Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 584
61 Unipolar barrier structures based on HgCdTe for infrared detection / Voitsekhovskii A. V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Gorn D.I. [et al] // Pulsed Lasers and Laser Applications (AMPL-2021) : abstracts of XV International Conference. Tomsk: STT, 2021. P. 112‒113.
62 Dark Currents of Unipolar Barrier Structures Based on Mercury Cadmium Telluride for Long-Wave IR Detectors / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Russian Physics Journal. 2021. Vol. 64, № 5. P. 763‒769. DOI: 10.1007/s11182-021-02390-7
63 Fluence dependence of nanosize defect layers in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films studied with TEM/HRTEM / Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Dvoretsky S.A., Izhnin I.I. [et al] // International research and practice conference «Nanotechnology and nanomaterials» (NANO-2021), 25-27 august 2021, Lviv : abstract book. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2021. P. 378.
64 Single element 2D materials and methods of their epitaxial synthesis / Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A., Dirko V.V. [et al] // International research and practice conference «Nanotechnology and nanomaterials» (NANO-2021), 25-27 august 2021, Lviv : abstract book. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2021. P. 43.
65 Electrical properties of optimized nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Izhnin I.I. [et al] // International research and practice conference «Nanotechnology and nanomaterials» (NANO-2021), 25-27 august 2021, Lviv : abstract book. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2021. P. 44.
66 Темновые токи униполярных барьерных структур на основе теллурида кадмия и ртути для длинноволновых инфракрасных детекторов / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 5. С. 3‒8. DOI: 10.17223/00213411/64/5/3
67 Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiО2-Al2O3 / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 7. С. 96‒102. DOI: 10.17223/00213411/64/7/96
68 An Experimental Study of the Dynamic Resistance in Surface Leakage Limited nBn Structures Based on HgCdTe Grown by Molecular Beam Epitaxy / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S. A. [et al] // Journal of Electronic Materials. 2021. Vol. 50, № 8. P. 4599‒4605. DOI: 10.1007/s11664-021-09001-8
69 Aдмиттанс МДП-структур на основе nBn-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3−5 µm / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 12. С. 34‒37. DOI: 10.21883/PJTF.2021.12.51065.18760
70 Униполярные nBn-структуры и детекторы на основе HgCdTe / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXV Международного симпозиума, 9-12 марта 2021 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: Издательство Нижегородского университета, 2021. С. 603‒604.
71 Адмиттанс МДП-приборов на основе теллурида кадмия ртути с одиночными квантовыми ямами теллурида ртути в активной области / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. [и др.] // X Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2021. С. 233‒234.
72 Темновые токи бариодных структур на основе теллурида кадмия ртути для средне- и длинноволновых инфракрасных детекторов / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // X Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2021. С. 215‒216.
73 Influence of As+ Ion Implantation on Properties of MBE HgCdTe Near-Surface Layer Characterized by Metal–Insulator–Semiconductor Techniques / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Journal of Electronic Materials. 2021. Vol. 50, № 4. P. 2323‒2330. DOI: 10.1007/s11664-021-08752-8
74 Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 4. С. 33‒35. DOI: 10.21883/PJTF.2021.04.50643.18605
75 Analysis of carrier species in arsenic-implanted p- and n-type Hg0.7Cd0.3Te / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V, Korotaev A.G., Dvoretsky S.A. [et al] // Infrared Physics and Technology. 2021. Vol. 114. P. 103665-1‒103665-7. DOI: 10.1016/j.infrared.2021.103665
76 Accumulation of Arsenic Implantation-Induced Donor Defects in Hg0.7Cd0.3Te Heteroepitaxial Structures / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V, Korotaev A.G., Dvoretsky S.A. [et al] // Journal of Electronic Materials. 2021. Vol. 50, № 6. P. 3714‒3721. DOI: 10.1007/s11664-021-08877-w
77 The Effect of As+ Ion Implantation and Annealing on the Electrical Properties of Near-Surface Layers in Graded-Gap n-Hg0.78Cd0.22Te Films / Voitsekhovskii A.V, Nesmelov S.N., Dziadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Technical Physics Letters. 2021. Vol. 47, № 2. P. 189‒192. DOI: 10.1134/S1063785021020309
78 Investigation of the Differential Resistance of MIS Structures Based on n-Hg0.78Cd0.22Te with Near-Surface Graded-Gap Layers / Voitsekhovskii A.V, Nesmelov S.N., Dziadukh S.M., Dvoretsky S. A. [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2021. Vol. 66, № 3. P. 337‒339. DOI: 10.1134/S1064226921030219
79 Коханенко А.П., Лозовой К.А., Дирко В.В., Войцеховский А.В. Рост наноструктур по механизму Фольмера–Вебера //Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (АППН-2020), 14-16 декабря 2020, Новосибирск : интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск: Дигит Про, 2020. С. 38-39.
80 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М. Электрофизические свойства МДП-структур на основе пентацена в широком диапазоне температур //Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (АППН-2020), 14-16 декабря 2020, Новосибирск : интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск: Дигит Про, 2020. С. 19-20.