ТГУ.Сотрудники

Брудный Валентин Натанович

Публикации

Общее число записей - 64
1 Optical Absorption, Photocarrier Recombination Dynamics and Terahertz Dielectric Properties of Electron-Irradiated GaSe Crystals / S.A. Bereznaya, R.A. Redkin, V.N. Brudnyi, S.Yu. Sarkisov [et al] // Crystals. 2023. Vol. 13, № 11. Art. num. 1562. URL: https://www.mdpi.com/2073-4352/13/11/1562.
2 Electrical Relaxation and Transport Properties of ZnGeP2 and 4H-SiC Crystals Measured with Terahertz Spectroscopy / V.I. Voevodin, V.N. Brudnyi, S.Yu. Sarkisov, Y.S. Sarkisov [et al] // Photonics. 2023. Vol. 10, № 7. Art. num. 827. DOI: 10.3390/photonics10070827
3 Afonin A.G., Brudnyi V.N., Brudnyi P.A., Velikovskii L.E. Features of Radiation Changes in Electrical Properties of InAlN/GaN Hemts // Russian Physics Journal. 2020. Vol. 62, № 9. P. 1656‒1662. DOI: 10.1007/s11182-020-01888-w
4 Brudnyi V.N., Kamenskaia I.V., Brudnyi P.A. Fermi level pinning and hydrostatic pressure effectin electron irradiated GaSb //Semiconductor Science and Technology. 2020. Vol. 35, № 8. P. 085021-1-085021-5.
5 Брудный В.Н., Вилисова М.Д., Великовский Л.Э. Твердые растворы InxAl1xN: проблемы стабильности состава //Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53, № 12. С. 1733-1739.
6 Brudnyi V.N., Vilisova M. D., Velikovskii L.E. InxAl1xN solid solutions: composition stability issues //Semiconductors. 2019. Vol. 53, № 12. P. 1724-1730.
7 Афонин А.Г., Брудный В.Н., Брудный П.А., Великовский Л.Э. Особенности радиационных изменений электрических свойств INALN/GAN HEMT //Известия вузов. Физика. 2019. Т. 62, № 9. С. 106-112.
8 Романов И.С., Прудаев И.А., Брудный В.Н. Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860980 C // Известия вузов. Физика. 2018. Т. 61, № 1. С. 164‒166.
9 Брудный В.Н., Вилисова М.Д., Великовский Л.Э., Сим П.Е., Брудный П.А. Электрические и физико-химические свойства омических контактов к соединениям III-N //Известия вузов. Физика. 2018. Т. 61, № 8. С. 73-78.
10 Neutron irradiation-induced modification of electrical and structural properties of GaN epifilms grown on Al2O3 (0001) substrate / V.N. Brudnyi, A.V. Kosobutsky, P.A. Brudnyi, V.M. Boiko [et al] // Semiconductor Science and Technology. 2018. Vol. 33, № 9. Art. num. 095011. DOI: 10.1088/1361-6641/aad53b
11 Брудный В.Н., Вилисова М.Д., Великовский Л.Э. Физические свойства твердых растворов In(x)Al(1-x)N //Известия вузов. Физика. 2018. Т. 61, № 6. С. 142-147.
12 Romanov I.S., Prudaev I.A., Brudnyi V.N. Diffusion of Magnesium in Led Structures with InGaN/GaN Quantum Wells at True Growth Temperatures 860-980оC of p-GaN // Russian Physics Journal. 2018. Vol. 61, № 1. P. 187‒190. DOI: 10.1007/s11182-018-1383-9
13 Brudnyi V.N., Prudaev I.A., Oleinik V.L., Marmaluk A.A. Electron Irradiation Degradation of AlGaInP/GaAs Light-Emitting Diodes //Physica status solidi (a). 2018. Vol. 215, № 8. P. 1700445(5pp).
14 V.N. Brudnyi. BN, AIN, GaN, InN: Charge neutrality level, surface, interfaces, doping // Russian Physics Journal. 2017. Т. 59, № 12. С. 2186‒2190. DOI: 10.1007/s11182-017-1035-5
15 Brudnyi V.N., Kosobutsky A.V. Electronic properties of SiC polytypes: Charge neutrality level and interfacial barrier heights //Superlattices and Microstructures. 2017. Vol. 111. P. 499-505.
16 Effect of a Short-Period InGaN/GaN Superlattice on the Efficiency of Blue LEDs at High Level of Optical Pumping / I.A. Prudaev, I.S. Romanov, V.V. Kopyev, V.N. Brudnyi [et al] // Russian Physics Journal. 2016. Vol. 59, № 7. P. 934‒937. DOI: 10.1007/s11182-016-0856-y
17 Brudny'j V.N. Gallium nitride: charge neutrality level and interfaces // Russian Physics Journal. 2016. Vol. 58, № 11. P. 1613‒1618. DOI: 10.1007/s11182-016-0691-1
18 S.A. Bereznaya, Z.V. Korotchenko, R.A. Redkin, S.Yu. Sarkisov, V.N. Brudnyi, A.V. Kosobutsky, V.V. Atuchin. Terahertz generation from electron- and neutron-irradiated semiconductor crystal surfaces //Infrared Physics and Technology. 2016. Vol. 77. P. 100-103.
19 I. A. Prudaev, V.V. Kopyev, Romanov Ivan Sergeevich, Brudnyi V.N. Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density // Russian Physics Journal. 2015. Vol. 58, № 5. P. 641‒645.
20 Романов И.С., Прудаев И.А., Брудный В.Н., Копьев В.В., Новиков В.А., Мармалюк А.А., Курешов В.А., Сабитов Д.Р., Мазалов А.В. Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 110-113.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность