ТГУ.Сотрудники
Прудаев Илья Анатольевич
Патенты
Общее число записей - 14
14) Госконтракт 16.740.11.0231
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 2445724. Импульсный лавинный S-диод (ИЗ) |
| Вид документа | Патент |
| Дата документа/Заявки | 07.12.2010 |
15) Грант ОК-21/11620/10
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 2503024. Способ контроля внутреннего квантового выхода полупроводниковых светодиодных гетероструктур на основе GaN (ИЗ) |
| Вид документа | Патент |
| Дата документа/Заявки | 03.04.2012 |
16) Грант ОК-21/11620/10
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 115500. Устройство неразрушающего контроля внутреннего квантового выхода светодиодных GaN гетероструктур (ПМ) |
| Вид документа | Патент |
| Дата документа/Заявки | 10.01.2012 |
17) Госконтракт 14.513.11.0122
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 420. Квантово-размерная многослойная эпитаксиальная структура AlGaInP/GaAs Для излучателей "красного" диапозона длин волн (Ноу-хау) |
| Вид документа | Ноу-хау |
| Дата документа/Заявки | 27.07.2013 |
18) Госконтракт 14.516.11.0088
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 419. Квантово-размерная многослойная эпитаксиальная структура InGaN/GaN/Al2O3 (Ноу-хау) |
| Вид документа | Ноу-хау |
| Дата документа/Заявки | 26.07.2013 |
19) Задание на НИР 3.398.2014/К
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 624/ОД. Многослойная эпитаксиальная гетероструктура InGaN/GaN/Al2O3 на профилированной подложке сапфира с короткопериодными сверхрешетками InGaN/GaN для излучателей синего (450-470 нм) диапазона длин волн (Ноу-хау) |
| Вид документа | Ноу-хау |
| Дата документа/Заявки | 22.09.2014 |
20) Задание на НИР 3.1206.2014/К
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 2596773. Полупроводниковый излучатель ИК-диапазона (ИЗ) |
| Вид документа | Патент |
| Дата документа/Заявки | 08.07.2015 |
21) Задание на НИР 8.2.06.2015 Л
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 2609916. Импульсный лавинный S-диод (ИЗ) |
| Вид документа | Патент |
| Дата документа/Заявки | 20.10.2015 |
22) Задание на НИР 3.398.2014/К
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 429/ОД. Многослойная эпитаксиальная гетероструктура (0001) InxGa1-xN/InyGa1-yN/Al2O3 со ступенчато-варизонными барьерами InyGa1-yN на профилированной подложке сапфира для излучателей синего (450–470 нм) диапазона длин волн (Ноу-хау) |
| Вид документа | Ноу-хау |
| Дата документа/Заявки | 25.06.2015 |
23) Задание на НИР 3.398.2014/К
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 697/ОД. Многослойная эпитаксиальная гетероструктура InxGa1-xN/InyGa1-yN/Al2O3 со ступенчато-варизонными барьерными слоями InyGa1-yN и короткопериодными сверхрешетками InzGa1-zN/GaN с низким содержанием индия на профилированной подложке сапфира для излучателей синего (450–470 нм) диапазона длин волн (Ноу-хау) |
| Вид документа | Ноу-хау |
| Дата документа/Заявки | 30.09.2016 |
24) Задание на НИР 11.2247.2017/ПЧ
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 175209. Устройство для фотоэлектрического переключения лавинного импульсного S-диода (ПМ) |
| Вид документа | Патент |
| Дата документа/Заявки | 31.05.2017 |
25) Задание на НИР 11.2247.2017/ПЧ
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 181377. Генератор на основе лавинного импульсного S-диода с регулируемой амплитудой импульсов (ПМ) |
| Вид документа | Патент |
| Дата документа/Заявки | 04.05.2018 |
26) Задание на НИР 11.2247.2017/ПЧ
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 191657. Двухкаскадный фотоэлектрический формирователь наносекундных импульсов тока (ПМ) |
| Вид документа | Патент |
| Дата документа/Заявки | 11.06.2019 |
27) Грант 20-08-00141
| Творческий вклад, % | |
| Охранный документ | Документ № 204986. Устройство импульсного электрического питания полупроводникового лазера (ПМ) |
| Вид документа | Патент |
| Дата документа/Заявки | 26.03.2021 |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность