Коротаев Александр Григорьевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 43
1) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Температурная зависимость длины димерного ряда при эпитаксиальном росте германия на кремнии
Тип доклада стендовый
Дата участия 04.09.2023 - 08.09.2023
2) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2021. IX-я Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Состав носителей в имплантированных бором МЛЭ пленках р-CdHgTe
Тип доклада устный
Дата участия 20.10.2021 - 22.10.2021
3) Фотоника 2021. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках Cd0.3Hg0.7Te: накопление и отжиг
Тип доклада стендовый
Дата участия 04.10.2021 - 08.10.2021
4) Nanotechnology and nanomaterials. NANO-2021. 9th International research and practice conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Fluence dependence of nanosize defect layers in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films studied with TEM/HRTEM
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 25.08.2021 - 27.08.2021
5) Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2020 online). 7th International Congress
Уровень конференции Международный
Тема доклада Accumulation and annealing of radiation donor defects in arsenic–implanted Hg0.7Cd0.3Te films
Тип доклада постер
Дата участия 14.09.2020 - 25.09.2020
6) Nanotechnologies and Nanomaterials NANO-2020. 8th International Conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Nanosize radiation defects in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films of n- and p-type studied with TEM/HRTEM
Тип доклада стендовый
Дата участия 26.08.2020 - 29.08.2020
7) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2019. XI Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние отжига на структурные свойства имплантированных мышьяком слоев CdHgTe по данным оптического отражения
Тип доклада стендовый
Дата участия 21.10.2019 - 25.10.2019
8) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2019. VIII Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком МЛЭ пленках CdHgTe
Тип доклада приглашенный
Дата участия 01.10.2019 - 04.10.2019
9) Полупроводники-2019. XIV Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Активационный отжиг имплантированных As МЛЭ структур CdHgTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.09.2019 - 13.09.2019
10) Nanotechnologies and Nanomaterials NANO-2019. 7th International Conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Nanosize defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with TEM
Тип доклада постер
Дата участия 27.08.2019 - 30.08.2019

Общее число публикаций в рамках конференций - 50
Публикации в рамках конференций
31 Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коротаев А.Г., Коханенко А.П., Ижнин И.И., Савицкий Г.В., Бончик А.Ю., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации бора в эпитаксиальные пленки Hg1-xCdxTe различного состава //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 419-421.
32 Fitsych O.I., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Bonchyk O.Yu., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Swiatek Z, Ozga P. Properties of arsenic-implanted CdxHg1-xTe MBE structures //7th International scientific and technical conference «Sensor Electronics and Microsystem Technologies» (SEMST-7). Ukraine, Odessa, 2016. P. 129.
33 Denis V. Grigoryev, Alexander Voitsekhovskii, Alexandr G. Korotaev, Dmitry V. Lyapunov, Victor F. Tarasenko, Michail A. Shulepov, Michail V. Erofeev, Vasiliiy S. Ripenko, Kirill A. Lozovoy. Influence of a high-frequency pulsed nanosecond diffusion discharGe in the nitrogen atmosphere on the electrical characteristics of a CdHgTe epitaxial films //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2016. P. 273.
34 Denis V. Grigoryev, Alexander Voitsekhovskii, Alexandr G. Korotaev, Andrey P. Kokhanenko, Igor I. Iznin, Kirill A. Lozovoy, Sergey A. Dvoretskii, Nikolay N. Mikhailov. The features of a radiation defect formation at boron implantation in HgCdTe epitaxial films //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2016. P. 274.
35 Dmitry V. Lyapunov, Alexander V. Voitsekhovskii, Igor I. Iznin, Alexandr G. Korotaev, Sergey A. Dvoretskii, P.L. Smirnov. Electrical characteristics of epitaxial CMT after As+ implantation //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2016. P. 276.
36 О.І.Фіцич, І.І. Іжнін, О.В.Войцеховський, О.Г. Коротаєв, В.С. Варавін, С.О. Дворецький, М.М. Михайлов, М.В. Якушев, О.Ю. Бончик, Г.В. Савицький, Rafal Jakiela, Карім Минбаєв. Особливост мплантац As в МПЕ плвках CdхHg1-хTe //7-ма Українська наукова конференція з фізики напівпровідників. Матеріали конференції. Кременчук, 2016. P. 332-333.
37 Коротаев А.Г. Опыт подготовки инженерных кадров в классическом университете //Управление качеством инженерного образования. Возможности ВУЗов и потребности промышленности: Тезисы докладов второй международной научно-практической конференции. Москва, 23-25 июня 2016 г. М.: Изд-во НУК ИУ МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2016. С. 238-239.
38 Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Swiatek Z., Ozga P. Электрофизические и оптические исследования нейтральных дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg1-xTe //Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников. Москва, 2015. С. 333.
39 Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Мынбаев К.Д. Релаксация и долговременная стабильность МЛЭ CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением //ФОТОНИКА - 2015. Тезисы докладов Российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2015. С. 42.
40 Korotaev A. G., Pishchagin A. A., Kokhanenko A. P., Nikiforov A. I. Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods //25-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2015): материалы конф. [Электронный ресурс]. Севастополь, 2015. P. 707-708. 1 CD-ROM. System requirements: PC Pentium 1 или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка.