ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 597
321 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю. Влияние варизонного слоя на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) с диэлектриком Al2O3 //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 435-439.
322 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю. Свойства границы раздела в МДП-структурах на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0.29-0.39) с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3 //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 430-435.
323 Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н. Инфракрасные МЭМС микроболометры //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 426-430.
324 Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н. Инфракрасные детекторы на основе МЭМС микрокантилеверов //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 422-426.
325 Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коротаев А.Г., Коханенко А.П., Ижнин И.И., Савицкий Г.В., Бончик А.Ю., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации бора в эпитаксиальные пленки Hg1-xCdxTe различного состава //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 419-421.
326 Войцеховский А.В., Горн Д.И. Анализ барьерных структур типа nBn для фотодиодных примников ИК-излучения //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 408-412.
327 Ижнин И.И., Фицич Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Ozga P, Swiatek Z. Дефектная структура имплантированных As МЛЭ пленок CdHgTe //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 80-82.
328 Средин В.Г., Войцеховский А.В., Ананьин О.Б., Мелехов А.П., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Сидоров Г.Ю. Избирательное действие мягкого рентгеновского излучения на поверхностные свойства твердых растворов CdxHg1-xTe //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 91-94.
329 Радиационное дефектообразование при ионной имплантации бора в эпитаксиальные пленки Hg1-xCdxTe различного состава / А.В. Войцеховский, Д.В. Григорьев, А.П. Коханенко, А.Г. Коротаев [и др.] // Прикладная физика. 2016. № 5. С. 27‒31.
330 Свойства границы раздела в МДП-структурах на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0,29-0,39) с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3 / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, В.В. Васильев [и др.] // Прикладная физика. 2016. № 5. С. 22‒26.
331 A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh. Temperature and Field Dependences of Parameters of the Equivalent Circuit Elements of MIS Structures Based on MBE n-Hg0.775Cd0.225Te in the Strong Inversion Mode // Russian Physics Journal. 2016. Vol. 59, № 7. P. 920‒933. DOI: 10.1007/s11182-016-0855-z
332 A.V. Voitsekhovskii, D.I. Gorn, I.I. Izhnin, A.I. Izhnin. Photoluminescence spectra of HgCdTe structures with single quantum wells //Journal of Optical Technology. 2016. Vol. 83, № 4. P. 206-212.
333 Electrical and Optical Studies of Defect Structure of HgCdTe Films Grown by Molecular Beam Epitaxy / Z. Świątek, P. Ozga, I.I. Izhnin, E.I. Fitsych [et al] // Russian Physics Journal. 2016. Vol. 59, № 3. P. 442‒445. DOI: 10.1007/s11182-016-0792-x
334 Влияние варизонного слоя на адмиттанс МДП-структур с диэлектриком Al2O3 на основе n-Hg1-xCdxTe (x = 0, 22-0,23) / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, В.В. Васильев [и др.] // Прикладная физика. 2016. № 4. С. 58‒62.
335 А.В. Войцеховский, Д.И. Горн. Анализ барьерных структур типа nBn для фотодиодных примников ИК-излучения // Прикладная физика. 2016. № 4. С. 83‒86.
336 D V Lyapunov, A A Pishchagin, D V Grigoryev, A G Korotaev, A V Voitsekhovskii, A P Kokhanenko, I I Iznin, H V Savytskyy, A U Bonchik, S A Dvoretskii, N N Mikhailov. Effect of a boron implantation on the electrical properties of epitaxial HgCdTe with different material composition //Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 741. P. 012097-1-012097-5.
337 K A Lozovoy, A A Pishchagin, A P Kokhanenko, A V Voitsekhovskii. Elongated Quantum Dots of Ge on Si Growth Kinetics Modeling with Respect to the Additional Energy of Edges //Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 741. P. 012019-1-012019-4.
338 A A Pishchagin, A V Voitsekhovskii, A P Kokhanenko, V Yu Serokhvostov, S M Dzyadukh, A I Nikiforov. Admittance spectroscopy of Ge/Si p-i-n structures with Ge quantum dots //Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 741. P. 012015-1-012015-5.
339 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В. О релаксации сопротивления фоторезисторов на основе Cd0,29Hg0,71Те при воздействии импульсного лазерного ИК-излучения в подпороговом режиме //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 75-79.
340 I.I. Izhnin, E.I. Fitsych, A A Pishchagin, A.V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenko, V.Yu. Serokhvostov, S.M. Dzyadukh, A.I. Nikiforov. Temperature spectra of conductance of Ge/Si p-i-n structures with Ge quantum dots //The International research and practice conference «Nanotechnology and nanomaterials» (NANO-2016). Abstract book of participants of the International Summer School and International research and practice conference, 24-26 Auqust 2016. Lviv: Eurosvit, 2016. P. 387.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность