ТГУ ТГУ.Сотрудники

Яковлев Никита Николаевич

Публикации

Общее число записей - 52
1 High-temperature CH₄ sensors based on multilayer Ga₂O₃/SnO₂/Ga₂O₃ thin-film structures with SiO₂ barrier layers / A.V. Almaev, B.O. Kushnarev, N.N. Yakovlev, N.N. Yudin [et al] // Materials Science and Engineering B. 2026. Vol. 332. Art. num. 119622. DOI: 10.1016/j.mseb.2026.119622
2 Трофимов М.С., Яковлев Н.Н. Адмиттансные характеристики сенсоров на основе арсенида галлия, компенсированного хромом // Физика твердого тела. 2026. Т. 68, № 1. С. 3‒8. DOI: 10.61011/FTT.2026.01.62569.338-25
3 Photoconductive Gain Behavior of Ni/β-Ga₂O₃ Schottky Barrier Diode-Based UV Detectors / V.V. Kopyev, N.N. Yakovlev, A.V. Tsymbalov, D.A. Almaev [et al] // Micromachines. 2026. Vol. 17, № 1. Art. num. 100. URL: https://www.mdpi.com/2072-666X/17/1/100.
4 Яковлев Н.Н., Алмаев А.В., Корчемагин А.О. Диод с барьером Шоттки 1-кВ класса на основе оксида галлия // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2025) : материалы XI международной конференции и молодежной школы (г. Самарканд, Узбекистан, 7-9 октября 2025 г.). Самара: Издательство Самарского университета, 2025. Ст. ном. 061212. 1 CD-ROM.
5 Яковлев Н.Н., Алмаев А.В. Диод с барьером Шоттки на основе Ga₂O₃ с напряжением пробоя более 1 кВ // Актуальные проблемы физики твердого тела : сборник тезисов XI Международой научной конференции, Минск, 19–23 мая 2025 г. Минск: НПЦ НАН Беларуси по материаловедению, 2025. С. 135.
6 Солнечно-слепые детекторы на основе тонких пленок Ga2O3 / А.В. Цымбалов, В.В. Копьев, А.В. Алмаев, Н.Н. Яковлев [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2025. 11-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 16-18 сентября 2025 г. : сборник трудов. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2025. С. 140‒141.
7 Effect of Temperature and High Electric Field on the Responsivity and Speed-Performance of Gallium Oxide UV Photodetectors / V.V. Kopyev, A.V. Almaev, A.V. Tsymbalov, D.A. Almaev [et al] // IEEE Sensors Journal. 2025. Vol. 25, № 22. P. 41251‒41257. URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/11192804.
8 O2 sensors for λ-probe based on β-Ga2O3 microcrystals fabricated from к-Ga2O3 epitaxial film by thermal annealing / A.V. Almaev, N.N. Yakovlev, B.O. Kushnarev, A.A. Yatsenko [et al] // Sensors and Actuators B: Chemical. 2025. Vol. 444, № Part 1. Art. num. 138355. DOI: 10.1016/j.snb.2025.138355
9 High-Temperature Methane Sensors Based on ZnGa₂O₄:Er Ceramics for Combustion Monitoring / A.V. Almaev, N.N. Yakovlev, O.I. Kukenov, A.O. Korchemagin [et al] // Technologies. 2025. Vol. 13, № 7. Art. num. 286. DOI: 10.3390/technologies13070286
10 Цымбалов А.В., Алмаев А.В., Яковлев Н.Н. Фотоэлектрические свойства диода с барьером Шоттки на основе Pt/(100) β-Ga2O3 // Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы Всероссийской конференции с международным участием, 10–13 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2024. С. 68.
11 Яковлев Н.Н., Алмаев А.В. Диоды с барьером Шоттки на основе β-Ga₂O₃ // Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы Всероссийской конференции с международным участием, 10–13 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2024. С. 67.
12 Алмаев А.В., Яковлев Н.Н., Цымбалов А.В. GА2O3 для приборов силовой и сенсорной электроники // Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы Всероссийской конференции с международным участием, 10–13 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2024. С. 73.
13 Алмаев А.В., Яковлев Н.Н., Кушнарёв Б.О. Структурные, электропроводящие и газочувствительные свойства тонких плёнок Ga₂O₃, TiO₂ и Cr₂O₃, полученных методом IBSD // Физические и физико-химические основы ионной имплантации : тезисы докладов IX Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 22–25 октября 2024 г.). Н. Новгород, 2024. С. 31.
14 Яковлев Н.Н., Алмаев А.В. Диод с барьером Шоттки β-Ga₂O₃ с полуизолирующим слоем, нанесенным методом IBS // XIII Всероссийская конференция с международным участием «Химия твёрдого тела и функциональные материалы 2024». : тезисы докладов. СПб.: Новбытхим, 2024. С. 421.
15 Цымбалов А.В., Алмаев А.В., Яковлев Н.Н. Фотоэлектрические характеристики диодов с барьером Шоттки на основе Pt/(100) β-Ga2O3 // XIII Всероссийская конференция с международным участием «Химия твёрдого тела и функциональные материалы 2024». : тезисы докладов. СПб.: Новбытхим, 2024. С. 409.
16 Direct One-Step Plasma-Chemical Synthesis of Nanostructured β-Ga2O3–GaN Thin Films of Various Compositions / A.V. Almaev, N.N. Yakovlev, E.V. Chernikov, N.N. Erzakova [et al] // High Energy Chemistry. 2024. Vol. 58, № 3. P. 322‒327. DOI: 10.1134/S0018143924700139
17 Electroconductive and photoelectric properties of Pt/(100) β-Ga2O3 Schottky barrier diode based on Czochralski grown crystal / A. Almaev, N. Yakovlev, A. Tsymbalov, V. Kopyev [et al] // Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 2024. Vol. 42, № 4. Art. num. 042802. DOI: 10.1116/6.0003618
18 Gas sensitivity of PECVD β-Ga2O3 films with large active surface / A.V. Almaev, N.N. Yakovlev, E.V. Chernikov, N.N. Erzakova [et al] // Materials Chemistry and Physics. 2024. Vol. 320. Art. num. 129430. DOI: 10.1016/j.matchemphys.2024.129430
19 β-Ga2O3 Schottky Barrier Diode with Ion Beam Sputter-Deposited Semi-Insulating Layer / N.N. Yakovlev, A.V. Almaev, B.O. Kushnarev, M.G. Verkholetov [et al] // Crystals. 2024. Vol. 14, № 2. Art. num. 123. DOI: 10.3390/cryst14020123
20 Gas-Sensitive Properties of β-Ga2O3 Thin Films Deposited and Annealed at High Temperature / N.N. Yakovlev, A.V. Almaev, A.O. Korchemagin, M.K. Sharma [et al] // Engineering Proceedings. 2023. Vol. 58, № 1. Art. num. 2. DOI: 10.3390/ecsa-10-16015
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность