ТГУ.Сотрудники

Саркисов Сергей Юрьевич

Публикации

Общее число записей - 82
21 Kobtsev D.A., Kolesnikova I.I., Redkin R. A., Sarkisov S.Y. A comparison of photoconductive semiconductors with long and short charge carrier lifetimes for pulsed and CW terahertz generation and detection // 2019 Conference on Lasers and Electro-Optics Europe & European Quantum Electronics Conference (CLEO® /Europe-EQEC), Munich, 23-27 june 2019. [S. l.]: IEEE, 2019. P. 8872412. URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/8872412 (date of access: 27.11.2019). DOI: 10.1109/CLEOE-EQEC.2019.8872412
22 Optical Pump - THz Probe Study of SI-GaAs:Cr with Long Charge Carrier Lifetime / Kolesnikova I.I., Kobtsev D.A., Redkin R. A., Sarkisov S.Y. [et al] // 2019 Conference on Lasers and Electro-Optics Europe & European Quantum Electronics Conference (CLEO® /Europe-EQEC), Munich, 23-27 june 2019. [S. l.]: IEEE, 2019. P. 8871563. URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/8871563 (date of access: 27.11.2019). DOI: 10.1109/CLEOE-EQEC.2019.8871563
23 Synthesis of Polycrystalline CdSiP2 in a Gradient Temperature Field / Bereznaya S.A., Korotchenko Z.V., Kurasova A.S., Sarkisov S.Y. [et al] // Russian Physics Journal. 2018. Vol. 61, № 1. P. 191‒195. DOI: 10.1007/s11182-018-1384-8
24 Synthesis and characterization of polycrystalline CdSiP2 / Bereznaya S.A., Korotchenko Z.V., Sarkisov S.Y., Korolkov I.V. [et al] // Materials Research Express. 2018. Vol. 5, № 5. P. 056204(7pp). DOI: 10.1088/2053-1591/aac1e7
25 Kosobutsky A.V., Sarkisov S.Y. Influence of Size Effects on the Electronic Structureof Hexagonal Gallium Telluride //Physics of the Solid State. 2018. Vol. 60, № 9. P. 1686-1690.
26 Кособуцкий А.В., Саркисов С.Ю. Влияние размерных эффектов на электронную структуру гексагонального теллурида галлия // Физика твердого тела. 2018. Т. 60, № 9. С. 1645‒1649. DOI: 10.21883/FTT.2018.09.46378.052
27 Исследование времени жизни неравновесных носителей заряда в GaAs:Cr методом терагерцовой pump-probe спектроскопии / Редькин Р.А., Колесникова И.И., Салиев Д.Н., Саркисов С.Ю. [и др.] // Фотоника 2017 : рос. конф. и шк. мол. ученых по актуальным проблемам полупродниковой фотоэлектроники (с участием иностр. ученых), 11-15 сент. 2017 г., Новосибирск : тез. докл. Новосибирск: ИПЦ НГУ, 2017. С. 50.
28 Broadband and narrowband terahertz generation and detection in GaSe(1−x)S(x) crystals / S.A. Bereznaya, Z.V. Korotchenko, R.A. Redkin, S.Yu. Sarkisov [et al] // Journal of Optics. 2017. Vol. 19, № 11. P. 115503(7pp). DOI: 10.1088/2040-8986/aa8e5a
29 Terahertz dielectric properties of multiwalled carbon nanotube/polyethylene composites / Dorozhkin K.V., Dunaevsky G.E., Sarkisov S.Y., Suslyaev V.I. [et al] // Materials Research Express. 2017. Vol. 4, № 10. P. 106201(7pp). DOI: 10.1088/2053-1591/aa8f06
30 Кобцев Д.А., Саркисов С.Ю., Скакунов М.С., Толбанов О.П., Тяжев А.В., Зарубин А.Н. Влияние длины и формы дипольных антенн на основе SI-GaAs<Cr> на спектры генерации терагерцового излучения //Физика твердого тела : сб. материалов XV Российской научной студенческой конференции (18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия). Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2016. С. 163-165.
31 Sarkisov S.Y., Kosobutsky A.V., Shandakov S.D., Sarkisov Y.S., Tolbanov O.P., Dunaevsky G.E. Single-wall Carbon Nanotubes Oriented By Gas Flow At Synthesis By Aerosol CVD Method As Terahertz Polarizers //Proceedings of 41st International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz waves (IRMMW-THz). IEEE, 2016. P. 1-2. URL: http://ieeexplore.ieee.org/document/7758793/.
32 Sarkisov S.Y., Suslyaev V.I., Zhuravlev V.A., Dorozhkin K.V., Kuznecov V.L., Moseenkov S.I., Semikolenova N.V., Zakharov V.A., Dunaevsky G.E. Terahertz Dielectric Properties of MWCNT/PE Composites //Proceedings of 41st International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz waves (IRMMW-THz). IEEE, 2016. P. 1-2. URL:: http://ieeexplore.ieee.org/document/7758779/.
33 Новиков В.А., Саркисов С.Ю. Формирование нанокристаллов собственного оксида на поверхности GaSe, стимулированное лазерным облучением // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2016. № 4. С. 1‒5.
34 V.A. Novikov, S.Yu. Sarkisov. Formation of Intrinsic Oxide Nanocrystals on the Surface of GaSe under Laser Irradiation //Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2016. Vol. 10, № 4. P. 738-741.
35 S.A. Bereznaya, Z.V. Korotchenko, R.A. Redkin, S.Yu. Sarkisov, V.N. Brudnyi, A.V. Kosobutsky, V.V. Atuchin. Terahertz generation from electron- and neutron-irradiated semiconductor crystal surfaces //Infrared Physics and Technology. 2016. Vol. 77. P. 100-103.
36 S.A. Bereznaya, Z.V. Korotchenko, V.A. Novikov, R.A. Redkin, S.Yu. Sarkisov, V.V. Atuchin. Formation of native oxide crystallites on GaSe(001) surface //Infrared Physics and Technology. 2016. Vol. 76. P. 126-130.
37 Новиков В.А., Саркисов С.Ю. Формирование нанокристалов собственного оксида на поверхности GaSe, стимулированное лазерным облучением // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2016. № 7. С. 69‒73. DOI: 10.7868/S0207352816040120
38 Transmission spectra and generation of terahertz pulses in SiO2-GaSe, TiO2-GaSe, Ga2O3-GaSe and GaSe:S structures / S.A. Bereznaia, A.N. Zarubin, Z.V. Korotchenko, I. A. Prudaev [et al] // Russian Physics Journal. 2015. Vol. 58, № 8. P. 1181‒1185. DOI: 10.1007/s11182-015-0629-z
39 Brudnyi V.N., Sarkisov S.Y., Kosobutsky A.V. On the Charge Neutrality Level and the Electronic Properties of Interphase Boundaries in the Layered _GaSe Semiconductor //Semiconductors. 2015. Vol. 49, № 10. P. 1351-1354.
40 Brudnyi V.N., Sarkisov S.Y., Kosobutsky A.V. Electronic properties of GaSe, InSe, GaS andGaTe layered semiconductors: chargeneutrality level and interface barrier heights //Semiconductor Science and Technology. 2015. Vol. 30, № 11. P. 1-6.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность