Коротаев Александр Григорьевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 46
1) Кремний-2024. XV Конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние смены механизма роста на формирование удлиненных квантовых точек германия на кремнии
Тип доклада секционный
Дата участия 15.07.2024 - 20.07.2024
2) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
3) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si для атмосферного канала связи
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
4) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Температурная зависимость длины димерного ряда при эпитаксиальном росте германия на кремнии
Тип доклада стендовый
Дата участия 04.09.2023 - 08.09.2023
5) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2021. IX-я Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Состав носителей в имплантированных бором МЛЭ пленках р-CdHgTe
Тип доклада устный
Дата участия 20.10.2021 - 22.10.2021
6) Фотоника 2021. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках Cd0.3Hg0.7Te: накопление и отжиг
Тип доклада стендовый
Дата участия 04.10.2021 - 08.10.2021
7) Nanotechnology and nanomaterials. NANO-2021. 9th International research and practice conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Fluence dependence of nanosize defect layers in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films studied with TEM/HRTEM
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 25.08.2021 - 27.08.2021
8) Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2020 online). 7th International Congress
Уровень конференции Международный
Тема доклада Accumulation and annealing of radiation donor defects in arsenic–implanted Hg0.7Cd0.3Te films
Тип доклада постер
Дата участия 14.09.2020 - 25.09.2020
9) Nanotechnologies and Nanomaterials NANO-2020. 8th International Conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Nanosize radiation defects in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films of n- and p-type studied with TEM/HRTEM
Тип доклада стендовый
Дата участия 26.08.2020 - 29.08.2020
10) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2019. XI Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние отжига на структурные свойства имплантированных мышьяком слоев CdHgTe по данным оптического отражения
Тип доклада стендовый
Дата участия 21.10.2019 - 25.10.2019

Общее число публикаций в рамках конференций - 53
Публикации в рамках конференций
41 Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Swiatek Z., Ozga P. Электрофизические и оптические исследования нейтральных дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg1-xTe //Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников. Москва, 2015. С. 333.
42 Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Мынбаев К.Д. Релаксация и долговременная стабильность МЛЭ CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением //ФОТОНИКА - 2015. Тезисы докладов Российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2015. С. 42.
43 Korotaev A. G., Pishchagin A. A., Kokhanenko A. P., Nikiforov A. I. Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods //25-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2015): материалы конф. [Электронный ресурс]. Севастополь, 2015. P. 707-708. 1 CD-ROM. System requirements: PC Pentium 1 или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка.
44 Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Фицыч Е.И., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Мынбаев К.Д., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В. Долговременная стабильность p-n переходов в МЛЭ гетероструктурах CdxHg1-xTe, сформированных ионным травлением //Сборник научных трудов VIII Международной научной конференции «Функциональная база наноэлектроники». Одесса, 2015. С. 171-175.
45 Жуков А.А., Коротаев А.Г. Методическое и информационное обеспечение курса Основы работы в СДО MOODLE //Инновации на основе информационных и коммуникативных технологий. ИНФО-2015 : материалы XII Междунар. науч.-практ. конф., 1-10 окт. 2015 г., г. Сочи. М.: НИУ ВШЭ, 2015. С. 46-49.
46 Voitsekhovskii A.V., Grigoryev D.V., Korotaev A.G., Kokhanenko A.P., Romanov I.V., Tarasenko V.F., Shulepov M.A. The Influence of a Diffusion Discharge in the Air at Atmospheric Pressure on the Electro-Physical Properties of Narrow-Gap Semicondurtors CdHgTe //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2014. P. 332.
47 Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Мынбаев К.Д. Донорный фон в эпитаксиальных структурах CdHgTe //Конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных ученых). Тезисы докладов. Новосибирск, 2014. С. 64.
48 Pociask-Bialy M., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Mynbaev K.D. Background donor concentration in HgCdTe //Abstracts of E-MRS 2014 Fall Meeting. Warsaw, Poland, 2014. URL:: http://www.emrs-strasbourg.com/index.php?option=com_abstract&task=view&id=283&year=2014&Itemid=&id_season=12(date of access: 10.03.2015.
49 Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А. Влияние облучения на характеристики HgCdTe ИК фотодетекторов //Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения, Материалы международной научно-методической конференции "INTERMATIK-2013" , 2013. г. Москва, 2013. С. 222-227.
50 Мельников А.А., Коротаев А.Г., Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Кульчицкий Н.А. Влияние облучения на характеристики HgCdTe ИК-фотодетекторов //Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения Часть 1. Москва: МГТУ МИРЭА – ИРЭ РАН, 2011. С. 143-148.