ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 624
541 Izhnin I.I., Izhnin A.I., Mynbaev K.D., Bazhenov N. L., Shilyaev A. V., Mixajlov N.N., Varavin V.S., Dvoreckij S.A., Fitsych O.I., Vojcexovskij A.V. Photoluminescence of HgCdTe nanostructures grown by molecular beam epitaxy on GaAs //Opto-Electronics Review. 2013. Vol. 21, № 4. P. 390-394.
542 Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Войцеховский А.В., Сизов А.Л., Средин В.Г., Талипов Н.Х., Шульга С.А. Исследование воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на свойства поверхности гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1–хTe //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 8. С. 29-36.
543 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ //Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 4. С. 493-499.
544 Дзядух С.М., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Горн Д.И. Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 50-56.
545 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава //Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013. № 1. С. 38-45.
546 Войцеховский А.В., Талипов Н.Х. Низкотемпературная активация ионно-имплантированных атомов бора и азота в гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 36-49.
547 The photoelectrical properties of mis structures based on heteroepitaxial n-Hg1–xCdxTe (x = 0.21–0.23) / Vojcexovskij A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M., Vasil’ev V.V. [et al] // Russian Physics Journal. 2013. Vol. 55, № 8. P. 917‒924.
548 Analysis of the photoluminescence spectra of CdxHg1–xTe heteroepitaxial structures with potential and quantum wells grown by molecular-beam epitaxy / Vojcexovskij A.V., Gorn D.I., Izhnin I.I., Izhnin A.I. [et al] // Russian Physics Journal. 2013. Vol. 55, № 8. P. 910‒916.
549 Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Длинноволновые ИК-фотоприемники и фотоприемные устройства на основе HgCdTe //Наноинженерия. 2013. № 6. С. 21-31.
550 Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коротаев А.Г., Коханенко А.П., Петерс А.С., Тарасенко В.Ф., Шулепов М.А. Влияние объемного наносекудного разряда в атмосфере воздуха, аргона и азота на электрофизические свойства узкозонных твердых растворов CdHgTe //Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 3. С. 333-337.
551 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А., Турапин А.М., Романов И.С. Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации //Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 3. С. 338-343.
552 Войцеховский А.В., Никитин М.С., Талипов Н.Х. Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe //Известия вузов. Физика. 2013. Т. 56, № 5. С. 104-109.
553 Войцеховский А.В., Скрыльников А.А. Функциональная акустоэлектроника. Издание 2-е, исправленное и дополненное. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2013. 362 с.
554 Gorn D.I., Vojcexovskij A.V., Izhnin I.I. Photoluminescence Spectra of CdxHg1-xTe Quantum-Well Heterostructures //Russian Microelectronics. 2013. Vol. 42, № 8. P. 525-528.
555 A change in the electro-physical properties of narrow-band CdHgTe solid solutions acted upon by a volume discharge induced by an avalanche electron beam in the air at atmospheric pressure / Voitsekhovskii A.V., Grigor`ev D.V., Korotaev A.G., Kokhanenko A.P. [et al] // Russian Physics Journal. 2012. Vol. 54, № 10. P. 1152‒1155.
556 Vojcexovskij A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M. Capacitance-voltage characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe with various insulators //Thin Solid Films. 2012. Vol. 522. P. 261-266.
557 Yackij A.V., Lozovoj K.A., Koxanenko A.P., Vojcexovskij A.V. Spectral characteristics of Si:Ge and Hg1-XCdXTe heterostructures //Известия вузов. Физика. 2012. Vol. 55, № 8(3). P. 269-270.
558 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Якушев М.В. Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21-0,23) //Известия вузов. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 56-62.
559 Радиационные эффекты в HgCdTe / Мельников А.А., Кульчицкий Н.А., Григорьев Д.В., Войцеховский А.В. [и др.] // Прикладная физика. 2012. № 1. С. 82‒89.
560 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Мальцев П.П. Детектирование в терагерцовом диапазоне //Нано- и микросистемная техника. 2012. № 2. С. 28-35
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность