Брудный Валентин Натанович

Патенты
Общее число записей - 11
11) Госконтракт НУ 14.513.11.0122
Творческий вклад, %
Охранный документ Документ № 420. Квантово-размерная многослойная эпитаксиальная структура AlGaInP/GaAs Для излучателей "красного" диапозона длин волн
Вид документа Ноу-хау
Дата документа/Заявки 27.07.2013
12) Госконтракт НУ 14.516.11.0088
Творческий вклад, %
Охранный документ Документ № 419. Квантово-размерная многослойная эпитаксиальная структура InGaN/GaN/Al2O3
Вид документа Ноу-хау
Дата документа/Заявки 26.07.2013
13) Задание на НИР НУ 8.4361.2011
Творческий вклад, %
Охранный документ Документ № 43. Кванторазмерная многослойная эпитаксиальная структура GaN/(AlGaN)/InGaN/GaN для излучателей оптического диапозона
Вид документа Ноу-хау
Дата документа/Заявки 31.01.2013
14) Задание на НИР НУ 3.398.2014/К
Творческий вклад, %
Охранный документ Документ № 624/ОД. Многослойная эпитаксиальная гетероструктура InGaN/GaN/Al2O3 на профилированной подложке сапфира с короткопериодными сверхрешетками InGaN/GaN для излучателей синего (450-470 нм) диапазона длин волн
Вид документа Ноу-хау
Дата документа/Заявки 22.09.2014
15) Задание на НИР НУ 3.398.2014/К
Творческий вклад, %
Охранный документ Документ № 429/ОД. Многослойная эпитаксиальная гетероструктура (0001) InxGa1-xN/InyGa1-yN/Al2O3 со ступенчато-варизонными барьерами InyGa1-yN на профилированной подложке сапфира для излучателей синего (450–470 нм) диапазона длин волн
Вид документа Ноу-хау
Дата документа/Заявки 25.06.2015
16) Задание на НИР НУ 3.398.2014/К
Творческий вклад, %
Охранный документ Документ № 697/ОД. Многослойная эпитаксиальная гетероструктура InxGa1-xN/InyGa1-yN/Al2O3 со ступенчато-варизонными барьерными слоями InyGa1-yN и короткопериодными сверхрешетками InzGa1-zN/GaN с низким содержанием индия на профилированной подложке сапфира для излучателей синего (450–470 нм) диапазона длин волн
Вид документа Ноу-хау
Дата документа/Заявки 30.09.2016
17) Задание на НИР НУ 3.7660.2017/ВУ
Творческий вклад, %
Охранный документ Документ № 187837. Преобразователь оптического излучения на кристалле ZnGeP2 (ПМ)
Вид документа Патент
Дата документа/Заявки 25.12.2018
18) Госконтракт НУ 14.578.21.0240 (075-15-2019-1260)
Творческий вклад, %
Охранный документ Документ № 2708677. Способ металлизации сквозных отверстий в полуизолирующих полупроводниковых подложках (ИЗ)
Вид документа Патент
Дата документа/Заявки 08.02.2019
19) Госконтракт НУ 14.578.21.0240 (075-15-2019-1260)
Творческий вклад, %
Охранный документ Документ № 2707402. Способ изготовления высокочастотного транзистора с дополнительным активным полевым электродом (ИЗ)
Вид документа Патент
Дата документа/Заявки 28.03.2019
20) Задание на НИР НУ 3.7660.2017/ВУ
Творческий вклад, %
Охранный документ Документ № 197682. Полупроводниковый датчик давления (ПМ)
Вид документа Патент
Дата документа/Заявки 27.12.2019
21) Задание на НИР НУ 8.2.04.2018 Л
Творческий вклад, %
Охранный документ Документ № 2746845. Способ изготовления Т-образного гальванического затвора в высокочастотном полевом транзисторе (ИЗ)
Вид документа Патент
Дата документа/Заявки 27.08.2020