ТГУ ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 628
621 Войцеховский А.В., Войцеховская О.К., Каширский Д.Е., Суслова И.С. Моделирование определения термодинамических параметров высокотемпературного газового объема пассивным дистанционным методом //Оптический журнал. 2010. Т. 77, № 9. С. 37-44.
622 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M., Varavin V.S., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G., Yakushev M.V. Influence of near-surface graded-gap layers on electrical characteristics of MIS-structures based on MBE grown HgCdTe //Opto-Electronics Review. 2010. Vol. 18, № 3. P. 259-262.
623 Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе материала кадмий-ртуть-теллур, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В. [и др.] // Прикладная физика. 2010. № 3. С. 119‒123.
624 Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Пчеляков О.П., Никифоров А.И. Эффективность преобразования солнечной энергии солнечным элементом на основе Si с квантовыми точками Ge // Прикладная физика. 2010. № 2. С. 96‒102.
625 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Васильев В.В., Якушев М.В. Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенными in situ CdTe в качестве диэлектрика //Известия вузов. Физика. 2010. Т. 53, № 2. С. 40-45.
626 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А. Тенденция развития инфракрасных детекторов с квантовыми точками //Нано- и микросистемная техника. 2010. № 3. С. 44-50.
627 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А. Детекторы с квантовыми точками Ge/Si для инфракрасного диапазона //Нано- и микросистемная техника. 2010. № 4. С. 39-44.
628 Скрыльников А.А., Войцеховский А.В. Расчет и оптимизация параметров устройств на поверхностных акустических волнах. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2010. 56 с.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность