Новиков Вадим Александрович
Публикации


Новиков В.А., Копылова Т.Н., Ивонин И.В., Гадиров Р.М., Терещенко Е.В., Солодова Т.А., Карева К.В. Влияние УФ-излучения на поверхностные процессы монокристаллов антрацена //Известия вузов. Физика. 2020. Т. 63, № 4. С. 62-68.
Калыгина В.М., Лыгденова Т.З., Новиков В.А., Петрова Ю.С., Цымбалов А.В., Яскевич Т.М. Структура и свойства пленок оксида галлия, полученных высокочастотным магнетронным напылением //Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53, № 3. С. 411-417.
Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Коханенко А.П., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М., Новиков В.А. Электрофизическая и оптическая диагностика новых типов многослойных структур для приборов органической фотоники //Фундаментальные проблемы оптики – 2019. ФПО-2019 : сборник трудов XI Международной конференции, Санкт-Петербург, 21-25 октября 2019 г. СПб.: Университет ИТМО, 2019. С. 299-302.
Дзядух С.М., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Копылова Т.Н., Новиков В.А., Дегтяренко К.М. Адмиттанс многослойных органо-неорганических систем на основе пентацена в широком диапазоне температур //Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 1-4 октября 2019 г. : сборник трудов конференции. Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2019. С. 366-367.
Novikov V.A., Gadirov R.M., Kopylova T.N., Solodova T.A., Bobrovnikova I.A., Ivonin I.V., Tereshhenko E.V. Evolution of Surface Morphology of Anthracene Single Crystals Under Annealing //Russ. Phys. J. 2019. Vol. 62, № 6. P. 1073-1076.
Kalygina V.M., Lygdenova T.Z., Novikov V.A., Petrova Yu.S., Tsymbalov A.V., Yaskevich T.M. Structure and properties of gallium-oxide films produced by high-frequency magnetron-assisted deposition //Semiconductors. 2019. Vol. 53, № 3. P. 388-394.
Novikov V.A., Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Kopylova T.N., Degtyarenko K.M., Chernikov E.V., Kalygina V.M. Electrophysical Characteristics of the Pentacene-based MIS Structures with a SiO2 Insulator //Russ. Phys. J. 2019. Vol. 62, № 1. P. 90-99.
Новиков В.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М., Черников Е.В., Калыгина В.М. Электрофизические характеристики МДП-структур на основе пентацена с диэлектриком SiO2 //Известия вузов. Физика. 2019. Т. 62, № 1. С. 79-87.
В.А. Новиков, Р.М. Гадиров, Т.Н. Копылова, Т.А. Солодова, И.А. Бобровникова, И.В. Ивонин, Терещенко Е.В. Изменение морфологии поверхности кристаллов антрацена при отжиге //Известия вузов. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 135-138.
Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Novikov V.A., Dzyadukh S.M., Kopylova T.N., Ivonin I.V., Degtyarenko K.M., Tereshhenko E.V. Admittance characterization of pentacene metal-insulator-semiconductor capacitorswith SiO2 and SiO2/Ga2O3 insulators in temperature range of 9-300 K //Thin Solid Films. 2019. Vol. 692. P. 1-7.
Timofeev V.A., Nikiforov A.I., Yakimov A.I., Mashanov V.I., Loshkarev I.D., Bloshkin A.A., Kirienko V.V., Novikov V.A., Kareva K.V. Studying the morphology, structure and band diagram of thin GeSiSn films and their mid-infrared photoresponse //Semicond Sci Technol. 2018. Vol. 34, № 1. P. 014001-1-014001-8.
Lygdenova T.Z., Kalygina V.M., Novikov V.A., Prudaev I.A., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V. Properties of Gallium Oxide Films Obtained by HF-Magnetron Sputtering //Russian Physics Journal. 2018. Vol. 60, № 11. P. 1911-1916.
Т.З. Лыгденова, В.М. Калыгина, В.А. Новиков, И.А. Прудаев, О.П. Толбанов, Тяжев А.В. Свойства пленок оксида галлия, полученных ВЧ-магнетронным напылением //Известия вузов. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 56-60.
Shelkovnikov V.V., Liubas G.A., Kopylova T.N., Tel`minov E.N., Gadirov R.M., Nikonova E.N., Nikonov S. Yu., Solodova T.A., Novikov V.A., and 1 more. Lasing of a Solid-State Active Element Based on Anodized Aluminum Oxide Film Doped with Rhodamine 6G //Russian Physics Journal. 2017. Vol. 59, № 12. P. 1989-1995.
Timofeev V.A., Nikiforov A.I., Koxanenko A.P., Tuktamyshev A. R., Mashanov V.I., Novikov V.A., and 1 more. Growth of Epitaxial SiSn Films with High Sn Content for IR Converters //Russian Physics Journal. 2017. Vol. 60, № 2. P. 354-359.
V.A. Novikov, D.V. Grigoryev, D.A. Bezrodnyy, A.V. Voitsekhovskii, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov. Electrical Properties of the V-Defects of Epitaxial HgCdTe //JEM. 2017. Vol. 46, № 7. P. 4435-4438.