ТГУ.Сотрудники

Яковлев Никита Николаевич

Публикации

Общее число записей - 45
1 O2 sensors for λ-probe based on β-Ga2O3 microcrystals fabricated from к-Ga2O3 epitaxial film by thermal annealing / A.V. Almaev, N.N. Yakovlev, B.O. Kushnarev, A.A. Yatsenko [et al] // Sensors and Actuators B: Chemical. 2025. Vol. 444, № Part 1. Art. num. 138355.
2 High-Temperature Methane Sensors Based on ZnGa₂O₄:Er Ceramics for Combustion Monitoring / A.V. Almaev, N.N. Yakovlev, O.I. Kukenov, A.O. Korchemagin [et al] // Technologies. 2025. Vol. 13, № 7. Art. num. 286. DOI: 10.3390/technologies13070286
3 Цымбалов А.В., Алмаев А.В., Яковлев Н.Н. Фотоэлектрические свойства диода с барьером Шоттки на основе Pt/(100) β-Ga2O3 // Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы Всероссийской конференции с международным участием, 10–13 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2024. С. 68.
4 Яковлев Н.Н., Алмаев А.В. Диоды с барьером Шоттки на основе β-Ga₂O₃ // Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы Всероссийской конференции с международным участием, 10–13 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2024. С. 67.
5 Алмаев А.В., Яковлев Н.Н., Цымбалов А.В. GА2O3 для приборов силовой и сенсорной электроники // Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы Всероссийской конференции с международным участием, 10–13 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2024. С. 73.
6 Алмаев А.В., Яковлев Н.Н., Кушнарёв Б.О. Структурные, электропроводящие и газочувствительные свойства тонких плёнок Ga₂O₃, TiO₂ и Cr₂O₃, полученных методом IBSD // Физические и физико-химические основы ионной имплантации : тезисы докладов IX Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 22–25 октября 2024 г.). Н. Новгород, 2024. С. 31.
7 Яковлев Н.Н., Алмаев А.В. Диод с барьером Шоттки β-Ga₂O₃ с полуизолирующим слоем, нанесенным методом IBS // XIII Всероссийская конференция с международным участием «Химия твёрдого тела и функциональные материалы 2024». : тезисы докладов. СПб.: Новбытхим, 2024. С. 421.
8 Цымбалов А.В., Алмаев А.В., Яковлев Н.Н. Фотоэлектрические характеристики диодов с барьером Шоттки на основе Pt/(100) β-Ga2O3 // XIII Всероссийская конференция с международным участием «Химия твёрдого тела и функциональные материалы 2024». : тезисы докладов. СПб.: Новбытхим, 2024. С. 409.
9 Direct One-Step Plasma-Chemical Synthesis of Nanostructured β-Ga2O3–GaN Thin Films of Various Compositions / A.V. Almaev, N.N. Yakovlev, E.V. Chernikov, N.N. Erzakova [et al] // High Energy Chemistry. 2024. Vol. 58, № 3. P. 322‒327. DOI: 10.1134/S0018143924700139
10 Electroconductive and photoelectric properties of Pt/(100) β-Ga2O3 Schottky barrier diode based on Czochralski grown crystal / A. Almaev, N. Yakovlev, A. Tsymbalov, V. Kopyev [et al] // Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 2024. Vol. 42, № 4. Art. num. 042802. DOI: 10.1116/6.0003618
11 Gas sensitivity of PECVD β-Ga2O3 films with large active surface / A.V. Almaev, N.N. Yakovlev, E.V. Chernikov, N.N. Erzakova [et al] // Materials Chemistry and Physics. 2024. Vol. 320. Art. num. 129430. DOI: 10.1016/j.matchemphys.2024.129430
12 β-Ga2O3 Schottky Barrier Diode with Ion Beam Sputter-Deposited Semi-Insulating Layer / N.N. Yakovlev, A.V. Almaev, B.O. Kushnarev, M.G. Verkholetov [et al] // Crystals. 2024. Vol. 14, № 2. Art. num. 123. DOI: 10.3390/cryst14020123
13 Gas-Sensitive Properties of β-Ga2O3 Thin Films Deposited and Annealed at High Temperature / N.N. Yakovlev, A.V. Almaev, A.O. Korchemagin, M.K. Sharma [et al] // Engineering Proceedings. 2023. Vol. 58, № 1. Art. num. 2. DOI: 10.3390/ecsa-10-16015
14 Корчемагин А.О., Яковлев Н.Н. Сенсоры водорода для аппаратов ВДТ на основе ПМО // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 177‒179.
15 High Oxygen Sensitivity of TiO2 Thin Films Deposited by ALD / A.V. Almaev, N.N. Yakovlev, D.A. Almaev, M.G. Verkholetov [et al] // Micromachines. 2023. Vol. 14, № 10. Art. num. 1875. URL: https://www.mdpi.com/2072-666X/14/10/1875.
16 Физико-химические и электрофизические свойства тонких пленок β-Ga2O3:Zn, полученных методом PECVD / А.Я. Поляков, А.В. Алмаев, Н.Н. Яковлев, Е.В. Черников [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 7. С. 66‒73. DOI: 10.17223/00213411/66/7/8
17 Solar-blind ultraviolet detectors based on high quality HVPE α-Ga2O3 films with giant responsivity / A.V. Almaev, V.V. Kopyev, N.N. Yakovlev, B.O. Kushnarev [et al] // IEEE Sensors Journal. 2023. Vol. 23, № 17. P. 19245‒19255. URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/10194564.
18 High Sensitivity Low-Temperature Hydrogen Sensors Based on SnO2/κ(ε)-Ga2O3:Sn Heterostructure / A. Almaev, N. Yakovlev, V. Kopyev, V. Nikolaev [et al] // Chemosensors. 2023. Vol. 11, № 6. Art. num. 325. URL: https://www.mdpi.com/2227-9040/11/6/325.
19 ITO Thin Films for Low-Resistance Gas Sensors / A.V. Almaev, V.V. Kopyev, V.A. Novikov, N.N. Yakovlev [et al] // Materials. 2023. Vol. 16, № 1. Art. num. 342. DOI: 10.3390/ma16010342
20 Тонкие пленки TiO2, полученные методом атомно-слоевого осаждения, с высокой чувствительностью и селективностью к O2 / Д.А. Алмаев, А.В. Алмаев, Н.Н. Яковлев, М.Г. Верхолетов [и др.] // XII Всероссийская научно-техническая конференция "Электроника и микроэлектроника СВЧ": сборник докладов. Санкт-Петербург, 29 мая - 2 июня 2023 г. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2023. С. 34‒38. URL: https://mwelectronics.etu.ru/assets/files/2023/novoe/034-038.pdf (дата обращения: 31.08.2023).
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность