ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Публикации

Общее число записей - 605
281 Electrical Properties of the MIS Structures Based on MBE HgCdTe with SiO2/Si3N4 and Al2O3 Insulating Layers / I. Izhnin, A. Voitsekhovskii, S. Nesmelov, S. Dzyadukh [et al] // International Conference on Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications (OMEE-2017) : book of abstracts may 29 - june 2, 2017 Lviv. Lviv, 2017. P. 37. 1 electron. opt. disc. (CD-ROM).
282 Поверхностное дефектообразование в Cdx Hg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы / Средин В.Г., Войцеховский А.В., Ананьин О.Б., Мелехов А.П. [и др.] // Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов" посвященная памяти профессора С.С. Горелика, 2-5 окт. 2017 г. Москва. Вторая Международная Школа Молодых Ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения" : тез. докл. [М.], 2017. С. 198. 1 электрон. опт. диск (CD-ROM).
283 Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Моделирование роста квантовых точек Ge/Si с учетом взаимодействия между островками // Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов" посвященная памяти профессора С.С. Горелика, 2-5 окт. 2017 г. Москва. Вторая Международная Школа Молодых Ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения" : тез. докл. [М.], 2017. С. 128. 1 электрон. опт. диск (CD-ROM).
284 Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Сидоров Г.Ю. [и др.] // Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов" посвященная памяти профессора С.С. Горелика, 2-5 окт. 2017 г. Москва. Вторая Международная Школа Молодых Ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения" : тез. докл. [М.], 2017. С. 58. 1 электрон. опт. диск (CD-ROM).
285 Исследование барьерных структур на основе КРТ для создания фотодиодных приемников ИК-диапазона / А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух [и др.] // Фотоника 2017 : рос. конф. и шк. мол. ученых по актуальным проблемам полупродниковой фотоэлектроники (с участием иностр. ученых), 11-15 сент. 2017 г., Новосибирск : тез. докл. Новосибирск: ИПЦ НГУ, 2017. С. 118.
286 И.И. Ижнин, Е.И. Фицыч, А.В. Войцеховский, А.Г. Коротаев, К.Д. Мынбаев, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, А.Ю. Бончик, Г.В. Савицкий, З. Свёнтек. Дефекты в имплантированных мышьяком р+n- и n+p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ //Известия вузов. Физика. 2017. Т. 60, № 10. С. 92-97.
287 Interface properties of MIS structures based on hetero-epitaxial graded-gap Hg1-xCdxTe with CdTe interlayer created in situ during MBE growth / Alexander V. Voitsekhovskii, Sergey N. Nesmelov, Stanislav M. Dzyadukh, Vasiliy S. Varavin [et al] // Superlattices and Microstructures. 2017. Vol. 111. P. 1195‒1202. DOI: 10.1016/j.spmi.2017.08.025
288 Диагностика электрофизических параметров структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе варизонного МЛЭ HgCdTe для пассивации поверхности инфракрасных детекторов / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, В.С. Варавин [и др.] // Фотоника 2017 : рос. конф. и шк. мол. ученых по актуальным проблемам полупродниковой фотоэлектроники (с участием иностр. ученых), 11-15 сент. 2017 г., Новосибирск : тез. докл. Новосибирск: ИПЦ НГУ, 2017. С. 117.
289 А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский, К.А. Лозовой. Моделирование процессов формирования квантовых точек в системе GeSn/Si //Фотоника 2017 : рос. конф. и шк. мол. ученых по актуальным проблемам полупродниковой фотоэлектроники (с участием иностр. ученых), 11-15 сент. 2017 г., Новосибирск : тез. докл. Новосибирск: ИПЦ НГУ, 2017. С. 90.
290 Дефектная структура в As имплантированных пленках CdHgTe, полученных методом МЛЭ / И.И. Ижнин, Е.И. Фицыч, А.В. Войцеховский, А.Г. Коротаев [и др.] // Фотоника 2017 : рос. конф. и шк. мол. ученых по актуальным проблемам полупродниковой фотоэлектроники (с участием иностр. ученых), 11-15 сент. 2017 г., Новосибирск : тез. докл. Новосибирск: ИПЦ НГУ, 2017. С. 65.
291 Н.Х. Талипов, А.В. Войцеховский. Многоэлементные фотоприемники ультрафиолетового диапазона на основе алмаза //Фотоника 2017 : рос. конф. и шк. мол. ученых по актуальным проблемам полупродниковой фотоэлектроники (с участием иностр. ученых), 11-15 сент. 2017 г., Новосибирск : тез. докл. Новосибирск: ИПЦ НГУ, 2017. С. 27.
292 Поверхностные дефекты в эпитаксиальных слоях твердых растворов CdxHg1-xTe, создаваемые мягким рентгеновским излучением / В.Г. Средин, А.В. Войцеховский, О.Б. Ананьин, А.П. Мелехов [и др.] // Прикладная физика. 2017. № 5. С. 59‒63.
293 N.A. Pakhanov, O.P. Pchelyakov, A.I. Yakimov, A.V. Voitsekhovskii. Development of a High-Voltage Waveguide Photodetector Comprised of Schottky Diodes and Based on the Ge-Si Structure with Ge Quantum Dots for Portable Thermophotovoltaic Converters // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 2017. Vol. 53, № 2. P. 190‒196. DOI: 10.3103/S8756699017020133
294 Ion etching of HgCdTe: Properties, patterns and use as a method fordefect studies / I.I. Izhnin, K.D. My'nbaev, A.V. Voitsekhovskii, A.G. Korotaev [et al] // Opto-Electronics Review. 2017. Vol. 25, № 2. P. 148‒170. DOI: 10.1016/j.opelre.2017.03.007
295 Electrical Properties of the V-Defects of Epitaxial HgCdTe / V.A. Novikov, D.V. Grigoryev, D.A. Bezrodnyy, A.V. Voitsekhovskii [et al] // Journal of Electronic Materials. 2017. Vol. 46, № 7. P. 4435‒4438. DOI: 10.1007/s11664-017-5393-0
296 Electron concentration in the near-surface graded-gap layer of MBE n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.40) determined from the capacitance measurements of MIS-structures / A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh, D.V. Grigor`ev [et al] // Russian Physics Journal. 2017. Vol. 60, № 1. P. 128‒139. DOI: 10.1007/s11182-017-1051-5
297 Influence of a high-frequency pulsed nanosecond diffusion discharge in the nitrogen atmosphere on the electrical characteristics of a CdHgTe epitaxial films / D Grigoryev, A Voitsekhovskii, A Korotaev, D Lyapunov [et al] // Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 830. P. 012082-1‒012082-4. DOI: 10.1088/1742-6596/830/1/012082
298 Electrical characteristics of epitaxial MCT after As+ implantation / A Voitsekhovskii, I Izhnin, A Korotaev, D Lyapunov [et al] // Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 830. P. 012083-1‒012083-6. DOI: 10.1088/1742-6596/830/1/012083
299 A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S M Dzyadukh, I.I. Izhnin. Some properties of near-surface layer of graded-gap MBE HgCdTe after boron ion implantation // Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 830. P. 012081-1‒012081-4. DOI: 10.1088/1742-6596/830/1/012081
300 Н.А. Паханов, О.П. Пчеляков, А.И. Якимов, А.В. Войцеховский. Разработка высоковольтного волноводного фотодетектора, составленного из диодов шоттки, на структуре Ge-Si с квантовыми точками Ge для портативных термофотогенераторов // Автометрия. 2017. Т. 53, № 2. С. 109‒116. DOI: 10.15372/AUT20170213
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность