ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 593
281 N.A. Pakhanov, O.P. Pchelyakov, A.I. Yakimov, A.V. Voitsekhovskii. Development of a High-Voltage Waveguide Photodetector Comprised of Schottky Diodes and Based on the Ge-Si Structure with Ge Quantum Dots for Portable Thermophotovoltaic Converters // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 2017. Vol. 53, № 2. P. 190‒196. DOI: 10.3103/S8756699017020133
282 Ion etching of HgCdTe: Properties, patterns and use as a method fordefect studies / I.I. Izhnin, K.D. My'nbaev, A.V. Voitsekhovskii, A.G. Korotaev [et al] // Opto-Electronics Review. 2017. Vol. 25, № 2. P. 148‒170. DOI: 10.1016/j.opelre.2017.03.007
283 Electrical Properties of the V-Defects of Epitaxial HgCdTe / V.A. Novikov, D.V. Grigoryev, D.A. Bezrodnyy, A.V. Voitsekhovskii [et al] // Journal of Electronic Materials. 2017. Vol. 46, № 7. P. 4435‒4438. DOI: 10.1007/s11664-017-5393-0
284 Electron concentration in the near-surface graded-gap layer of MBE n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.40) determined from the capacitance measurements of MIS-structures / A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh, D.V. Grigor`ev [et al] // Russian Physics Journal. 2017. Vol. 60, № 1. P. 128‒139. DOI: 10.1007/s11182-017-1051-5
285 Influence of a high-frequency pulsed nanosecond diffusion discharge in the nitrogen atmosphere on the electrical characteristics of a CdHgTe epitaxial films / D Grigoryev, A Voitsekhovskii, A Korotaev, D Lyapunov [et al] // Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 830. P. 012082-1‒012082-4. DOI: 10.1088/1742-6596/830/1/012082
286 Electrical characteristics of epitaxial MCT after As+ implantation / A Voitsekhovskii, I Izhnin, A Korotaev, D Lyapunov [et al] // Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 830. P. 012083-1‒012083-6. DOI: 10.1088/1742-6596/830/1/012083
287 A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S M Dzyadukh, I.I. Izhnin. Some properties of near-surface layer of graded-gap MBE HgCdTe after boron ion implantation // Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 830. P. 012081-1‒012081-4. DOI: 10.1088/1742-6596/830/1/012081
288 Н.А. Паханов, О.П. Пчеляков, А.И. Якимов, А.В. Войцеховский. Разработка высоковольтного волноводного фотодетектора, составленного из диодов шоттки, на структуре Ge-Si с квантовыми точками Ge для портативных термофотогенераторов // Автометрия. 2017. Т. 53, № 2. С. 109‒116. DOI: 10.15372/AUT20170213
289 A.V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenko, K.A. Lozovoy, et al. Advances in Nanotechnology. Vol.17. Ch. 6 : Photoconverters based on nanohet-erostructures with quantum dots of germanium on silicon. New York: Nova Science Publishers, Inc., 2017. 225 p.
290 A.V. Voitsekhovskii, D.I. Gorn. Analysis of the nBn-type Barrier Structures for Infrared Photodiode Detectors // Journal of Communications Technology and Electronics. 2017. Vol. 62, № 3. P. 314‒316. DOI: 10.1134/S1064226917030214
291 А.В. Войцеховский, Н.А. Кульчицкий, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух. Влияние освещения на адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe // VI Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сб. науч. тр. М., 2017. С. 380‒381.
292 А.В. Войцеховский, Н.А. Кульчицкий, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух. МДП-структуры на основе варизонного МЛЭ HgCdTe для инфракрасных детекторов // VI Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сб. науч. тр. М., 2017. С. 378‒379.
293 А.В. Войцеховский, Н.А. Кульчицкий, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух. Адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) в широком диапазоне температур // Успехи прикладной физики. 2017. Т. 5, № 1. С. 54‒62.
294 Optical and electrical studies of arsenic-implanted HgCdTe films grown with molecular beam epitaxy on GaAs and Si substrates / I.I. Izhnin, A.V. Voitsekhovsky, A.G. Korotaev, О.I. Fitsych [et al] // Infrared Physics and Technology. 2017. Vol. 81. P. 52‒58. DOI: 10.1016/j.infrared.2016.12.006
295 Temperature spectra of conductance of Ge/Si p-i-n structures with Ge quantum dots / Igor I. Izhnin, Olena I. Fitsych, Anton A. Pishchagin, Andrey P. Kokhanenko [et al] // Nanoscale Research Letters. 2017. Vol. 12. P. 131-1‒131-5. DOI: 10.1186/s11671-017-1916-0
296 Properties of arsenic-implanted Hg1-xCdxTe MBE films / Igor I. Izhnin, Alexander V. Voitsekhovskii, Alexandr G. Korotaev, Olena I. Fitsych [et al] // EPJ Web of Conferences. 2017. Vol. 133. P. 01001-1‒01001-4. DOI: 10.1051/epjconf/201713301001
297 Influence of infrared radiation on the electrical characteristics of the surface-barrier nanostructures based on MBE HgCdTe / Ihor Izhnin, Alexander Voitsekhovskii, Sergey Nesmelov, Stanislav Dzyadukh [et al] // EPJ Web of Conferences. 2017. Vol. 133. P. 02001-1‒02001-4. DOI: 10.1051/epjconf/201713302001
298 А.В. Войцеховский, Н.А. Кульчицкий, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух. Влияние приповерхностных варизонных слоев на адмиттанс МДП-структур на основе молекулярно-лучевой эпитаксии n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21...0,23) в диапазоне температур 9...77 К // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19, № 1. С. 3‒20. DOI: 10.17587/nmst.19.3-20
299 A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh. Admittance measurements in the temperature range (8-77) K for characterization of MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with and without graded-gap layers // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2017. Vol. 102. P. 42‒48. DOI: 10.1016/j.jpcs.2016.10.015
300 А.А. Pishchagin, K.A. Lozovoy, V.Yu. Serokhvostov, A. P. Kokhanenko, A.V. Voitsekhovskii, A.I. Nikiforov. Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectrosсору methods //Actual problems of radiophysics : proceedings of the VI International cоnfеrеnсе "APR-2015". Tomsk, 2016. P. 45-48.
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность