Лозинская Анастасия Дмитриевна

Участие в конференциях
Общее число докладов - 16
1) 21th International Workshops on Radiation Imaging Detectors iWoRiD 2019
Уровень конференции Международный
Тема доклада Detailed analysis of quasi-ohmic contacts to high resistive GaAs:Cr structures
Тип доклада устный
Дата участия 07.07.2019 - 12.07.2019
2) Нано и Гига Форум (NGC 2017). Проблемы нано и гига, в электронике, фотонике и возобновляемой энергии. Симпозиум и летняя школа (учебные лекции) Nano and Giga Challenges, in Electronics, Photonics and Renewable Energy. Symposium and Summer School (Tutorial Lectures)
Уровень конференции Международный
Тема доклада Charge Carrier Lifetime Determination in GaAs:Cr under Near-Surface Illumination
Тип доклада устный
Дата участия 18.09.2017 - 22.09.2017
3) Нано и Гига Форум (NGC 2017). Проблемы нано и гига, в электронике, фотонике и возобновляемой энергии. Симпозиум и летняя школа (учебные лекции) Nano and Giga Challenges, in Electronics, Photonics and Renewable Energy. Symposium and Summer School (Tutorial Lectures)
Уровень конференции Международный
Тема доклада Charge Carrier Lifetime Determination in GaAs:Cr under Near- Surface Illumination
Тип доклада постер
Дата участия 18.09.2017 - 22.09.2017
4) Grand Challenges and Opportunities with the Best X-ray and Neutron Sources RACIRI Summer School 2017 (Международная летняя школа «Лучшие рентгеновские и нейтронные источники мира: Исследовательские методы и научные задачи»)
Уровень конференции Международный
Тема доклада GaAs:Cr X-ray sensors noise characteristics investigation by means of amplitude spectrum analysis
Тип доклада постер
Дата участия 19.08.2017 - 26.12.2017
5) 19th iWoRiD International Workshop on Radiation Imaging Detectors
Уровень конференции Международный
Тема доклада GaAs:Cr X-ray sensors noise characteristics investigation by means of amplitude spectrum analysis
Тип доклада постер
Дата участия 02.07.2017 - 06.07.2017
6) GaAs: Cr X Ray датчики и их применение. I Международная конференция. GaAs:Cr X Ray Sensors and Their Application.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Capability of FEL TSU in field of GaAs:Cr sensor technology
Тип доклада устный
Дата участия 20.02.2017 - 22.03.2017
7) Современные решения в фотолитографии. Практический семинар
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада без доклада
Тип доклада без доклада
Дата участия 27.09.2016
8) 18th iWoRID International Workshop on Radiation Imaging Detectors
Уровень конференции Международный
Тема доклада Electron mobility-lifetime and resistivity mapping of GaAs:C
Тип доклада постер
Дата участия 03.07.2016 - 07.07.2016
9) 17th iWoRID International Workshop on Radiation Imaging Detectors
Уровень конференции Международный
Тема доклада Temperature dependences of current-voltage characteristics of GaAs:Cr
Тип доклада устный
Дата участия 28.06.2015 - 02.07.2015
10) Совещание и Молодежная конференция по использованию рассеяния нейтронов и синхротронного излучения в конденсированных средах (РНСИКС2014)
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Сенсоры рентгеновского и гамма-излучений на основе GaAs:Cr
Тип доклада постер
Дата участия 27.10.2014 - 31.10.2014

Общее число публикаций в рамках конференций - 6
Публикации в рамках конференций
1 Павлов И.Г., Лозинская А.Д. Температурные зависимости эффективности сбора заряда сенсоров на основе GaAs:Cr-структур //Труды Пятнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов. 17-18 мая 2018 г. Томск: Изд-во НТЛ, 2018. С. 239-242.
2 И.А. Прудаев, В.В. Копьев, И.С. Романов, В.Л. Олейник, А.Д. Лозинская, А.В. Шемерянкина, и другие. Квантово-размерные эффекты переноса носителей заряда в сверхрешетках и множественных квантовых ямах InGaN/GaN //Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы : тез. докл. 11-й Всерос. конф., 1-3 февр. 2017 г., Москва. М., 2017. С. 158-159.
3 Zarubin A.N., Lozinskaya A.D., Skakunov M.S., Tolbanov O.P., Tyazhev A.V., Ryabkov S.A., et al., and 2 more. Evaluation of Suitability of GaAs:Cr Sensors for X-ray Transmission Technology of Diamond-Bearing Ore Enrichment //2016 IEEE Nuclear Science Symposium, Medical Imaging Conference and Room-Temperature Semiconductor Detector Workshop (NSS/MIC/RTSD), 29 october - 6 november 2016, Strasbourg : [proceedings]. [S. l.], 2017. P. 17262877(4pp). URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/8069941 (date of access: 28.11.2018).
4 Щербаков И.Д., Лозинская А.Д. Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом //Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов 17-й всерос. молод. конф. Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. Ун-та Санкт-Петербурга, 2015. С. 110.
5 Лозинская А.Д. Исследование амплитудных спектров матричных сенсоров на основе GaAs:Cr. //Труды Всероссийской конференции Студенческих научно-исследовательских инкубаторов. Томск 15-17 мая 2014 г. Томск: Изд-во НТЛ, 2014. С. 99-101.
6 A.D. Lozinskaya, A.V. Tyazhev, D.Yu. Mokeev. Investigation of Spectral Responses of Interdigitated Photodetector Based on GaAs:Cr Structure // 2011 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings. Krasnoyarsk: Siberian Federal University, 2011. P. 245‒246.