Олейник Владимир Леонидович

Участие в конференциях
Общее число докладов - 12
1) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада S-диоды для накачки полупроводниковых лазерных диодов
Тип доклада устный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
2) Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем. Школа молодых ученых. АППН-2019
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Температурные зависимости емкостных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlInGaP
Тип доклада устный
Дата участия 26.11.2019 - 28.11.2019
3) Нано и Гига Форум (NGC 2017). Проблемы нано и гига, в электронике, фотонике и возобновляемой энергии. Симпозиум и летняя школа (учебные лекции) Nano and Giga Challenges, in Electronics, Photonics and Renewable Energy. Symposium and Summer School (Tutorial Lectures)
Уровень конференции Международный
Тема доклада Участие в Летней молодежной школе
Тип доклада без доклада
Награды Сертификат участника
Дата участия 18.09.2017 - 22.09.2017
4) Compound Semiconductor Week 2017 (CSW 2017)
Уровень конференции Международный
Тема доклада Degradation of AlInGaP light-emitting diodes with multi-quantum wells exposed by electron irradiation
Тип доклада постер
Дата участия 14.05.2017 - 18.05.2017
5) Системы связи и радионавигации. III Всероссийская научно-техническая конференция
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Термостабильность МДП-конденсаторов на основе SiO2 и Si3N4
Тип доклада устный
Дата участия 22.09.2016 - 23.09.2016
6) Актуальные проблемы радиофизики. АПР 2015. Шестая Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Исследование низкотемпературных электрических характеристик светодиодов из AlGaInP
Тип доклада устный
Дата участия 05.10.2015 - 10.10.2015
7) Системы связи и радионавигации. II Всероссийская научно-техническая конференция
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Низкотемпературные электрические характеристики светодиодов на основе AlGaInP
Тип доклада устный
Дата участия 27.08.2015 - 28.08.2015
8) Всероссийская конференция Студенческих научно-исследовательских инкубаторов
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Исследование светодиодов из AlGaInP методикой спектроскопии адмиттанса
Тип доклада устный
Дата участия 20.05.2015 - 21.05.2015
9) Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов. СНИИ-2014
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Исследование низкотемпературных вольт-амперных характеристик светодиодов из AlGaInP
Тип доклада устный
Дата участия 15.05.2014 - 17.05.2014
10) XIV Российская научная студенческая конференция по физике твёрдого тела
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Низкотемпературные вольт-амперные характеристики AlGaInP светодиодов
Тип доклада устный
Дата участия 13.05.2014 - 15.05.2014

Общее число публикаций в рамках конференций - 19
Публикации в рамках конференций
1 Прудаев И.А., Копьев В.В., Олейник В.Л., Петрова Ю.С. Физические основы работы лавинного S-диода // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 181.
2 S-диоды для накачки полупроводниковых лазерных диодов / В.Л. Олейник, И.А. Прудаев, В.В. Копьев, Ю.С. Петрова [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 163‒164.
3 Копьев В.В., Прудаев И.А., Олейник В.Л., Скакунов М.С. Влияние частоты и температуры на импульсную оптическую мощность лазерной микросборки на основе лавинного S-диода // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 159‒160.
4 Self-powered Photodetectors based on the Ga2O3/n-GaAs / Kalygina V.M., Kiseleva O.S., Kushnarev B.O., Petrova Yu.S. [et al] // Proceedings of 8th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects : EFRE–2022 Congress Proceedings, October 2–8, 2022. Tomsk: TPU Publishing House, 2022. P. 1282‒1288. DOI: 10.56761/EFRE2022.N1-O-027801
5 The application of superfast GaAs switch for nanosecond pumping of a semiconductor laser / M.G. Verkholetov, V.V. Kopyev, V.L. Oleynik, I.A. Prudaev [et al] // Saint Petersburg OPEN 2020. 7th international school and conference on optoelectronics, photonics, engineering and nanostructures : book of abstracts. Saint Petersburg: Academic University Publishing, 2020. P. 201‒202. URL: https://spbopen.spbau.com/PDF/EN/SPBOPEN2020.pdf (date of access: 26.01.2023).
6 Олейник В.Л. Температурные зависимости емкостных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlInGaP //Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», 26-28 ноября 2019 г. : программа и тезисы докладов. Новосибирск: Дигит Про, 2019. С. 28-29.
7 Бессонов Д.В., Олейник В.Л. Исследование вольт-фарадных характеристик светодиодов с множественными квантовыми ямами GaInP/AlGaInP //Труды Пятнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов. 17-18 мая 2018 г. Томск: Изд-во НТЛ, 2018. С. 213-215.
8 Смирнова Т.Е., Копьев В.В., Олейник В.Л. Электрические характеристики высоковольтных лавинных S-диодов на основе арсенида галлия //Радиоэлектроника, электротехника и энергетика: Двадцать четвертая Междунар. науч.-техн. конф. студентов и аспирантов (15–16 марта 2018 г., Москва): Тез. докл. Москва: ООО "Центр полиграфических услуг "Радуга", 2018. С. 378.
9 Smirnova T.E., Kopyev V.V., Oleinik V.L., Prudaev I.A. The influence of the deep level type on a switching time delay of GaAs avalanche S-diodes // Saint Petersburg OPEN 2018. 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Book of Abstracts. St. Petersburg: Academic University Publishing, 2018. P. 504‒505. URL: http://spbopen.spbau.com/PDF/EN/SPBOPEN2018.pdf (date of access: 28.09.2018).
10 И.А. Прудаев, В.В. Копьев, И.С. Романов, В.Л. Олейник, А.Д. Лозинская, А.В. Шемерянкина, и другие. Квантово-размерные эффекты переноса носителей заряда в сверхрешетках и множественных квантовых ямах InGaN/GaN //Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы : тез. докл. 11-й Всерос. конф., 1-3 февр. 2017 г., Москва. М., 2017. С. 158-159.