники

Прудаев Илья Анатольевич

Публикации

Общее число записей - 128
1 The physical mechanism underpinning superfast switching of GaAs S-diode / Prudaev I.A., Vainshtein S.N. [et al] // Solid State Communications. 2023. Vol. 365. Art. num. 115111. DOI: 10.1016/j.ssc.2023.115111
2 Prudaev I., Kopyev V., Oleinik V. Microplasma Breakdown in GaAs-Based Avalanche S-Diodes Doped with Deep Fe Acceptors // Physica Status Solidi B: Basic Research. 2023. Vol. 260, № 4. Art. num. 2200446. DOI: 10.1002/pssb.202200446
3 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 2 // Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 2. С. 14‒22. DOI: 10.17223/00213411/66/2/14
4 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 1 // Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 1. С. 56‒66. DOI: 10.17223/00213411/66/1/56
5 Verkholetov M.G., Prudaev I.A. Multi-Filament Triggering of Superfast HG PCSS // 2022 IEEE International Multi-Conference on Engineering, Computer and Information Sciences (SIBIRCON). [Danvers]: IEEE, 2022. P. 1930‒1933. URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/10016980 (date of access: 30.01.2023).
6 Manufacturing and Properties of Ferromagnetic Aluminum Nitride Doped with Nonmagnetic Impurities / Khludkov S.S., Prudaev I.A., Tolbanov O.P., Ivonin I.V. [et al] // Russian Physics Journal. 2022. Vol. 65, № 6. P. 909‒923. DOI: 10.1007/s11182-022-02714-1
7 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. Диффузия примесей и собственных точечных дефектов в арсениде галлия / науч. ред.: И.В. Ивонин. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2022. 248 с.
8 Khludkov S.S., Prudaev I.A., Tolbanov O.P., Ivonin I.V. Formation of Dislocations in the Process of Impurity Diffusion in GaAs // Russian Physics Journal. 2022. Vol. 64, № 12. P. 2350‒2356. DOI: 10.1007/s11182-022-02596-3
9 Получение и свойства ферромагнитного нитрида алюминия, легированного немагнитными примесями / Хлудков С.С., Прудаев И.А., Роот Л.О., Толбанов О.П. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 6. С. 3‒16. DOI: 10.17223/00213411/65/6/3
10 Suppression of Dynamic Current Leakage in Avalanche S-Diode Switching Circuits / I.A. Prudaev, V.V. Kopyev, V.L. Oleynik, S.N. Marochkin [et al] // IEEE Electron Device Letters. 2022. Vol. 43, № 1. P. 100‒103. DOI: 10.1109/LED.2021.3130596
11 Verkholetov M.G., Prudaev I.A. Effect of Barrier Contacts on Carrier Transport in Homogeneous GaAs Structures Doped with Deep Cr and EL2 Centers // Semiconductors. 2021. Vol. 55, № 9. P. 705‒709. DOI: 10.1134/S1063782621080200
12 Maltsev S.N., Konev V.Y., Barmin V.V., Romanchenko I.V., Prudaev I.A. Radiopulse generation in dispersive nonlinear transmission lines with GaAs S-diodes //Journal of Physics: Conference Series. 2021. Vol. 2094. Art. num. 22065.
13 Gusev A.I., Prudaev I.A., Lavrinovich I.V., De Ferron A., Novac B. M., Pecastaing L. Subnanosecond switching of standard thyristors triggered in impact-ionization wave mode by a high-voltage PCSS driver //Journal of Physics: Conference Series. 2021. Vol. 2064. Art. num. 12120.
14 Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. Образование дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs // Известия вузов. Физика. 2021. № 12. С. 160‒165. DOI: 10.17223/00213411/64/12/160
15 Верхолетов М.Г., Прудаев И.А. Влияние барьерных контактов на транспорт носителей заряда в однородных структурах из GaAs, легированных глубокими центрами Cr и EL2 //Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55, № 8. С. 693-698.
16 Aluminum Nitride Doped with Transition Metal Group Atoms as a Material for Spintronics / Khludkov S.S., Prudaev I.A., Root L.O., Tolbanov O.P. [et al] // Russian Physics Journal. 2021. Vol. 63, № 11. P. 2013‒2024. DOI: 10.1007/s11182-021-02264-y
17 Avalanche Delay and Dynamic Triggering in GaAs-Based S-Diodes Doped With Deep Level Impurity / I.A. Prudaev, M.G. Verkholetov, V.L. Oleynik, V.V. Kopyev [et al] // IEEE Transactions on Electron Devices. 2021. Vol. 68, № 1. P. 57‒65. DOI: 10.1109/TED.2020.3039213
18 The application of superfast GaAs switch for nanosecond pumping of a semiconductor laser / M.G. Verkholetov, V.V. Kopyev, V.L. Oleynik, I.A. Prudaev [et al] // Saint Petersburg OPEN 2020. 7th international school and conference on optoelectronics, photonics, engineering and nanostructures : book of abstracts. Saint Petersburg: Academic University Publishing, 2020. P. 201‒202. URL: https://spbopen.spbau.com/PDF/EN/SPBOPEN2020.pdf (date of access: 26.01.2023).
19 Нитрид алюминия, легированный переходными металлами, в качестве материала для спинтроники / Хлудков С.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Ивонин И.В. [и др.] // Известия вузов. Физика. 2020. Т. 63, № 11. С. 162‒172. DOI: 10.17223/00213411/63/11/162
20 Прудаев И.А., Верхолетов М.Г. Нелинейность вольт-амперных характеристик однородных компенсированных детекторных структур из GaAs // Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45, № 11. С. 37‒40. DOI: 10.21883/PJTF.2019.11.47823.17760
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность