ТГУ.Сотрудники

Брудный Валентин Натанович

Публикации

Общее число записей - 62
41 Brudny'j V.N. Growth Defects in the Light Emitting InGaN/GaN Structures // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 57, № 3. P. 341‒344.
42 Titov K.S., Brudny'j V.N. Structure Defects in a Triple Semiconducting Compound ZnGeP2 // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 57, № 1. P. 50‒54. DOI: 10.1007/s11182-014-0206-x
43 Прудаев И.А., Олейник В.Л., Романов И.С., Брудный В.Н., Рябоштан Ю.Л., Горлачук П.В., Мармалюк А.А. Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 7. С. 48-51.
44 Титов К.С., Брудный В.Н. Структурные дефекты в тройном полупроводниковом соединении ZnGeP2 //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 1. С. 46-49.
45 Брудный В.Н. Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 3. С. 50-53.
46 Брудный В.Н., Войцеховский А.В., Ивонин И.В., Толбанов О.П. Становление и развитие научного и образовательного направлений по физике полупроводников в Томском государственном университете //Электронная промышленность. 2014. № 1. С. 7-15.
47 Брудный В.Н. Влияние жесткой радиации на электронные, оптические и рекомбинационные свойства соединений (Al, Ga, In) –P, (Al, Ga) –As и их твердых растворов //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 8. С. 37-39.
48 Брудный В.Н. Зарядовая нейтральность в полупроводниках: дефекты, границы раздела, поверхность //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 7/3. С. 27-29.
49 Саркисов С.Ю., Кособуцкий А.В., Брудный В.Н., Каргин Н.Я. Генерация терагерцового излучения от поверхностей узко-и широкозонных полупроводников, модифицированных путем радиационного облучения //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 8(3). С. 201-204.
50 Kosobuckij A.V., Sarkisov S.Y., Brudny'j V.N. Structural, elastic and electronic properties of GaSe under biaxial and uniaxial compressive stress //Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2013. Vol. 74, № 9. P. 1240-1248.
51 Саркисов С.Ю., Кособуцкий А.В., Брудный В.Н., Вавилин Е.В. Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на электрофизические и оптические свойства легированных и нелегированных кристаллов GaSe //Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2013. Т. 10, № 2. С. 214-220.
52 Kosobuckij A.V., Sarkisov S.Yu., Brudny'j V.N. Structural, elastic and electronic properties of GaSe under biaxial and uniaxial compressive stress //Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2013. Vol. 74, № 9. P. 1240-1248.
53 Брудный В.Н., Веревкин С.С., Колин Н.Г., Корулин А.В. Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок n-GaN //Известия вузов. Физика. 2012. Т. 55, № 12(1). С. 47-51.
54 Брудный В.Н., Веревкин С.С., Говорков А.А., Ермаков В.С., Колин Н.Г., Корулин А.В., Поляков А.Я., Смирнов Н.Б. Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN //Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46, № 4. С. 450-456.
55 Брудный В.Н., Кособуцкий А.В. Электронная структура и уровень локальной электронейтральности политипов SiC из квазичастичных расчетов в рамках GW – приближения // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2012. Т. 141, № 6. С. 1183‒1189.
56 Брудный В.Н., Веревкин С.С., Ермаков В.С., Колин Н.Г. Радиационные дефекты и электрофизические свойства GaN //Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. № 12. С. 104-108.
57 Брудный В.Н., Гриняев С.Н. Фоточувствительные структуры на основе квантовых точек германия в кремнии //Известия вузов. Физика. 2011. № 12. С. 109-112.
58 Брудный В.Н., Гущин С.М., Ивонин И.В., Мазалов А.В., Курешов В.А., Мармалюк А.А., Романов И.С., Сабитов Д.Р., Чернов Н.А. Светодитодные гетероструктуры на основе соединений (GaN, AlNm InN), полученные методом МОСГФЭ-эпитаксии //Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 9(2). С. 3-9.
59 Брудный В.Н., Кособуцкий А.В., Колин Н.Г., Корулин А.В. Изменение структурных параметров решетки и электронных спектров пленок n-GaN на сапфире при облучении реакторными нейтронами //Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45, № 4. С. 461-467.
60 Брудный В.Н., Кособуцкий А.В., Колин Н.Г. Влияние давления и механического напряжения на электронные свойства AlN и GaN //Физика твердого тела. 2011. Т. 53, № 4. С. 633-641.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность