Коротаев Александр Григорьевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 54
1) XXVIII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние режимов послеростового отжига на структурные и оптические характеристики микрорезонаторов германия на окисленной поверхности кремния
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.05.2026 - 29.05.2026
2) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Оптическое отражение ионно-имплантированных эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe
Тип доклада секционный
Дата участия 13.10.2025 - 18.10.2025
3) Радиофизика и Электроника. РиЭ-2025. Всероссийская выставка-конкурс научных проектов
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада
Тип доклада без доклада
Дата участия 17.09.2025
4) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Опыт организации и проведения курса "Введение в специальность" для студентов-радиофизиков
Тип доклада секционный
Дата участия 16.09.2025 - 18.09.2025
5) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Программируемые логические контроллеры АО «ЭЛЕСИ» в учебном процессе радиофизического факультета
Тип доклада секционный
Дата участия 16.09.2025 - 18.09.2025
6) Фотоника-2025. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Сравнительный анализ составов носителей заряда в эпитаксиальных пленках CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантированных мышьяком, кремнием и бором
Тип доклада секционный
Дата участия 08.09.2025 - 12.09.2025
7) Фотоника-2025. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Температурная зависимость отношений периодов и интенсивностей дифракционных рефлексов от ступенек разного типа при росте Si на Si(001)
Тип доклада стендовый
Дата участия 08.09.2025 - 12.09.2025
8) СНИИ-2025. XXII Всероссийская конференция Студенческих научных исследований и инноваций
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Радиолокация: сквозь тернии к новым горизонтам
Тип доклада пленарный
Дата участия 12.05.2025 - 15.05.2025
9) Кремний-2024. XV Конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние смены механизма роста на формирование удлиненных квантовых точек германия на кремнии
Тип доклада секционный
Дата участия 15.07.2024 - 20.07.2024
10) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024

Общее число публикаций в рамках конференций - 59
Публикации в рамках конференций
41 Fitsych O.I., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Bonchyk O.Yu., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Swiatek Z, Ozga P. Properties of arsenic-implanted CdxHg1-xTe MBE structures //7th International scientific and technical conference «Sensor Electronics and Microsystem Technologies» (SEMST-7). Ukraine, Odessa, 2016. P. 129.
42 Denis V. Grigoryev, Alexander Voitsekhovskii, Alexandr G. Korotaev, Dmitry V. Lyapunov, Victor F. Tarasenko, Michail A. Shulepov, Michail V. Erofeev, Vasiliiy S. Ripenko, Kirill A. Lozovoy. Influence of a high-frequency pulsed nanosecond diffusion discharGe in the nitrogen atmosphere on the electrical characteristics of a CdHgTe epitaxial films //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2016. P. 273.
43 Denis V. Grigoryev, Alexander Voitsekhovskii, Alexandr G. Korotaev, Andrey P. Kokhanenko, Igor I. Iznin, Kirill A. Lozovoy, Sergey A. Dvoretskii, Nikolay N. Mikhailov. The features of a radiation defect formation at boron implantation in HgCdTe epitaxial films //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2016. P. 274.
44 Dmitry V. Lyapunov, Alexander V. Voitsekhovskii, Igor I. Iznin, Alexandr G. Korotaev, Sergey A. Dvoretskii, P.L. Smirnov. Electrical characteristics of epitaxial CMT after As+ implantation //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2016. P. 276.
45 О.І.Фіцич, І.І. Іжнін, О.В.Войцеховський, О.Г. Коротаєв, В.С. Варавін, С.О. Дворецький, М.М. Михайлов, М.В. Якушев, О.Ю. Бончик, Г.В. Савицький, Rafal Jakiela, Карім Минбаєв. Особливост мплантац As в МПЕ плвках CdхHg1-хTe //7-ма Українська наукова конференція з фізики напівпровідників. Матеріали конференції. Кременчук, 2016. P. 332-333.
46 Коротаев А.Г. Опыт подготовки инженерных кадров в классическом университете //Управление качеством инженерного образования. Возможности ВУЗов и потребности промышленности: Тезисы докладов второй международной научно-практической конференции. Москва, 23-25 июня 2016 г. М.: Изд-во НУК ИУ МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2016. С. 238-239.
47 Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Swiatek Z., Ozga P. Электрофизические и оптические исследования нейтральных дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg1-xTe //Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников. Москва, 2015. С. 333.
48 Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Мынбаев К.Д. Релаксация и долговременная стабильность МЛЭ CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением //ФОТОНИКА - 2015. Тезисы докладов Российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2015. С. 42.
49 Korotaev A. G., Pishchagin A. A., Kokhanenko A. P., Nikiforov A. I. Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods //25-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2015): материалы конф. [Электронный ресурс]. Севастополь, 2015. P. 707-708. 1 CD-ROM. System requirements: PC Pentium 1 или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка.
50 Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Фицыч Е.И., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Мынбаев К.Д., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В. Долговременная стабильность p-n переходов в МЛЭ гетероструктурах CdxHg1-xTe, сформированных ионным травлением //Сборник научных трудов VIII Международной научной конференции «Функциональная база наноэлектроники». Одесса, 2015. С. 171-175.