Войцеховский Александр Васильевич
Публикации
Общее число записей - 597
301 | Influence of infrared radiation on the electrical characteristics of the surface-barrier nanostructures based on MBE HgCdTe / Ihor Izhnin, Alexander Voitsekhovskii, Sergey Nesmelov, Stanislav Dzyadukh [et al] // EPJ Web of Conferences. 2017. Vol. 133. P. 02001-1‒02001-4. DOI: 10.1051/epjconf/201713302001 |
|
|
302 | А.В. Войцеховский, Н.А. Кульчицкий, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух. Влияние приповерхностных варизонных слоев на адмиттанс МДП-структур на основе молекулярно-лучевой эпитаксии n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21...0,23) в диапазоне температур 9...77 К // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19, № 1. С. 3‒20. DOI: 10.17587/nmst.19.3-20 |
|
|
303 | A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh. Admittance measurements in the temperature range (8-77) K for characterization of MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with and without graded-gap layers // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2017. Vol. 102. P. 42‒48. DOI: 10.1016/j.jpcs.2016.10.015 |
|
|
304 | А.А. Pishchagin, K.A. Lozovoy, V.Yu. Serokhvostov, A. P. Kokhanenko, A.V. Voitsekhovskii, A.I. Nikiforov. Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectrosсору methods //Actual problems of radiophysics : proceedings of the VI International cоnfеrеnсе "APR-2015". Tomsk, 2016. P. 45-48. |
|
|
305 | A.V. Barko, A.V. Voitsekhovskii, A.G. Levashkin, A. P. Kokhanenko. Calculation of parameters of detectors of terahertz range based on the system immersion lens-planar antenna-semiconductor sensing unit //Actual problems of radiophysics : proceedings of the VI International cоnfеrеnсе "APR-2015". Tomsk, 2016. P. 9-11. |
|
|
306 | А.В. Войцеховский, А.П. Коханенко, К.А. Лозовой. Темновой ток и обнаружительная способность фотоприемников с квантовыми точками германия на кремнии // Прикладная физика. 2016. № 6. С. 42‒48. |
|
|
307 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного теллурида кадмия и ртути, ыращенного методом МЛЭ на альтернативных подложках //От конвергенции наук к природоподобным технологиям. Первый Российский кристаллографический конгресс: Сборник тезисов. 21-26 ноября 2016. Москва, 2016. С. 396. |
|
|
308 | О.І.Фіцич, І.І. Іжнін, О.В.Войцеховський, О.Г. Коротаєв, В.С. Варавін, С.О. Дворецький, М.М. Михайлов, М.В. Якушев, О.Ю. Бончик, Г.В. Савицький, Rafal Jakiela, Карім Минбаєв. Особливост мплантац As в МПЕ плвках CdхHg1-хTe //7-ма Українська наукова конференція з фізики напівпровідників. Матеріали конференції. Кременчук, 2016. P. 332-333. |
|
|
309 | Dmitry V. Lyapunov, Alexander V. Voitsekhovskii, Igor I. Iznin, Alexandr G. Korotaev, Sergey A. Dvoretskii, P.L. Smirnov. Electrical characteristics of epitaxial CMT after As+ implantation //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2016. P. 276. |
|
|
310 | Denis V. Grigoryev, Alexander Voitsekhovskii, Alexandr G. Korotaev, Andrey P. Kokhanenko, Igor I. Iznin, Kirill A. Lozovoy, Sergey A. Dvoretskii, Nikolay N. Mikhailov. The features of a radiation defect formation at boron implantation in HgCdTe epitaxial films //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2016. P. 274. |
|
|
311 | Denis V. Grigoryev, Alexander Voitsekhovskii, Alexandr G. Korotaev, Dmitry V. Lyapunov, Victor F. Tarasenko, Michail A. Shulepov, Michail V. Erofeev, Vasiliiy S. Ripenko, Kirill A. Lozovoy. Influence of a high-frequency pulsed nanosecond diffusion discharGe in the nitrogen atmosphere on the electrical characteristics of a CdHgTe epitaxial films //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2016. P. 273. |
|
|
312 | Alexander Voitsekhovskii, Sergey Nesmelov, Stanislav Dzyadukh, Ihor Izhnin. Some properties of near-surface layer of graded-gap MBE HgCdTe after boron ion implantation //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2016. P. 270. |
|
|
313 | Alexander Voitsekhovskii, Sergey Nesmelov, Stanislav Dzyadukh, Viktor Sredin, Andrei Melekhov, Oleg Ananiin, Georgy Sidorov. The effect of soft X-rays on the electrical characteristics of MIS structures based on MBE HgCdTe with near-surface graded-gap layers //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2016. P. 269. |
|
|
314 | V.A. Novikov, D.V. Grigoryev, A.V. Voitsekhovskii, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov. Investigation of the surface-potential distribution of epitaxial CdHgTe films //Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2016. Vol. 5, № 1. P. 1096-1100. |
|
|
315 | Новиков В.А., Григорьев Д.В., Войцеховский А.В., Дворецкий С.А. Исследование распределения поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок CdHgTe // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2016. № 10. С. 108‒112. |
|
|
316 | А.П. Коханенко, К.А. Лозовой, А.В. Войцеховский. Расчет шумовых и сигнальных характеристик фотодетекторов с квантовыми точками германия на кремнии //Тезисы докладов XI Конференции и X Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Кремний-2016. 12-15 сентября 2016 г. Новосибирск, 2016. С. 173. |
|
|
317 | А.А. Пищагин, В.Ю. Серохвостов, А.В. Войцеховский, А.П. Коханенко, А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев. Температурные спектры проводимости гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge //Тезисы докладов XI Конференции и X Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Кремний-2016. 12-15 сентября 2016 г. Новосибирск, 2016. С. 178. |
|
|
318 | К.А. Лозовой, А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский. Моделирование процессов роста квантовых точек пирамидальной и клиновидной формы в системе GexSi1-x/Si с учетом различных энергетических факторов //Тезисы докладов XI Конференции и X Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Кремний-2016. 12-15 сентября 2016 г. Новосибирск, 2016. С. 51. |
|
|
319 | Fitsych O.I., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Bonchyk O.Yu., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Swiatek Z, Ozga P. Properties of arsenic-implanted CdxHg1-xTe MBE structures //7th International scientific and technical conference «Sensor Electronics and Microsystem Technologies» (SEMST-7). Ukraine, Odessa, 2016. P. 129. |
|
|
320 | Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Темновой ток и обнаружительная способность фотоприемников с квантовыми точками германия на кремнии //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 439-442. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность