Тяжев Антон Владимирович
Публикации


Chsherbakov I.D., Chsherbakov P.S., Lozinskaya A.D., Mikhailov T.A., Novikov V.A., Shemeryankina A.V., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Zarubin A.N., et al. Response of HR-GaAs:Cr sensors to subnanosecond X-and -ray pulses //J. Instrum. 2019. Vol. 14, № 12. P. C12016(8pp).
Lozinskaya A.D., Chsherbakov I.D., Kolesnikova I.I., Mikhailov T.A., Novikov V.A., Shemeryankina A.V., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Zarubin A.N. Detailed analysis of quasi-ohmic contacts to high resistive GaAs:Cr structures //J. Instrum. 2019. Vol. 14, № 11. P. C11026(8pp).
Greiffenberg D., Chsherbakov I.D., Lozinskaya A.D., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Zarubin A.N., Et Al., and 21 more. Characterization of GaAs:Cr sensors using the charge-integrating JUNGFRAU readout chip //J. Instrum. 2019. Vol. 14, № 5. P. P05020(19pp).
Chsherbakov I.D., Chsherbakov P.S., Kolesnikova I.I., Lozinskaya A.D., Mihaylov T.A., Novikov V.A., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Zarubin A.N. The influence of contact material and its fabrication on X-ray HR-GaAs:Cr sensor noise characteristics //J. Instrum. 2019. Vol. 14, № 1. P. C01026(9pp).
Ruat M., Andra M., Lozinskaya A.D., Novikov V.A., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Zarubin A.N., et al., and 17 more. Photon counting microstrip X-ray detectors with GaAs sensors //J. Instrum. 2018. Vol. 13, № 1. P. C01046(10pp).
Lygdenova T.Z., Kalygina V.M., Novikov V.A., Prudaev I.A., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V. Properties of Gallium Oxide Films Obtained by HF-Magnetron Sputtering //Russian Physics Journal. 2018. Vol. 60, № 11. P. 1911-1916.
Shherbakov I.D., Kolesnikova I.I., Lozinskaya A.D., Mikhailov T.A., Novikov V.A., Shemeryankina A.V., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Zarubin A.N. GaAs:Cr X-ray sensors noise characteristics investigation by means of amplitude spectrum analysis //J. Instrum. 2018. Vol. 13, № 1. P. C01030(7pp).
Т.З. Лыгденова, В.М. Калыгина, В.А. Новиков, И.А. Прудаев, О.П. Толбанов, Тяжев А.В. Свойства пленок оксида галлия, полученных ВЧ-магнетронным напылением //Известия вузов. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 56-60.
C. Ponchut, M. Cotte, A. Lozinskaya, A. Zarubin, O. Tolbanov, A. Tyazhev. Characterisation of GaAs:Cr pixel sensors coupled to Timepix chips in view of synchrotron applications //J. Instrum. 2017. Vol. 12, № 12. P. C12023(8pp).
Редькин Р.А., Колесникова И.И., Салиев Д.Н., Саркисов С.Ю., Тяжев А.В., Толбанов О.П. Исследование времени жизни неравновесных носителей заряда в GaAs:Cr методом терагерцовой pump-probe спектроскопии //Фотоника 2017 : рос. конф. и шк. мол. ученых по актуальным проблемам полупродниковой фотоэлектроники (с участием иностр. ученых), 11-15 сент. 2017 г., Новосибирск : тез. докл. Новосибирск: ИПЦ НГУ, 2017. С. 50.
M.C. Veale, P. Booker, B. Cline, A.D. Lozinskaya, V.A. Novikov, O.P. Tolbanov, A.V. Tyazhev, A.N. Zarubin, et al., and 6 more. MHz rate X-Ray imaging with GaAs:Cr sensors using the LPD detector system //J. Instrum. 2017. Vol. 12, № 2. P. P02015(20pp).
D. Budnitsky, V. Novikov, A. Lozinskaya, I. Kolesnikova, A. Zarubin, A. Shemeryankina, T. Mihaylov, M. Skakunov, O. Tolbanov, A. Tyazhev. Characterization of 4 inch GaAs:Cr wafers //J. Instrum. 2017. Vol. 12, № 1. P. C01063(9pp).
I. Chsherbakov, I. Kolesnikova, A. Lozinskaya, T. Mihaylov, V. Novikov, A. Shemeryankina, O. Tolbanov, A. Tyazhev, A. Zarubin. Electron mobility-lifetime and resistivity mapping of GaAs:Cr wafers //J. Instrum. 2017. Vol. 12, № 2. P. C02016(10pp).
Тяжев А.В. Разработка арсенид галлиевых сенсоров для матричных рентгеновских детекторов, использующихся в цифровой маммографии и макромолекулярной кристаллографии //III Ежегодная Всероссийская научно-практическая конференция «Исследования и разработки - 2016» [Электронный ресурс] : тез. участников ФЦП ИР. М., 2016. С. 14587210003. URL:: https://xpir.ru/events/conference2016/theses/60c2dfbea87e4be5985237c2e28a811b(дата обращения: 03.01.2017.
A. Dragone, С. Kenney, A. Lozinskaya, O. Tolbanov, A. Tyazhev, A. Zarubin, Zhehui Wang. Feasibility study of a "4H" X-ray camera based on GaAs:Cr sensor //J. Instrum. 2016. Vol. 11, № 11. P. C11042.
I. Kolesnikova, A. Lozinskaya, T. Mihaylov, V. Novikov, A. Shemeryankina, I. Sherbakov, O. Tolbanov, A. Tyazhev, A. Zarubin. Temperature dependencies of current-voltage characteristics of GaAs:Cr //J. Instrum. 2016. Vol. 11, № 3. P. C03059.