ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 592
61 Unipolar Semiconductor Barrier Structures for Infrared Photodetector Arrays (Review) / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Gorn D.I. [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2021. Vol. 66, № 9. P. 1084‒1091. DOI: 10.1134/S1064226921090035
62 Admittance of MIS Structures Based on nBn Systems of Epitaxial HgCdTe for Detection in the 3–5 μm Spectral Range / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretskii S.A. [et al] // Technical Physics Letters. 2021. Vol. 47, № 6. P. 616‒619. DOI: 10.1134/S1063785021060286
63 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М. Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3 //Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2021. С. 147.
64 Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках Cd0.3Hg0.7Te: накопление и отжиг / Коротаев А.Г., Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Дворецкий С.А. [и др.] // Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2021. С. 140. DOI: 10.34077/RCSP2021-140
65 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Григорьев Д.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Электрические характеристики MWIR и LWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe //Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2021. С. 136.
66 Лозовой К.А., Дирко В.В., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Моделирование особенностей эпитаксиального формирования 2D- и 3D-островков с учетом изменения физических параметров двумерных пленок с толщиной //Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2021. С. 64.
67 Лозовой К.А., Дирко В.В., Винарский В.П., Коханенко А.П., Войцеховский А.В., Акименко Н.Ю. Двумерные материалы на основе элементов группы IVA: последние достижения в эпитаксиальных методах синтеза //Известия вузов. Физика. 2021. Т. 64, № 9. С. 3-10.
68 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. Униполярные барьерные детекторы коротковолновой области инфракрасного диапазона / науч. ред.: Войцеховский А.В. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2021. 122 с.
69 Unipolar barrier structures based on HgCdTe for infrared detection / Voitsekhovskii A. V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Gorn D.I. [et al] // Pulsed Lasers and Laser Applications (AMPL-2021) : abstracts of XV International Conference. Tomsk: STT, 2021. P. 112‒113.
70 Dark Currents of Unipolar Barrier Structures Based on Mercury Cadmium Telluride for Long-Wave IR Detectors / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Russian Physics Journal. 2021. Vol. 64, № 5. P. 763‒769. DOI: 10.1007/s11182-021-02390-7
71 Fluence dependence of nanosize defect layers in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films studied with TEM/HRTEM / Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Dvoretsky S.A., Izhnin I.I. [et al] // International research and practice conference «Nanotechnology and nanomaterials» (NANO-2021), 25-27 august 2021, Lviv : abstract book. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2021. P. 378.
72 Single element 2D materials and methods of their epitaxial synthesis / Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A., Dirko V.V. [et al] // International research and practice conference «Nanotechnology and nanomaterials» (NANO-2021), 25-27 august 2021, Lviv : abstract book. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2021. P. 43.
73 Electrical properties of optimized nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Izhnin I.I. [et al] // International research and practice conference «Nanotechnology and nanomaterials» (NANO-2021), 25-27 august 2021, Lviv : abstract book. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2021. P. 44.
74 Темновые токи униполярных барьерных структур на основе теллурида кадмия и ртути для длинноволновых инфракрасных детекторов / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 5. С. 3‒8. DOI: 10.17223/00213411/64/5/3
75 Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiО2-Al2O3 / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 7. С. 96‒102. DOI: 10.17223/00213411/64/7/96
76 An Experimental Study of the Dynamic Resistance in Surface Leakage Limited nBn Structures Based on HgCdTe Grown by Molecular Beam Epitaxy / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S. A. [et al] // Journal of Electronic Materials. 2021. Vol. 50, № 8. P. 4599‒4605. DOI: 10.1007/s11664-021-09001-8
77 Aдмиттанс МДП-структур на основе nBn-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3−5 µm / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 12. С. 34‒37. DOI: 10.21883/PJTF.2021.12.51065.18760
78 Униполярные nBn-структуры и детекторы на основе HgCdTe / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXV Международного симпозиума, 9-12 марта 2021 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: Издательство Нижегородского университета, 2021. С. 603‒604.
79 Адмиттанс МДП-приборов на основе теллурида кадмия ртути с одиночными квантовыми ямами теллурида ртути в активной области / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. [и др.] // X Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2021. С. 233‒234.
80 Темновые токи бариодных структур на основе теллурида кадмия ртути для средне- и длинноволновых инфракрасных детекторов / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // X Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2021. С. 215‒216.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность