ТГУ.Сотрудники

Саркисов Сергей Юрьевич

Публикации

Общее число записей - 80
41 Korotchenko Z.V., Bereznaia S.A., Novikov V.A., Red'kin R.A., Sarkisov S.Yu., Atuchin V.V. . Native oxide nanocrystals formation on the GaSe(001) cleaved surface //Opto-, nanoelectronics, nanotechnology and microsystems : Proceedings of the XVIII International Conference / edited S.V. Bulyarski. Ulyanovsk, 2015. P. 99.
42 Sarkisov S.Yu., Skakunov M.S., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Zarubin A.N. SI-GaAs<Cr> photoconductive dipole antennas for terahertz generation: The influence of antenna length and shape //25-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2015): материалы конф. [Электронный ресурс]. Севастополь, 2015. P. 455-456. 1 электрон. опт. диск (CD-R).
43 Red'kin R.A., Bereznaia S.A., Korotchenko Z.V., Sarkisov S.Y. A comparison of terahertz electro-optic sampling in ZnTe, ZnSe, GaP and GaSe1-xSx crystals //International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON–2015). Proceedings. – Omsk: The Tomsk IEEE Chapter & Student Branch. Russia. Omsk, 2015. P. 1-3. 1 электрон. опт. диск (CD-R).
44 Bereznaia S.A., Korotchenko Z.V., Red'kin R.A., Sarkisov S.Y., Tolbanov O.P., Atuchin V.V., [et. al.]. A comparison of terahertz generation and detection in ZnTe, GaP, GaSe and GaSe:S crystals //Effect of external influences on the strength and plasticity of metals and alloys. Барнаул, 2015. P. 184-185.
45 Bereznaia S.A., Korotchenko Z.V., Red'kin R.A., Sarkisov S.Y., Brudnyi V.N., Kosobutsky A.V., Atuchin V.V. Terahertz generation from surfaces of electron and neutron irradiated semiconductors //Effect of external influences on the strength and plasticity of metals and alloys. Барнаул, 2015. P. 182-183.
46 Dorozhkin K.V., Dunaevskii G.E., Sarkisov S.Y., Susliaev V.I., Zhuravlev V.A., Atuchin V.V., [et. al.]. Terahertz dielectric properties of MWCNT/PE composites //Effect of external influences on the strength and plasticity of metals and alloys. Барнаул, 2015. P. 179-180.
47 Bereznaia S.A., Korotchenko Z.V., Novikov V.A., Red'kin R.A., Sarkisov S.Y., Atuchin V.V. Formation of native oxide crystallites on the GaSe(001) cleaved surface //Effect of external influences on the strength and plasticity of metals and alloys. Барнаул, 2015. P. 175-176.
48 Red'kin R.A., Prudaev I.A., Sarkisov S.Y., Kosobutsky A.V., Brudnyi V.N. The optical properties of 9 MeV electron irradiated GaSe crystals //International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON–2015). Proceedings. – Omsk: The Tomsk IEEE Chapter & Student Branch. Russia. Omsk, 2015. P. 1-3. 1 электрон. опт. диск (CD-R).
49 Брудный В.Н., Саркисов С.Ю., Кособуцкий А.В. Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике epsilon-GaSe //Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, № 10. С. 1351-1354.
50 Березная С.А., Зарубин А.Н., Коротченко З.В., Прудаев И.А., Редькин Р.А., Саркисов С.Ю., Толбанов О.П. Спектры пропускания и генерация терагерцовых импульсов в структурах SiO2-GaSe, TiO2-GaSe, Ga2O3-GaSe и GaSe:S //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 8. С. 131-135.
51 Brudnyi V.N., Sarkisov S.Y., Kosobutsky A.V. Electronic properties of GaSe, InSe, GaS and GaTe layered semiconductors: Charge neutrality level and interface barrier heights //Semiconductor Science and Technology. 2015. Vol. 30, № 11. P. 115019(9pp).
52 Brudnyi V.N., Sarkisov S.Y., Kosobutsky A.V. On the charge neutrality level and the electronic properties of interphase boundaries in the layered epsilon-GaSe semiconductor //Semiconductors. 2015. Vol. 49, № 10. P. 1307-1310.
53 S. Yu. Sarkisov, A.V. Kosobutsky, S. D. Shandakov. Effect of van der Waals interactions on the structural and binding properties of GaSe //Journal of Solid State Chemistry. 2015. Vol. 232. P. 67-72.
54 S. Yu. Sarkisov, A.V. Kosobutsky, V. N. Brudnyi, [et. al.]. Ab initio calculations of optical constants of GaSe and InSe layered crystals //Physics of the Solid State. 2015. Vol. 57, № 9. P. 1735-1740.
55 Influence of split-ring resonators on the terahertz transmission of a planar waveguide / M.M. Nazarov, A. N. Zarubin, S. Yu. Sarkisov, O.P. Tolbanov [et al] // Russian Physics Journal. 2015. Vol. 58, № 4. P. 562‒566. DOI: 10.1007/s11182-015-0534-5
56 I.A. Prudaev, S. Yu. Sarkisov, O.P. Tolbanov, A.V. Kosobutsky. Generation of terahertz radiation in led heterostructures with multiple InGaN/GaN quantum wells at two-photon excitation by femtosecond // Russian Physics Journal. 2015. Vol. 58, № 2. P. 192‒197. DOI: 10.1007/s11182-015-0481-1
57 Назаров М.М., Зарубин А.Н., Саркисов С.Ю., Толбанов О.П., Тяжев А.В. Влияние разорванных кольцевых резонаторов на пропускание планарного волновода в терагерцовом диапазоне частот //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 4. С. 115-119.
58 Саркисов С.Ю., Кособуцкий А.В., Брудный В.Н., и др. Расчеты из первых принципов оптических констант слоистых кристаллов GaSe и InSe //Физика твердого тела. 2015. Т. 57, № 9. С. 1693-1697.
59 Прудаев И.А., Саркисов С.Ю., Толбанов О.П., Кособуцкий А.В. Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами //Известия вузов. Физика. 2015. Т. 58, № 2. С. 47-51.
60 Ilya Prudaev, Sergey Sarkisov, Oleg Tolbanov, Alexey Kosobutsky. Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation //Physica Status Solidi B: Basic Research. 2015. Vol. 252, № 5. P. 946-951.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность