Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 597
301 Influence of infrared radiation on the electrical characteristics of the surface-barrier nanostructures based on MBE HgCdTe / Ihor Izhnin, Alexander Voitsekhovskii, Sergey Nesmelov, Stanislav Dzyadukh [et al] // EPJ Web of Conferences. 2017. Vol. 133. P. 02001-1‒02001-4. DOI: 10.1051/epjconf/201713302001
302 А.В. Войцеховский, Н.А. Кульчицкий, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух. Влияние приповерхностных варизонных слоев на адмиттанс МДП-структур на основе молекулярно-лучевой эпитаксии n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21...0,23) в диапазоне температур 9...77 К // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19, № 1. С. 3‒20. DOI: 10.17587/nmst.19.3-20
303 A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh. Admittance measurements in the temperature range (8-77) K for characterization of MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with and without graded-gap layers // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2017. Vol. 102. P. 42‒48. DOI: 10.1016/j.jpcs.2016.10.015
304 А.А. Pishchagin, K.A. Lozovoy, V.Yu. Serokhvostov, A. P. Kokhanenko, A.V. Voitsekhovskii, A.I. Nikiforov. Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectrosсору methods //Actual problems of radiophysics : proceedings of the VI International cоnfеrеnсе "APR-2015". Tomsk, 2016. P. 45-48.
305 A.V. Barko, A.V. Voitsekhovskii, A.G. Levashkin, A. P. Kokhanenko. Calculation of parameters of detectors of terahertz range based on the system immersion lens-planar antenna-semiconductor sensing unit //Actual problems of radiophysics : proceedings of the VI International cоnfеrеnсе "APR-2015". Tomsk, 2016. P. 9-11.
306 А.В. Войцеховский, А.П. Коханенко, К.А. Лозовой. Темновой ток и обнаружительная способность фотоприемников с квантовыми точками германия на кремнии // Прикладная физика. 2016. № 6. С. 42‒48.
307 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного теллурида кадмия и ртути, ыращенного методом МЛЭ на альтернативных подложках //От конвергенции наук к природоподобным технологиям. Первый Российский кристаллографический конгресс: Сборник тезисов. 21-26 ноября 2016. Москва, 2016. С. 396.
308 О.І.Фіцич, І.І. Іжнін, О.В.Войцеховський, О.Г. Коротаєв, В.С. Варавін, С.О. Дворецький, М.М. Михайлов, М.В. Якушев, О.Ю. Бончик, Г.В. Савицький, Rafal Jakiela, Карім Минбаєв. Особливост мплантац As в МПЕ плвках CdхHg1-хTe //7-ма Українська наукова конференція з фізики напівпровідників. Матеріали конференції. Кременчук, 2016. P. 332-333.
309 Dmitry V. Lyapunov, Alexander V. Voitsekhovskii, Igor I. Iznin, Alexandr G. Korotaev, Sergey A. Dvoretskii, P.L. Smirnov. Electrical characteristics of epitaxial CMT after As+ implantation //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2016. P. 276.
310 Denis V. Grigoryev, Alexander Voitsekhovskii, Alexandr G. Korotaev, Andrey P. Kokhanenko, Igor I. Iznin, Kirill A. Lozovoy, Sergey A. Dvoretskii, Nikolay N. Mikhailov. The features of a radiation defect formation at boron implantation in HgCdTe epitaxial films //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2016. P. 274.
311 Denis V. Grigoryev, Alexander Voitsekhovskii, Alexandr G. Korotaev, Dmitry V. Lyapunov, Victor F. Tarasenko, Michail A. Shulepov, Michail V. Erofeev, Vasiliiy S. Ripenko, Kirill A. Lozovoy. Influence of a high-frequency pulsed nanosecond diffusion discharGe in the nitrogen atmosphere on the electrical characteristics of a CdHgTe epitaxial films //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2016. P. 273.
312 Alexander Voitsekhovskii, Sergey Nesmelov, Stanislav Dzyadukh, Ihor Izhnin. Some properties of near-surface layer of graded-gap MBE HgCdTe after boron ion implantation //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2016. P. 270.
313 Alexander Voitsekhovskii, Sergey Nesmelov, Stanislav Dzyadukh, Viktor Sredin, Andrei Melekhov, Oleg Ananiin, Georgy Sidorov. The effect of soft X-rays on the electrical characteristics of MIS structures based on MBE HgCdTe with near-surface graded-gap layers //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2016. P. 269.
314 V.A. Novikov, D.V. Grigoryev, A.V. Voitsekhovskii, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov. Investigation of the surface-potential distribution of epitaxial CdHgTe films //Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2016. Vol. 5, № 1. P. 1096-1100.
315 Новиков В.А., Григорьев Д.В., Войцеховский А.В., Дворецкий С.А. Исследование распределения поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок CdHgTe // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2016. № 10. С. 108‒112.
316 А.П. Коханенко, К.А. Лозовой, А.В. Войцеховский. Расчет шумовых и сигнальных характеристик фотодетекторов с квантовыми точками германия на кремнии //Тезисы докладов XI Конференции и X Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Кремний-2016. 12-15 сентября 2016 г. Новосибирск, 2016. С. 173.
317 А.А. Пищагин, В.Ю. Серохвостов, А.В. Войцеховский, А.П. Коханенко, А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев. Температурные спектры проводимости гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge //Тезисы докладов XI Конференции и X Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Кремний-2016. 12-15 сентября 2016 г. Новосибирск, 2016. С. 178.
318 К.А. Лозовой, А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский. Моделирование процессов роста квантовых точек пирамидальной и клиновидной формы в системе GexSi1-x/Si с учетом различных энергетических факторов //Тезисы докладов XI Конференции и X Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Кремний-2016. 12-15 сентября 2016 г. Новосибирск, 2016. С. 51.
319 Fitsych O.I., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Bonchyk O.Yu., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Swiatek Z, Ozga P. Properties of arsenic-implanted CdxHg1-xTe MBE structures //7th International scientific and technical conference «Sensor Electronics and Microsystem Technologies» (SEMST-7). Ukraine, Odessa, 2016. P. 129.
320 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Темновой ток и обнаружительная способность фотоприемников с квантовыми точками германия на кремнии //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 439-442.