ТГУ ТГУ.Сотрудники

Петрова Юлианна Сергеевна

Публикации

Общее число записей - 58
21 Свойства резистивных структур на основе полиморфных фаз оксида галлия / Калыгина В.М., Алмаев А.В., Цымбалов А.В., Петрова Ю.С. [и др.] // Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46, № 17. С. 33‒36. DOI: 10.21883/PJTF.2020.17.49891.18341
22 Калыгина В.М., Алмаев А.В., Цымбалов А.В., Копьев В.В., Петрова Ю.С., и другие. Влияние ультрафиолетового излучения и электрического поля на проводимость структур на основе α- и ε-Ga2O3 //Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54, № 10. С. 1035-1040.
23 Анодные пленки Gа2O3, полученные окислением пластин n-GaAs в гальваностатическом режиме / Петрова Ю.С., Алмаев А.В., Калыгина В.М., Таллер Е.В. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 5. С. 154‒158. DOI: 10.17223/00213411/63/5/154
24 Петрова Ю.С. Анодные пленки Ga2O3 // Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», 26-28 ноября 2019 г. : программа и тезисы докладов. Новосибирск: Дигит Про, 2019. С. 88‒89.
25 Петрова Ю.С., Гилев А.С., Калыгина В.М. Солнечно-слепые детекторы УФ-излучения на основе пленок оксида галлия //Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 1-4 октября 2019 г. : сборник трудов конференции. Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2019. С. 237-239.
26 Калыгина В.М., Лыгденова Т.З., Петрова Ю.С., Черников Е.В. Влияние материала подложки на свойства пленок оксида галлия и структур на его основе //Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53, № 4. С. 468-473.
27 Калыгина В.М., Лыгденова Т.З., Новиков В.А., Петрова Ю.С., Цымбалов А.В., Яскевич Т.М. Структура и свойства пленок оксида галлия, полученных высокочастотным магнетронным напылением //Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53, № 3. С. 411-417.
28 Kalygina V.M., Lygdenova T.Z., Petrova Yu.S., Chernikov E.V. Influence of the Substrate Material on the Properties of Gallium-Oxide Films and Gallium-Oxide-Based Structures // Semiconductors. 2019. Vol. 53, № 4. P. 452‒457. DOI: 10.1134/S1063782619040122
29 Structure and properties of gallium-oxide films produced by high-frequency magnetron-assisted deposition / Kalygina V.M., Lygdenova T.Z., Novikov V.A., Petrova Yu.S. [et al] // Semiconductors. 2019. Vol. 53, № 3. P. 388‒394. DOI: 10.1134/S1063782619030096
30 V.M. Kalygina, Yu.S. Petrova, I.A. Prudaev, O.P. Tolbanov. Stability of Electrical Characteristics of MOS Structures Based on Gallium Oxide // Russian Physics Journal. 2016. Vol. 59, № 6. P. 757‒761. DOI: 10.1007/s11182-016-0833-5
31 Калыгина В.М., Петрова Ю.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П. Стабильность электрических характеристик МОП-структур на основе оксида галлия //Известия вузов. Физика. 2016. Т. 59, № 6. С. 3-6.
32 V. V. Vishnikina, V.M. Kalygina, Yu.S. Petrova, I. A. Prudaev, O.P. Tolbanov, V.V. Atuchin. Photoelectrical characteristics of Ga2O3-GaAs structures //Effect of external influences on the strength and plasticity of metals and alloys. Барнаул, 2015. P. 180-181.
33 V.M. Kalygina, Yu.S. Petrova, I. A. Prudaev, O.P. Tolbanov, S. Yu. Tcupiy. Deep centers in TiO2-Si structures //Semiconductors. 2015. Vol. 49, № 8. P. 1012-1018.
34 Калыгина В.М., Петрова Ю.С., Прудаев И.А., Толбанов О.П., Цупий С.Ю. Глубокие центры в структурах TiO2-Si //Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, № 8. С. 1036-1042.
35 Калыгина В.М., Вишникина В.В., Петрова Ю.С., Прудаев И.А., Яскевич Т.М. Фотоэлектрические характеристики структур металл- Ga2O3-GaAs //Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, № 3. С. 357-363.
36 V. M. Kalygina, V. V. Vishnikina, Yu. S. Petrova, I.A. Prudaev, T.M. Yaskevich. Photoelectric characteristics of metal-Ga2O3-GaAs structures //Semiconductors. 2015. Vol. 49, № 3. P. 345-351.
37 Егорова И.М., Петрова Ю.С., Цупий С.Ю. Фотоэлектрические характеристики пленок GaxOy и структур на их основе //Физика твердого тела: сборник материалов XIV Российской научной студенческой конференции. томск: Издательский Дом ТГУ, 2014. С. 120-123.
38 Егорова И.М., Петрова Ю.С., Цупий С.Ю. Фотоэлектрические характеристики пленок GaxOy и структур на их основе //Труды Всероссийской конференции Студенческих научно-исследовательских инкубаторов. Томск 15-17 мая 2014 г. Томск: Изд-во НТЛ, 2014. С. 89-93.
39 V. M. Kalygina, V. A. Novikov, Yu. S. Petrova, O. P. Tolbanov, E. V. Chernikov, S. Yu. Tcupiy, T. M. Yaskevich. Effect of thermal annealing and exposure to oxygen plasma on the properties of TiO2-Si structures //Semiconductors. 2014. Vol. 48, № 7. P. 961-966.
40 Yu. S. Petrova, A. N. Zarubin, V. M. Kalygina, S. Yu. Zupiy. Photoelectrical properties of TiO2-Si structures //Journal of Physics: Conference Series. 2014. Vol. 541, № 1. P. 012033(5pp).
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность