ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 592
21 Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Прикладная физика. 2023. № 4. С. 78‒86. DOI: 10.51368/1996-0948-2023-4-78-86
22 Определение электрофизических свойств МДП на основе nB(SL)n-структуры из HgCdTe в широком температурном диапазоне / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Прикладная физика. 2023. № 5. С. 75‒83. DOI: 10.51368/1996-0948-2023-5-75-83
23 Численное моделирование униполярных барьерных фоточувствительных структур на основе МЛЭ n-HgCdTe / А.В. Войцеховский, Д.В. Григорьев, С.М. Дзядух, Д.И. Горн [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 9. С. 5‒16. DOI: 10.17223/00213411/66/9/1
24 Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 143. DOI: 10.34077/RCSP2023-143
25 Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов / Н.Н. Михайлов, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, Варавин В.С. [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 85. DOI: 10.34077/RCSP2023-85
26 Двумерные материалы на основе элементов групп VA и VIA: методы получения и перспективы использования. / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, А.П. Коханенко, О.И. Кукенов [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 8. С. 80‒90. DOI: 10.17223/00213411/66/8/10
27 Двумерные материалы на основе элементов группы IIIA: развитие эпитаксиальных методов синтеза / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, А.П. Коханенко, О.И. Кукенов [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 7. С. 41‒50. DOI: 10.17223/00213411/66/7/5
28 Comprehensive experimental study of NBνN barrier structures based on n-HgCdTe MBE for detection in MWIR and LWIR spectra / A.V. Voitsekhovskii, S.M. Dzyadukh, D.I. Gorn, S.A. Dvoretsky [et al] // Physica Scripta. 2023. Vol. 98, № 6. Art. num. 065907. DOI: 10.1088/1402-4896/accf44
29 Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.П. Мелехов [и др.] // IX Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023. С. 43.
30 Рост nBn-структур на основе твердых растворов СdHgTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов / А.В. Войцеховский, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 685‒686.
31 Experimental Study of NBνN Barrier Structures Based on MBE n-HgCdTe for MWIR and LWIR Photodetectors / A.V. Voitsekhovskii, S.M. Dzyadukh, D.I. Gorn, S.A. Dvoretskii [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2023. Vol. 68, № 3. P. 334‒337. DOI: 10.1134/S1064226923030208
32 Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541.
33 Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305.
34 Ch. 6. II-VI Semiconductor-Based Unipolar Barrier Structures for Infrared Photodetector Arrays / A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh, D.I. Gorn [et al] // Handbook of II-VI Semiconductor-Based Sensors and Radiation Detectors. Cham: Springer, 2023. P. 135‒154.
35 Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D. Determination of the Parameters of Multi-Carrier Spectrum in CdHgTe. II. Discrete Mobility Spectrum Analysis // Russian Physics Journal. 2023. Vol. 65, № 10. P. 1716‒1731. DOI: 10.1007/s11182-023-02822-6
36 Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D. Determination of the Parameters of Multi-Carrier Spectrum in CdHgTe. I. A Review of Mobility Spectrum Analysis Methods // Russian Physics Journal. 2023. Vol. 65, № 9. P. 1538‒1554. DOI: 10.1007/s11182-023-02799-2
37 Peculiarities of the 7×7 to 5×5 Superstructure Transition during Epitaxial Growth of Germanium on Silicon (111) Surface / V.V. Dirko, K.A. Lozovoy, A.P. Kokhanenko, O.I. Kukenov [et al] // Nanomaterials. 2023. Vol. 13, № 2. Art. num. 231. DOI: 10.3390/nano13020231
38 Two-Dimensional Materials of Group IVA: Latest Advances in Epitaxial Methods of Growth / K.A. Lozovoy, V.V. Dirko, V.P. Vinarskiy, A.P. Kokhanenko [et al] // Russian Physics Journal. 2022. Vol. 64, № 9. P. 1583‒1591. DOI: 10.1007/s11182-022-02495-7
39 Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д. Определение параметров многочастичного состава носителей заряда в CdHgTe. II. Дискретный анализ спектров подвижности // Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 10. С. 98‒113. DOI: 10.17223/00213411/65/10/98
40 Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками / А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский, К.А. Лозовой, Р.М. Духан [и др.] // Прикладная физика. 2022. № 5. С. 42‒48. DOI: 10.51368/1996-0948-2022-5-42-48
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность