Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 584
541 Наблюдение и анализ фотолюминесценции гетероструктуры CdxHg1-xTe с одиночной квантовой ямой / Войцеховский А.В., Горн Д.И., Ижнин А.И., Ижнин И.И. [и др.] // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 293‒294.
542 Горн Д.И., Войцеховский А.В., Ижнин И.И. Исследование спектров фотолюминесценции гетероструктур CdxHg1–xTe с квантовыми ямами //Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2011. № 3. С. 26-29
543 Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н., Войцеховский А.В., Мельников А.А. Светоизлучающие гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами //Нано- и микросистемная техника. 2011. № 5. С. 16-23.
544 Войцеховский А.В., Костюченко В.Я., Протасов Д.Ю. Влияние профиля варизонных приграничных облаcтей гетероструктур кадмий – ртуть – теллур p-типа на эффективную скорость поверхностной рекомбинации //Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54. № 7. С. 53-58
545 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А. Неохлаждаемые микроболометры на основе поликристаллического SiGe для инфракрасного диапазона //Нано- и микросистемная техника. 2011. № 2. С. 41-47
546 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А. МЭМС-детекторы инфракрасного диапазона //Нано- и микросистемная техника. 2011. № 7. С. 42-49.
547 Расчет вольт-фарадных характеристик МДП-структур на основе ГЭС HgCdTe МЛЭ с приповерхностными варизонными слоями с повышенным составом / Несмелов С.Н., Бурлаков И.Д., Селяков А.Ю., Войцеховский А.В. [и др.] // Прикладная физика. 2011. № 5. С. 80‒86.
548 Мармалюк А.А., Романов И.С., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Светодиодные структуры InGaN/GaN, изготовленные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений //Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. 2011. Т. 24, № 2. С. 151-153.
549 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А. Влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN //Нано- и микросистемная техника. 2011. № 8. С. 27-35
550 Электрические характеристики МДП-структур на основе ГЭС HgCdTe МЛЭ с неоднородным распределением состава / Сидоров Ю.Г., Несмелов С.Н., Войцеховский А.В., Варавин В.С. [и др.] // Прикладная физика. 2011. № 2. С. 116‒121.
551 Сидоров Ю.Г., Войцеховский А.В., Дворецкий С.А., Дзядух С.М., Несмелов С.Н., Михайлов Н.Н. Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0.29-0.31) с резкими неоднородностями по составу //Известия вузов. Физика. 2011. Т. 54, № 3. С. 3-9.
552 Горн Д.И., Войцеховский А.В., Ижнин И.И. Наблюдение и анализ излучения в диапазоне 2,5–6 мкм в одиночной квантовой яме Cd0,24Hg0,76Te толщиной 12,5 нм при оптической накачке //Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. 2011. Т. 24, № 2. С. 142-146.
553 Shulga S. A., Sredin V. G., Voitsekhovskii A.V., Talipov N.Kh. Model representation of the transmission of high-power pulsed laser IR radiation in the fundamental absorption region in CdxHgl-xTe epitaxial layers // Russian Physics Journal. 2011. Vol. 53, № 9. P. 936‒942.
554 The electrical characteristics of MBE n-Hg1–x Cd x Te (x = 0.29–0.31) MIS structures with sharp inhomogeneities in composition / Dzyadukh S. M., Sidorov Yu.G., Voitsekhovskii A.V., Dvoretsky S.A. [et al] // Russian Physics Journal. 2011. Vol. 54, № 3. P. 263‒270.
555 Шулепов М.А., Коротаев А.Г., Григорьев Д.В., Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Тарасенко В.Ф. Изменение электрофизических свойств узкозонных твердых растворов CdHgTe под воздействием объемного разряда, инициируемого пучком электронов лавин в воздухе атмосферного давления //Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54. № 10. С. 88-90
556 Pociask-Bialy M., Izhnin I.I., Dvoretsky S.A., Sidorov Yu.G., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Talipov N.H., Mynbaev K.D., Voitsekhovskii A. V. Ion milling-induced conductivity-type conversion in p-type HgCdTe MBE-grown films with graded-gap surface layers //Semiconductor Science and Technology. 2010. Vol. 25, № 6. P. 065012-1-065012-5.
557 Исследование электрофизических свойств МДП-структур на основе ГЭС КРТ МЛЭ / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В. [и др.] // Прикладная физика. 2010. № 6. С. 95‒99.
558 Горн Д.И., Войцеховский А.В., Ижнин И.И. Спектры излучения гетероструктур КРТ с одиночной квантовой ямой в диапазоне 3-6 мкм при оптической накачке //Известия вузов. Физика. 2010. Т. 53, № 9/3. С. 137-138.
559 Войцеховский А.В., Шульга С.А., Средин В.Г., Талипов Н.Х. Модельное представление пропускания мощного импульсного лазерного ИК-излучения в области фундаментального поглощения в эпитаксиальных слоях CdxHgl-xTe //Известия вузов. Физика. 2010. Т. 53, № 9. С. 54-58.
560 Пчеляков О.П., Двуреченский А.В., Никифоров А.И., Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П. Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике //Известия вузов. Физика. 2010. Т. 53, № 9. С. 59-64.