ТГУ.Сотрудники

Брудный Валентин Натанович

Публикации

Общее число записей - 62
21 Brudnyi V.N., Sarkisov S.Y., Kosobutsky A.V. Electronic properties of GaSe, InSe, GaS andGaTe layered semiconductors: chargeneutrality level and interface barrier heights //Semiconductor Science and Technology. 2015. Vol. 30, № 11. P. 1-6.
22 Sarkisov S.Yu., Red'kin R.A., Korotchenko Z.V., Bereznaia S.A., Brudnyi V.N., Kosobutsky A.V., Atuchin V.V. Electron and neutron irradiated semiconductor surfaces for terahertz generation //Opto-, nanoelectronics, nanotechnology and microsystems : Proceedings of the XVIII International Conference / edited S.V. Bulyarski. Ulyanovsk, 2015. P. 11.
23 Прудаев И.А., Копьев В.В., Романов И.С., Брудный В.Н. Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 5. С. 53-56.
24 Романов И.С., Прудаев И.А., Брудный В.Н., Копьев В.В., Новиков В.А., Мармалюк А.А., и д. Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические харакеристики //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 110-113.
25 Effect of the barrier thickness on the optical properties of InGaN/GaN/Al2O3 (0001) LED heterostructures / Romanov Ivan Sergeevich, Prudaev Ilia Anatolevich, Brudnyi V.N., Kopev Viktor Vasilevich [et al] // Russian Physics Journal. 2015. Vol. 58, № 7. P. 996‒1000. DOI: 10.1007/s11182-015-0600-z
26 Prudaev Ilia Anatolevich, Kopev Viktor Vasilevich, Romanov Ivan Sergeevich, Brudnyi V.N. Temperature Dependence of Quantum Efficiency of InGaN/GaN Led Structures at High Current Density // Russian Physics Journal. 2015. Vol. 58, № 5. P. 641‒645. DOI: 10.1007/s11182-015-0545-2
27 Bereznaia S.A., Korotchenko Z.V., Red'kin R.A., Sarkisov S.Y., Brudnyi V.N., Kosobutsky A.V., Atuchin V.V. Terahertz generation from surfaces of electron and neutron irradiated semiconductors //Effect of external influences on the strength and plasticity of metals and alloys. Барнаул, 2015. P. 182-183.
28 Red'kin R.A., Prudaev I.A., Sarkisov S.Y., Kosobutsky A.V., Brudnyi V.N. The optical properties of 9 MeV electron irradiated GaSe crystals //International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON–2015). Proceedings. – Omsk: The Tomsk IEEE Chapter & Student Branch. Russia. Omsk, 2015. P. 1-3. 1 электрон. опт. диск (CD-R).
29 Брудный В.Н., Саркисов С.Ю., Кособуцкий А.В. Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике epsilon-GaSe //Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, № 10. С. 1351-1354.
30 Brudnyi V.N., Sarkisov S.Y., Kosobutsky A.V. Electronic properties of GaSe, InSe, GaS and GaTe layered semiconductors: Charge neutrality level and interface barrier heights //Semiconductor Science and Technology. 2015. Vol. 30, № 11. P. 115019(9pp).
31 Brudnyi V.N., Sarkisov S.Y., Kosobutsky A.V. On the charge neutrality level and the electronic properties of interphase boundaries in the layered epsilon-GaSe semiconductor //Semiconductors. 2015. Vol. 49, № 10. P. 1307-1310.
32 S. Yu. Sarkisov, A.V. Kosobutsky, V. N. Brudnyi, [et. al.]. Ab initio calculations of optical constants of GaSe and InSe layered crystals //Physics of the Solid State. 2015. Vol. 57, № 9. P. 1735-1740.
33 Boiko, Brudny'j V.N., Ermakov, Kolin N.G., Korulin A.V. On the electronic Properties of GaSb irradiated with reactor neutrons and its Charge Neutrality Level //Semiconductors. 2015. Vol. 49, № 6. P. 763-766.
34 Саркисов С.Ю., Кособуцкий А.В., Брудный В.Н., и др. Расчеты из первых принципов оптических констант слоистых кристаллов GaSe и InSe //Физика твердого тела. 2015. Т. 57, № 9. С. 1693-1697.
35 Led InGaN/GaN Structures with Short-Period Superlattice Grown on Flat and Patterned Sapphire Substrates / Romanov I.S., I.A. Prudaev, Brudnyi V.N., Kop’ev V.V. [et al] // Russian Physics Journal. 2015. Vol. 57, № 11. P. 1604‒1608. DOI: 10.1007/s11182-015-0424-x
36 Романов И.С., Прудаев И.А., Брудный В.Н., Копьев В.В., Новиков В.А., и др. Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках //Известия вузов. Физика. 2014. Т. 57, № 11. С. 134-137.
37 Boiko, Brudny'j V.N., Verevkin S.S., Ermakov, Kolin N.G., Korulin A.V., Polyakov A.Ya. Electronic properties of pGaN(Mg) films irradiated with reactor neutrons //Semiconductors. 2014. Vol. 48, № 7. P. 859-863.
38 Transport of charge carriers in light-emitting diodes based on the multiple quantum wells (ALxGA1-x ) 0,5IN0,5P/ (AL0,54GA0,46)0,5IN0,5P / Prudaev I.A., Oleynik V.L., Romanov I.S., Brudny'j V.N. [et al] // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 57, № 7. P. 915‒919.
39 Бойко В.М., Брудный В.Н., Веревкин С.С., Ермаков В.С., Колин Н.Г., Корулин А.В., Поляков А.Я. Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами //Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48, № 7. С. 885-889.
40 Charge Carrier Transport in LEDs Based on Multiple (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P Quantum Wells / Prudaev I.A., Oleynik V.L., Romanov I.S., Brudny'j V.N. [et al] // Russian Physics Journal. 2014. Vol. 57, № 7. P. 915‒919. DOI: 10.1007/s11182-014-0324-5
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность