ТГУ.Сотрудники

Калыгина Вера Михайловна

Публикации

Общее число записей - 89
81 Калыгина В.М., Вишникина В.В., Зарубин А.Н., Петрова Ю.С., Скакунов М.С., Толбанов О.П., Тяжев А.В., Яскевич Т.М. Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 9. С. 11-16.
82 Калыгина В.М., Зарубин А.Н., Новиков В.А., Петрова Ю.С., Толбанов О.П., Тяжев А.В., Цупий С.Ю., Яскевич Т.М. Пленки оксида галлия, полученные методом термического напыления //Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47, № 5. С. 597-602.
83 Калыгина В.М., Валиев К.И., Зарубин А.Н., Петрова Ю.С., Толбанов О.П., Тяжев А.В., Яскевич Т.М. Электрические характеристики структур n-GaAs–анодная пленка Ga2O3–металл //Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46, № 8. С. 1027-1031.
84 Калыгина В.М., Зарубин А.Н., Найден Е.П., Новиков В.А., Петрова Ю.С., Толбанов О.П., Тяжев А.В., Яскевич Т.М. Анодные пленки Ga203.Влияние термического отжига на свойства пленок //Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46. № 2. С. 278-284
85 Т. М. Yaskevich, V. M. Kalygina, Y. S. Petrova. Properties of the Ga2O3 Films Obtained by Anodization // 2011 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings. Krasnoyarsk: Siberian Federal University, 2011. P. 270‒273.
86 Thermal Annealing Action on the Capacity-Voltage and Siemens-Voltage Characteristic Ga2O3-GaAs Structures / V. M. Kalygina, Yu.S. Petrova, Т.М. Yaskevich, S.Yu. Tsupiy [et al] // 2011 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings. Krasnoyarsk: Siberian Federal University, 2011. P. 252‒254.
87 Калыгина В.М., Зарубин А.Н., Найден Е.П., Новиков В.А., Петрова Ю.С., Толбанов О.П., Тяжев А.В., Яскевич Т.М. Анодные пленки Gа2O3 //Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. № 8. С. 1130-1135
88 Калыгина В.М., Слюнько Е.С. Влияние глубокой примеси на электрические характеристики эпитаксиальных структур на основе GaAs //Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43, № 10. С. 1333-1338.
89 Kalygina V.M., Slyunko E.S. Effect of Deep Impurity on Electric Characteristicsof Epitaxial GaAs Structures //Semiconductors. 2009. Vol. 43, № 10. P. 1292-1297.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность