Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 584
41 Экспериментальное исследование барьерных NBvN-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR и LWIR спектральных областях / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Прикладная физика. 2022. № 3. С. 37‒42. DOI: 10.51368/1996-0948-2022-3-37-42
42 Single-Element 2D Materials beyond Graphene: Methods of Epitaxial Synthesis / Lozovoy K. A., Kokhanenko A.P., Dirko V.V., Vinarskiy V.P. [et al] // Nanomaterials. 2022. Vol. 12, № 13. P. 2221-1‒2221-21. DOI: 10.3390/nano12132221
43 Темновые токи униполярных NbνN структур на основе HgCdTe / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVI Международного симпозиума, 14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород : 2 т. Т. 2. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского университета, 2022. С. 720‒721.
44 Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками / А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский, К.А. Лозовой, Р.М. Духан [и др.] // XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022, Москва : тезисы докладов. Москва: АО "НПО Орион", 2022. С. 287‒289. DOI: 10.51368/978-5-7164-1173-9-2022-287
45 Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ N-HgCdTe в конфигурации nBνN методом спектроскопии адмиттанса / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Дворецкий С.А. [и др.] // XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022, Москва : тезисы докладов. Москва: АО "НПО Орион", 2022. С. 252‒254. DOI: 10.51368/978-5-7164-1173-9-2022-252
46 Экспериментальное исследование барьерных nBνN-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR и LWIR спектральных областях / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Дворецкий С.А. [и др.] // XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022, Москва : тезисы докладов. Москва: АО "НПО Орион", 2022. С. 249‒251. DOI: 10.51368/978-5-7164-1173-9-2022-249
47 Diffusion Limitation of Dark Current in the nBn Structures Based on the MBE HgCdTe / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretskii S.A. [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2022. Vol. 67, № 3. P. 308‒312. DOI: 10.1134/S1064226922030172
48 Dirko V.V., Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskii A.V. High-resolution RHEED analysis of dynamics of low-temperature superstructure transitions in Ge/Si(001) epitaxial system // Nanotechnology. 2022. Vol. 33, № 11. P. 115603-1—115603-8. DOI: 10.1088/1361-6528/ac3f56
49 Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe / A.V. Voitsekhovsky, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh, S.A. Dvoretsky [et al] // Applied Nanoscience. 2022. Vol. 12, № 3. P. 403‒409. DOI: 10.1007/s13204-020-01636-z
50 Nano-scale structural studies of defects in arsenic-implanted n and p-type HgCdTe flms / A.V. Voitsekhovsky, A.G. Korotaev, I.I. Izhnin, K.D. Mynbaev [et al] // Applied Nanoscience. 2022. Vol. 12, № 3. P. 395‒401. DOI: 10.1007/s13204-021-01704-y
51 Single-photon avalanche diode detectors based on group IV materials / K.A. Lozovoy, A.P. Kokhanenko, K.I. Khomyakova, R.M.H. Douhan [et al] // Applied Nanoscience. 2022. Vol. 12, № 3. P. 253‒263. DOI: 10.1007/s13204-021-01667-0
52 Admittance of pentacene-based MIS-structures with two-layer insulator SiO2-Al2O3 / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Kopylova T.N. [et al] // Russian Physics Journal. 2021. Vol. 64, № 7. P. 1281‒1288. DOI: 10.1007/s11182-021-02454-8
53 Unipolar Semiconductor Barrier Structures for Infrared Photodetector Arrays (Review) / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Gorn D.I. [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2021. Vol. 66, № 9. P. 1084‒1091. DOI: 10.1134/S1064226921090035
54 Admittance of MIS Structures Based on nBn Systems of Epitaxial HgCdTe for Detection in the 3–5 μm Spectral Range / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretskii S.A. [et al] // Technical Physics Letters. 2021. Vol. 47, № 6. P. 616‒619. DOI: 10.1134/S1063785021060286
55 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М. Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3 //Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2021. С. 147.
56 Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках Cd0.3Hg0.7Te: накопление и отжиг / Коротаев А.Г., Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Дворецкий С.А. [и др.] // Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2021. С. 140. DOI: 10.34077/RCSP2021-140
57 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Григорьев Д.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Электрические характеристики MWIR и LWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe //Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2021. С. 136.
58 Лозовой К.А., Дирко В.В., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Моделирование особенностей эпитаксиального формирования 2D- и 3D-островков с учетом изменения физических параметров двумерных пленок с толщиной //Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2021. С. 64.
59 Лозовой К.А., Дирко В.В., Винарский В.П., Коханенко А.П., Войцеховский А.В., Акименко Н.Ю. Двумерные материалы на основе элементов группы IVA: последние достижения в эпитаксиальных методах синтеза //Известия вузов. Физика. 2021. Т. 64, № 9. С. 3-10.
60 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. Униполярные барьерные детекторы коротковолновой области инфракрасного диапазона / науч. ред.: Войцеховский А.В. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2021. 122 с.