ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 592
541 Влияние квантовых точек Ge на эффективность преобразования солнечного элемента на основе Si / Марфин Е.Ю., Никифоров А.И., Войцеховский А.В., Григорьев Д.В. [и др.] // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 121.
542 Горн Д.И., Ижнин А.И., Ижнин И.И., Войцеховский А.В. Теоретический анализ спектра фотолюминесценции гетероструктуры КРТ МЛЭ с одиночной КЯ // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 132.
543 Влияние воздействия мощного импульсного лазерного излучения на свойства поверхности гетероэпитаксиальных слоев CdхHg1-xTe / Талипов Н.Х., Сизов А.Л., Войцеховский А.В., Средин В.Г. [и др.] // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 90.
544 Турапин А.М., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Войцеховский А.В. Молекулярно-лучевая эпитаксия Ge/Si наногетероструктур с квантовыми точками // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 382.
545 Исследование влияния объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок HgCdTe / Тарасенко В.Ф., Григорьев Д.В., Войцеховский А.В., Шулепов М.А. [и др.] // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 380.
546 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В., Ижнин И.И. Сравнение результатов ионной имплантации и ионного травления варизонных эпитаксиальных структур HgCdTe // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 175.
547 Электрические и фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с неоднородным распределением состава / Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Дворецкий С.А., Варавин В.С. [и др.] // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 321.
548 Наблюдение и анализ фотолюминесценции структуры КРТ с одиночной КЯ (d = 12,5 нм, х = 0,24) / Дворецкий С.А., Ижнин А.И., Горн Д.И., Войцеховский А.В. [и др.] // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 194.
549 Наблюдение и анализ фотолюминесценции гетероструктуры CdxHg1-xTe с одиночной квантовой ямой / Войцеховский А.В., Горн Д.И., Ижнин А.И., Ижнин И.И. [и др.] // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 293‒294.
550 Горн Д.И., Войцеховский А.В., Ижнин И.И. Исследование спектров фотолюминесценции гетероструктур CdxHg1–xTe с квантовыми ямами //Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2011. № 3. С. 26-29
551 Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Войцеховский А.В., Мельников А.А. Светоизлучающие гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами //Нано- и микросистемная техника. 2011. № 5. С. 16-23.
552 Войцеховский А.В., Костюченко В.Я., Протасов Д.Ю. Влияние профиля варизонных приграничных облаcтей гетероструктур кадмий – ртуть – теллур p-типа на эффективную скорость поверхностной рекомбинации //Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54. № 7. С. 53-58
553 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А. Неохлаждаемые микроболометры на основе поликристаллического SiGe для инфракрасного диапазона //Нано- и микросистемная техника. 2011. № 2. С. 41-47
554 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А. МЭМС-детекторы инфракрасного диапазона //Нано- и микросистемная техника. 2011. № 7. С. 42-49.
555 Расчет вольт-фарадных характеристик МДП-структур на основе ГЭС HgCdTe МЛЭ с приповерхностными варизонными слоями с повышенным составом / Несмелов С.Н., Бурлаков И.Д., Селяков А.Ю., Войцеховский А.В. [и др.] // Прикладная физика. 2011. № 5. С. 80‒86.
556 Мармалюк А.А., Романов И.С., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Светодиодные структуры InGaN/GaN, изготовленные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений //Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. 2011. Т. 24, № 2. С. 151-153.
557 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А. Влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN //Нано- и микросистемная техника. 2011. № 8. С. 27-35
558 Электрические характеристики МДП-структур на основе ГЭС HgCdTe МЛЭ с неоднородным распределением состава / Сидоров Ю.Г., Несмелов С.Н., Войцеховский А.В., Варавин В.С. [и др.] // Прикладная физика. 2011. № 2. С. 116‒121.
559 Сидоров Ю.Г., Войцеховский А.В., Дворецкий С.А., Дзядух С.М., Несмелов С.Н., Михайлов Н.Н. Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0.29-0.31) с резкими неоднородностями по составу //Известия вузов. Физика. 2011. Т. 54, № 3. С. 3-9.
560 Горн Д.И., Войцеховский А.В., Ижнин И.И. Наблюдение и анализ излучения в диапазоне 2,5–6 мкм в одиночной квантовой яме Cd0,24Hg0,76Te толщиной 12,5 нм при оптической накачке //Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. 2011. Т. 24, № 2. С. 142-146.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность