ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 605
301 A.V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenko, K.A. Lozovoy, et al. Advances in Nanotechnology. Vol.17. Ch. 6 : Photoconverters based on nanohet-erostructures with quantum dots of germanium on silicon. New York: Nova Science Publishers, Inc., 2017. 225 p.
302 A.V. Voitsekhovskii, D.I. Gorn. Analysis of the nBn-type Barrier Structures for Infrared Photodiode Detectors // Journal of Communications Technology and Electronics. 2017. Vol. 62, № 3. P. 314‒316. DOI: 10.1134/S1064226917030214
303 А.В. Войцеховский, Н.А. Кульчицкий, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух. Влияние освещения на адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe // VI Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сб. науч. тр. М., 2017. С. 380‒381.
304 А.В. Войцеховский, Н.А. Кульчицкий, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух. МДП-структуры на основе варизонного МЛЭ HgCdTe для инфракрасных детекторов // VI Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сб. науч. тр. М., 2017. С. 378‒379.
305 А.В. Войцеховский, Н.А. Кульчицкий, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух. Адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) в широком диапазоне температур // Успехи прикладной физики. 2017. Т. 5, № 1. С. 54‒62.
306 Optical and electrical studies of arsenic-implanted HgCdTe films grown with molecular beam epitaxy on GaAs and Si substrates / I.I. Izhnin, A.V. Voitsekhovsky, A.G. Korotaev, О.I. Fitsych [et al] // Infrared Physics and Technology. 2017. Vol. 81. P. 52‒58. DOI: 10.1016/j.infrared.2016.12.006
307 Temperature spectra of conductance of Ge/Si p-i-n structures with Ge quantum dots / Igor I. Izhnin, Olena I. Fitsych, Anton A. Pishchagin, Andrey P. Kokhanenko [et al] // Nanoscale Research Letters. 2017. Vol. 12. P. 131-1‒131-5. DOI: 10.1186/s11671-017-1916-0
308 Properties of arsenic-implanted Hg1-xCdxTe MBE films / Igor I. Izhnin, Alexander V. Voitsekhovskii, Alexandr G. Korotaev, Olena I. Fitsych [et al] // EPJ Web of Conferences. 2017. Vol. 133. P. 01001-1‒01001-4. DOI: 10.1051/epjconf/201713301001
309 Influence of infrared radiation on the electrical characteristics of the surface-barrier nanostructures based on MBE HgCdTe / Ihor Izhnin, Alexander Voitsekhovskii, Sergey Nesmelov, Stanislav Dzyadukh [et al] // EPJ Web of Conferences. 2017. Vol. 133. P. 02001-1‒02001-4. DOI: 10.1051/epjconf/201713302001
310 А.В. Войцеховский, Н.А. Кульчицкий, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух. Влияние приповерхностных варизонных слоев на адмиттанс МДП-структур на основе молекулярно-лучевой эпитаксии n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21...0,23) в диапазоне температур 9...77 К // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19, № 1. С. 3‒20. DOI: 10.17587/nmst.19.3-20
311 A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh. Admittance measurements in the temperature range (8-77) K for characterization of MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with and without graded-gap layers // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2017. Vol. 102. P. 42‒48. DOI: 10.1016/j.jpcs.2016.10.015
312 А.А. Pishchagin, K.A. Lozovoy, V.Yu. Serokhvostov, A. P. Kokhanenko, A.V. Voitsekhovskii, A.I. Nikiforov. Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectrosсору methods //Actual problems of radiophysics : proceedings of the VI International cоnfеrеnсе "APR-2015". Tomsk, 2016. P. 45-48.
313 A.V. Barko, A.V. Voitsekhovskii, A.G. Levashkin, A. P. Kokhanenko. Calculation of parameters of detectors of terahertz range based on the system immersion lens-planar antenna-semiconductor sensing unit //Actual problems of radiophysics : proceedings of the VI International cоnfеrеnсе "APR-2015". Tomsk, 2016. P. 9-11.
314 А.В. Войцеховский, А.П. Коханенко, К.А. Лозовой. Темновой ток и обнаружительная способность фотоприемников с квантовыми точками германия на кремнии // Прикладная физика. 2016. № 6. С. 42‒48.
315 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного теллурида кадмия и ртути, ыращенного методом МЛЭ на альтернативных подложках //От конвергенции наук к природоподобным технологиям. Первый Российский кристаллографический конгресс: Сборник тезисов. 21-26 ноября 2016. Москва, 2016. С. 396.
316 О.І.Фіцич, І.І. Іжнін, О.В.Войцеховський, О.Г. Коротаєв, В.С. Варавін, С.О. Дворецький, М.М. Михайлов, М.В. Якушев, О.Ю. Бончик, Г.В. Савицький, Rafal Jakiela, Карім Минбаєв. Особливост мплантац As в МПЕ плвках CdхHg1-хTe //7-ма Українська наукова конференція з фізики напівпровідників. Матеріали конференції. Кременчук, 2016. P. 332-333.
317 Dmitry V. Lyapunov, Alexander V. Voitsekhovskii, Igor I. Iznin, Alexandr G. Korotaev, Sergey A. Dvoretskii, P.L. Smirnov. Electrical characteristics of epitaxial CMT after As+ implantation //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2016. P. 276.
318 Denis V. Grigoryev, Alexander Voitsekhovskii, Alexandr G. Korotaev, Andrey P. Kokhanenko, Igor I. Iznin, Kirill A. Lozovoy, Sergey A. Dvoretskii, Nikolay N. Mikhailov. The features of a radiation defect formation at boron implantation in HgCdTe epitaxial films //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2016. P. 274.
319 Denis V. Grigoryev, Alexander Voitsekhovskii, Alexandr G. Korotaev, Dmitry V. Lyapunov, Victor F. Tarasenko, Michail A. Shulepov, Michail V. Erofeev, Vasiliiy S. Ripenko, Kirill A. Lozovoy. Influence of a high-frequency pulsed nanosecond diffusion discharGe in the nitrogen atmosphere on the electrical characteristics of a CdHgTe epitaxial films //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2016. P. 273.
320 Alexander Voitsekhovskii, Sergey Nesmelov, Stanislav Dzyadukh, Ihor Izhnin. Some properties of near-surface layer of graded-gap MBE HgCdTe after boron ion implantation //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2016. P. 270.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность