Калыгина Вера Михайловна
Публикации
Общее число записей - 89
41 | Электрофизические характеристики МДП-структур на основе пентацена с диэлектриком SiO2 / Новиков В.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 1. С. 79‒87. |
|
|
42 | Калыгина В.М., Ремизова И.Л., Толбанов О.П. Проводимость гетеропереходов Ga2O3-GaAs // Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52, № 2. С. 154—160. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45436.8597 |
|
|
43 | Лыгденова Т.З., Калыгина В.М. Свойства структур на основе пленок оксида галлия //Труды Пятнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов. 17-18 мая 2018 г. Томск: Изд-во НТЛ, 2018. С. 235-238. |
|
|
44 | Kalygina V.M., Remizova I.L., Tolbanov O.P. Conductivity of Ga2O3-GaAs Heterojunctions //Semiconductors. 2018. Vol. 52, № 2. P. 143-149. |
|
|
45 | Properties of Gallium Oxide Films Obtained by HF-Magnetron Sputtering / Lygdenova T.Z., Kalygina V.M., Novikov V.A., Prudaev I.A. [et al] // Russian Physics Journal. 2018. Vol. 60, № 11. P. 1911‒1916. DOI: 10.1007/s11182-018-1302-0 |
|
|
46 | И.Л. Ремизова, В.М. Калыгина, О.П. Толбанов. Механизм проводимости гетеропереходов Ga2O3-GaAs //Известия вузов. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2 "Физика взаимодействия электромагнитного излучения с веществом". С. 241-245. |
|
|
47 | В.М. Калыгина, И.А. Прудаев, И.Л. Ремизова, О.П. Толбанов. Фотоэлектрические характеристики структур металл - Ga2O3 - GaAs //Известия вузов. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2 "Физика взаимодействия электромагнитного излучения с веществом". С. 236-240. |
|
|
48 | Т.З. Лыгденова, В.М. Калыгина, В.А. Новиков, И.А. Прудаев, О.П. Толбанов, Тяжев А.В. Свойства пленок оксида галлия, полученных ВЧ-магнетронным напылением //Известия вузов. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 56-60. |
|
|
49 | V. Kalygina, I. Prudaev, I. Remizova, O. Tolbanov. Photo electrical characteristics of Ga2O3-GaAs structures //2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials, 12-15 september 2017, Parma, IWGO 2017 : programme and abstracts. Parma, 2017. P. P57. |
|
|
50 | V.M. Kalygina, I.M. Egorova, I.A. Prudaev, O.P. Tolbanov, V.V. Atuchin. Conduction mechanism of metal-TiO2–Si structures //Chinese Journal of Physics. 2017. Vol. 55, № 1. P. 59-63. |
|
|
51 | V.M. Kalygina, Yu.S. Petrova, I.A. Prudaev, O.P. Tolbanov. Stability of Electrical Characteristics of MOS Structures Based on Gallium Oxide // Russian Physics Journal. 2016. Vol. 59, № 6. P. 757‒761. DOI: 10.1007/s11182-016-0833-5 |
|
|
52 | V.M. Kalygina, I.M. Egorova, V.A. Novikov, I.A. Prudaev, O.P. Tolbanov. Relation between the structural and phase transformations in titanium-oxide films and the electrical and photoelectric properties of TiO2-Si structures //Semiconductors. 2016. Vol. 50, № 9. P. 1156-1162. |
|
|
53 | Kalygina V.M., Egorova I.M., Prudaev I.A., Tolbanov O.P. Conduction in titanium dioxide films and metal-TiO2-Si structures //Semiconductors. 2016. Vol. 50, № 8. P. 1015-1019. |
|
|
54 | Калыгина В.М., Петрова Ю.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П. Стабильность электрических характеристик МОП-структур на основе оксида галлия //Известия вузов. Физика. 2016. Т. 59, № 6. С. 3-6. |
|
|
55 | V.M. Kalygina, I.M. Egorova, I.A. Prudaev, O.P. Tolbanov, V.V. Atuchin. Photoelectrical characteristics of TiO2-N-Si heterostructures //Microwave and Optical Technology Letters. 2016. Vol. 58, № 5. P. 1113-1116. |
|
|
56 | V.M. Kalygina, V.I. Gaman, I. A. Prudaev, O.P. Tolbanov. Sensor properties of metal-Ga oxide-GaAs structures //IWGO 2015. Kyoto, Japan, 2015. P. 100-101. |
|
|
57 | Калыгина В.М., Егорова И.М., Прудаев И.А., Толбанов О.П. Особенности фотоэлектрических характеристик структур TiO2-Si //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 143-147. |
|
|
58 | Калыгина В.М., Макаров В.А., Прудаев И.А., Толбанов О.П. Электрические характеристики структур металл-TiO2-Si на переменном сигнале //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 139-143. |
|
|
59 | V.M. Kalygina, I.M. Egorova, I. A. Prudaev, O.P. Tolbanov, V.V. Atuchin. Photoelectrical characteristics of TiO2-n-Si heterostructure //Effect of external influences on the strength and plasticity of metals and alloys. Барнаул, 2015. P. 183-184. |
|
|
60 | V.M. Kalygina, I.M. Egorova, I. A. Prudaev, O.P. Tolbanov, V.V. Atuchin. Conduction mechanism of metal-TiO2-Si structures //Effect of external influences on the strength and plasticity of metals and alloys. Барнаул, 2015. P. 181-182. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность