Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 584
561 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Григорьев Д.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А. Влияние облучения на характеристики фотодетекторов HgCdTe //Нано- и микросистемная техника. 2010. № 9. С. 48-52.
562 Gorn D.I., Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I. Investigation of photoluminescence spectra in CdHgTe quantum wells //Известия вузов. Физика. 2010. Vol. 53, № 9/3. P. 321-322.
563 Турапин А.М., Коханенко А.П., Войцеховский А.В., Торопов Н.А., Лозовой К.А., Никифоров А.И. Исследование оптических и фотоэлектрических характеристик Ge/Si наногетероструктур и солнечных элементов на их основе //Известия вузов. Физика. 2010. Т. 53, № 9/3. С. 171-172.
564 Торопов Н.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В., Никифоров А.И., Бармин Н.Н. Исследование состояния поверхности Si при молекулярно-лучевой эпитаксии наноостровков Ge методом регистрирующей дифрактометрии //Известия вузов. Физика. 2010. Т. 53, № 9/3. С. 167-168.
565 Торопов Н.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В., Никифоров А.И., Новиков В.А., Турапин А.М. Анализ морфологии поверхности МЛЭ наноструктур Si (100) с квантовыми точками Ge методами сканирующей зондовой микроскопии //Известия вузов. Физика. 2010. Т. 53, № 9/3. С. 165-166.
566 Войцеховская О.К., Войцеховский А.В., Каширский Д.Е., Суслова И.С. Определение термодинамических параметров высокотемпературного газового объема с помощью аппроксимации излучательных характеристик функциональной зависимостью от температуры и парциального давления газа //Известия вузов. Физика. 2010. Т. 53, № 9/3. С. 161-162.
567 Войцеховская О.К., Войцеховский А.В., Каширский Д.Е. Программное обеспечение моделирования дистанционного мониторинга термодинамически неоднородных газово-аэрозольных сред //Известия вузов. Физика. 2010. Т. 53, № 9/3. С. 157-158.
568 Войцеховский А.В., Каширский Д.Е., Скрыльников А.А. Расчет оптических характеристик фотодетектора с распределёнными брэгговскими отражателями //Известия вузов. Физика. 2010. Т. 53, № 9/3. С. 151-152.
569 Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Марфин Е.Ю., Никифоров А.И., Пчеляков О.П. Моделирование фотопреобразователя на основе кремния с квантовыми точками германия //Известия вузов. Физика. 2010. Т. 53, № 9/3. С. 143-144.
570 Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г. Анализ эффективности преобразования солнечной энергии полупроводниковых структур СdТe/СdНgТe с варизонным слоем в фотопоглощающей области //Известия вузов. Физика. 2010. Т. 53, № 9/3. С. 141-142.
571 Горн Д.И., Войцеховский А.В., Ижнин И.И. Анализ спектра фотолюминесценции структуры КРТ с одиночной квантовой ямой //Известия вузов. Физика. 2010. Т. 53, № 9/3. С. 139-140.
572 Дзядух С.М., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н. Исследование свойств границ раздела варизонного HgCdTe МЛЭ с различными диэлектриками //Известия вузов. Физика. 2010. Т. 53, № 9/3. С. 135-136.
573 Дзядух С.М., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н. Влияние приповерхностных слоев с повышенным составом на электрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ //Известия вузов. Физика. 2010. Т. 53, № 9/3. С. 133-134.
574 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Григорьев Д.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А. Влияние облучения на характеристики приборов с накоплением заряда //Нано- и микросистемная техника. 2010. № 7. С. 32-37.
575 Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I., Nesmelov S.N., Koxanenko A.P. Energy-band diagrams and capacity-voltage characteristics of CdxHg1-xTe-based variband structures calculated with taking into account dependence of electron affinity on a composition //Opto-Electronics Review. 2010. Vol. 18, № 3. P. 241-245.
576 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M., Varavin V.S., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G., Yakushev M.V. Capacitance-voltage characteristics of MIS-structures on the basis of graded-band MBE Hg1-xCdxTe at passivation by epitaxially grown in situ CdTe //Opto-Electronics Review. 2010. Vol. 18, № 3. P. 263-266.
577 Войцеховский А.В., Войцеховская О.К., Каширский Д.Е., Суслова И.С. Моделирование определения термодинамических параметров высокотемпературного газового объема пассивным дистанционным методом //Оптический журнал. 2010. Т. 77, № 9. С. 37-44.
578 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M., Varavin V.S., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G., Yakushev M.V. Influence of near-surface graded-gap layers on electrical characteristics of MIS-structures based on MBE grown HgCdTe //Opto-Electronics Review. 2010. Vol. 18, № 3. P. 259-262.
579 Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе материала кадмий-ртуть-теллур, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В. [и др.] // Прикладная физика. 2010. № 3. С. 119‒123.
580 Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Пчеляков О.П., Никифоров А.И. Эффективность преобразования солнечной энергии солнечным элементом на основе Si с квантовыми точками Ge // Прикладная физика. 2010. № 2. С. 96‒102.