Войцеховский Александр Васильевич
Публикации
Общее число записей - 592
41 | Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G. Discrete mobility-spectrum analysis and its application to transport studies in HgCdTe // Journal of Applied Physics. 2022. Vol. 132, № 15. Art. num. 155702. DOI: 10.1063/5.0097418 |
|
|
42 | Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, Д.И. Горн [и др.] // XV Российская конференция по физике полупроводников, 3-7 октября 2022 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Нижний Новгород: Изд-во ИПФ РАН, 2022. С. 343. |
|
|
43 | Лозовой К.А., Дирко В.В., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Анализ сверхструктурных переходов при низкотемпературном росте наноструктур в системе Ge/S // XV Российская конференция по физике полупроводников, 3-7 октября 2022 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Нижний Новгород: Изд-во ИПФ РАН, 2022. С. 73. |
|
|
44 | Моделирование эпитаксиального формирования двумерных и нульмерных структур кремния и германия с учетом изменения зависимости их параметров от толщины / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, В.П. Винарский, А.П. Коханенко [и др.] // Кремний 2022 : тезисы докладов XIV Международной конференции и XIII Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 26-30 сентября 2022 г., Новосибирск. Москва: Перо, 2022. С. 118. DOI: 10.34077/SILICON2022-118 |
|
|
45 | Исследования сверхструктурных переходов при эпитакcиальном росте Ge/Si и GeSi/Si / В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.П. Коханенко, К.А. Лозовой [и др.] // Кремний 2022 : тезисы докладов XIV Международной конференции и XIII Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 26-30 сентября 2022 г., Новосибирск. Москва: Перо, 2022. С. 58. DOI: 10.34077/SILICON2022-58 |
|
|
46 | Соснин Э.А., Пойзнер Б.Н. Осмысленная научная деятельность: диссертанту о жизни знаний, защищаемых в форме положений / под ред.: А.В. Войцеховского. Доп. вып. М.: РИОР: ИНФРА-М, 2022. 148 с. |
|
|
47 | Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д. Определение параметров многочастичного состава носителей заряда в CdHgTe. I. Обзор методов анализа спектров подвижности // Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 9. С. 106‒121. DOI: 10.17223/00213411/65/9/106 |
|
|
48 | Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ n-HgCdTe в конфигурации NBvN методом спектроскопии адмиттанса / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Прикладная физика. 2022. № 4. С. 40‒45. DOI: 10.51368/1996-0948-2022-4-40-45 |
|
|
49 | Экспериментальное исследование барьерных NBvN-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR и LWIR спектральных областях / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Прикладная физика. 2022. № 3. С. 37‒42. DOI: 10.51368/1996-0948-2022-3-37-42 |
|
|
50 | Single-Element 2D Materials beyond Graphene: Methods of Epitaxial Synthesis / K.A. Lozovoy, A.P. Kokhanenko, V.V. Dirko, V.P. Vinarskiy [et al] // Nanomaterials. 2022. Vol. 12, № 13. Art. num. 2221. DOI: 10.3390/nano12132221 |
|
|
51 | Темновые токи униполярных NbνN структур на основе HgCdTe / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVI Международного симпозиума, 14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород : 2 т. Т. 2. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского университета, 2022. С. 720‒721. |
|
|
52 | Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками / А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский, К.А. Лозовой, Р.М. Духан [и др.] // XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022, Москва : тезисы докладов. Москва: АО "НПО Орион", 2022. С. 287‒289. DOI: 10.51368/978-5-7164-1173-9-2022-287 |
|
|
53 | Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ N-HgCdTe в конфигурации nBνN методом спектроскопии адмиттанса / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Дворецкий С.А. [и др.] // XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022, Москва : тезисы докладов. Москва: АО "НПО Орион", 2022. С. 252‒254. DOI: 10.51368/978-5-7164-1173-9-2022-252 |
|
|
54 | Экспериментальное исследование барьерных nBνN-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR и LWIR спектральных областях / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Дворецкий С.А. [и др.] // XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022, Москва : тезисы докладов. Москва: АО "НПО Орион", 2022. С. 249‒251. DOI: 10.51368/978-5-7164-1173-9-2022-249 |
|
|
55 | Diffusion Limitation of Dark Current in the nBn Structures Based on the MBE HgCdTe / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretskii S.A. [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2022. Vol. 67, № 3. P. 308‒312. DOI: 10.1134/S1064226922030172 |
|
|
56 | Dirko V.V., Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskii A.V. High-resolution RHEED analysis of dynamics of low-temperature superstructure transitions in Ge/Si(001) epitaxial system // Nanotechnology. 2022. Vol. 33, № 11. P. 115603-1‒115603-8. DOI: 10.1088/1361-6528/ac3f56 |
|
|
57 | Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe / A.V. Voitsekhovsky, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh, S.A. Dvoretsky [et al] // Applied Nanoscience. 2022. Vol. 12, № 3. P. 403‒409. DOI: 10.1007/s13204-020-01636-z |
|
|
58 | Nano-scale structural studies of defects in arsenic-implanted n and p-type HgCdTe flms / A.V. Voitsekhovsky, A.G. Korotaev, I.I. Izhnin, K.D. Mynbaev [et al] // Applied Nanoscience. 2022. Vol. 12, № 3. P. 395‒401. DOI: 10.1007/s13204-021-01704-y |
|
|
59 | Single-photon avalanche diode detectors based on group IV materials / K.A. Lozovoy, A.P. Kokhanenko, K.I. Khomyakova, R.M.H. Douhan [et al] // Applied Nanoscience. 2022. Vol. 12, № 3. P. 253‒263. DOI: 10.1007/s13204-021-01667-0 |
|
|
60 | Admittance of pentacene-based MIS-structures with two-layer insulator SiO2-Al2O3 / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Kopylova T.N. [et al] // Russian Physics Journal. 2021. Vol. 64, № 7. P. 1281‒1288. DOI: 10.1007/s11182-021-02454-8 |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность