Коротаев Александр Григорьевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 52
31) Sensor Electronics and Microsystem Technologies (SEMST-8). 8th International Scientific and Technical Conference (with the Exhibition of sensor developments and industrial samples)
Уровень конференции Международный
Тема доклада Radiation donor defect profiles in arsenic-implanted HgCdTe film
Тип доклада стендовый
Дата участия 28.05.2018 - 01.06.2018
32) XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках CdHgTe
Тип доклада секционный
Дата участия 24.05.2018 - 26.05.2018
33) Полупроводники-2017. XIII Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Дефекты в имплантированных As МЛЭ структурах CdHgTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 02.10.2017 - 06.10.2017
34) Фотоника 2017. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Дефектная структура в As имплантированных пленках CdHgTe, полученных методом МЛЭ
Тип доклада секционный
Дата участия 11.09.2017 - 15.09.2017
35) ICPTTFN-XVI. XVI International Conference on the Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems
Уровень конференции Международный
Тема доклада Defect Structure of Arsenic Implanted HgCdTe Layers by HRTEM
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 15.05.2017 - 20.05.2017
36) The 5th International congress on energy fluxes and radiation effects (EFRE 2016)
Уровень конференции Международный
Тема доклада Influence of a high-frequency pulsed nanosecond diffusion discharGe in the nitrogen atmosphere on the electrical characteristics of a CdHgTe epitaxial films
Тип доклада стендовый
Дата участия 02.10.2016 - 07.10.2016
37) The 5th International congress on energy fluxes and radiation effects (EFRE 2016)
Уровень конференции Международный
Тема доклада The features of a radiation defect formation at boron implantation in HgCdTe epitaxial films
Тип доклада стендовый
Дата участия 02.10.2016 - 07.10.2016
38) The 5th International congress on energy fluxes and radiation effects (EFRE 2016)
Уровень конференции Международный
Тема доклада Electrical characteristics of epitaxial CMT after As+ implantation
Тип доклада стендовый
Дата участия 02.10.2016 - 07.10.2016
39) VIІ Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (УНКФП-7)
Уровень конференции Международный
Тема доклада Особливост мплантац As в МПЕ плвках CdхHg1-хTe
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 26.09.2016 - 30.09.2016
40) Управление качеством инженерного образования. Возможности вузов и потребности промышленности. II Международная научная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Опыт подготовки инженерных кадров в классическом университете
Тип доклада секционный
Дата участия 23.06.2016 - 24.06.2016

Общее число публикаций в рамках конференций - 58
Публикации в рамках конференций
1 Сравнительный анализ составов носителей заряда в эпитаксиальных пленках CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантированных мышьяком, кремнием и бором / И.И. Ижнин, А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, К.Д. Мынбаев [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 22.
2 Температурная зависимость отношений периодов и интенсивностей дифракционных рефлексов от ступенек разного типа при росте Si на Si(001) / А.П. Коханенко, О.И. Кукенов, В.В. Дирко, К.А. Лозовой [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 93.
3 Оптическое отражение ионно-имплантированных эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, К.Д. Мынбаев, М.В. Дорогов [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 152.
4 Коротаев А.Г., Жуков А.А., Булахов Н.Г., Лапутенко А.В. Опыт организации и проведения курса "Введение в специальность" для студентов-радиофизиков // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2025. 11-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 16-18 сентября 2025 г. : сборник трудов. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2025. С. 256‒259.
5 Мещеряков В.А., Коротаев А.Г., Жигальцов Н.М., Максунов Л.А. Программируемые логические контроллеры АО «ЭЛЕСИ» в учебном процессе радиофизического факультета // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2025. 11-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 16-18 сентября 2025 г. : сборник трудов. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2025. С. 273‒275.
6 Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 334‒335. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-334
7 Коханенко А.П., Диб Х., Лозовой К.А., Коротаев А.Г. Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si для атмосферного канала связи // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 332‒333. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-332
8 Влияние смены механизма роста на формирование удлиненных квантовых точек германия на кремнии / О.И. Кукенов, В.В. Дирко, А.Г. Коротаев, К.А. Лозовой [и др.] // Тезисы докладов XV Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний–2024», Иркутск, 15–20 июля 2024 г. Иркутск: Изд-во Ин-та географии им. В.Б.Сочавы СО РАН, 2024. С. 100.
9 Температурная зависимость длины димерного ряда при эпитаксиальном росте германия на кремнии / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.П. Коханенко [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 109. DOI: 10.34077/RCSP2023-109
10 Fluence dependence of nanosize defect layers in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films studied with TEM/HRTEM / Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Dvoretsky S.A., Izhnin I.I. [et al] // International research and practice conference «Nanotechnology and nanomaterials» (NANO-2021), 25-27 august 2021, Lviv : abstract book. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2021. P. 378.