Прудаев Илья Анатольевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 26
1) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Физические основы работы лавинного S-диода
Тип доклада устный
Награды
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
2) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Приборное моделирование сенсоров из компенсированного GaAs
Тип доклада приглашенный
Награды
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
3) 2022 IEEE International MultiConference on Engineering, Computer and Information Sciences (SIBIRCON)
Уровень конференции Международный
Тема доклада Verkholetov M.G., Prudaev I.A. Multi-Filament Triggering of Superfast HG PCSS // 2022 IEEE International Multi-Conference on Engineering, Computer and Information Sciences (SIBIRCON). [Danvers]: IEEE, 2022. P. 1930‒1933. URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/10016980 (date of access: 30.01.2023).
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Награды
Дата участия 11.11.2022 - 13.11.2022
4) СНИИ-2022. Девятнадцатая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Температурные зависимости вольт-амперных характеристик детекторных структур на основе арсенида галлия, компенсированного хромом / Трофимов М.С., Щербаков И.Д. [и др.] / науч.рук.: Прудаев И.А. // Девятнадцатая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, г. Томск, 4−7 мая 2022 г. Томск: STT, 2022. С. 83‒88.
Тип доклада устный
Награды
Дата участия 04.05.2022 - 07.05.2022
5) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2017. VII Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Свойства пленок оксида галлия, нанесенных ВЧ магнетронным напылением
Тип доклада постер
Награды
Дата участия 18.09.2017 - 22.09.2017
6) XV Российская научная студенческая конференция по физике твердого тела
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Копьев В.В., Романов И.С., Прудаев И.А. Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN //Физика твердого тела : сб. материалов XV Российской научной студенческой конференции (18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия). Томск: Издательский Дом ТГУ, 2016. С. 175-177.
Тип доклада устный
Награды
Дата участия 18.05.2016 - 20.05.2016
7) International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials
Уровень конференции Международный
Тема доклада V.M. Kalygina, V.I. Gaman, I. A. Prudaev, O.P. Tolbanov. Sensor properties of metal-Ga oxide-GaAs structures //IWGO 2015. Kyoto, Japan, 2015. P. 100-101.
Тип доклада постер
Награды
Дата участия 03.11.2015 - 06.11.2015
8) Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах. XI Международная научная конференцияи и XI школа-конференция молодых ученых
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние высокоэнергетической радиации на электронные свойства фосфидов InP, GaP, AlP и параметры светодиодов AlGaInP/GaAs
Тип доклада устный
Награды
Дата участия 31.08.2015 - 10.09.2015
9) 11th International Conference on Nitride Semiconductors
Уровень конференции Международный
Тема доклада Inversion of the temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN LEDs at high current density
Тип доклада постер
Награды
Дата участия 30.08.2015 - 04.09.2015
10) International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON-2015). XI Международная IEEE конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада The optical properties of 9 MeV electron irradiated GaSe crystals
Тип доклада стендовый
Награды
Дата участия 20.05.2015 - 22.05.2015

Общее число публикаций в рамках конференций - 32
Публикации в рамках конференций
1 Verkholetov M.G., Prudaev I.A. Multi-Filament Triggering of Superfast HG PCSS // 2022 IEEE International Multi-Conference on Engineering, Computer and Information Sciences (SIBIRCON). [Danvers]: IEEE, 2022. P. 1930‒1933. URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/10016980 (date of access: 30.01.2023).
2 Barmin V.V., Priputnev P.V., Konev V.Y., Maltsev S.N., Romanchenko I.V., Prudaev I.A. Study of The Switching Characteristics of Gas S-Diodes //2020 7th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE). Proceedings. USA: IEEE, 2020. P. 256-259.
3 The application of superfast GaAs switch for nanosecond pumping of a semiconductor laser / M.G. Verkholetov, V.V. Kopyev, V.L. Oleynik, I.A. Prudaev [et al] // Saint Petersburg OPEN 2020. 7th international school and conference on optoelectronics, photonics, engineering and nanostructures : book of abstracts. Saint Petersburg: Academic University Publishing, 2020. P. 201‒202. URL: https://spbopen.spbau.com/PDF/EN/SPBOPEN2020.pdf (date of access: 26.01.2023).
4 Lipatov E.I., Genin D.E., Burumbaeva K.R., Dzyadukh S.M., Prudaev I.A. Free excitons in diamond: influence on the fundamental edge of optical absorption //Pulsed lasers and laser applications. AMPL-2019 : abstracts of XIV International Conference. Tomsk: STT, 2019. P. 149-150.
5 Smirnova T.E., Kopyev V.V., Oleinik V.L., Prudaev I.A. The influence of the deep level type on a switching time delay of GaAs avalanche S-diodes // Saint Petersburg OPEN 2018. 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Book of Abstracts. St. Petersburg: Academic University Publishing, 2018. P. 504‒505. URL: http://spbopen.spbau.com/PDF/EN/SPBOPEN2018.pdf (date of access: 28.09.2018).
6 V. Kalygina, I. Prudaev, I. Remizova, O. Tolbanov. Photo electrical characteristics of Ga2O3-GaAs structures //2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials, 12-15 september 2017, Parma, IWGO 2017 : programme and abstracts. Parma, 2017. P. P57.
7 В.В. Копьев, И.С. Романов, И.А. Прудаев, А.А. Мармалюк, и другие. Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN //Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы : тез. докл. 11-й Всерос. конф., 1-3 февр. 2017 г., Москва. М., 2017. С. 84-85.
8 И.А. Прудаев, В.В. Копьев, И.С. Романов, В.Л. Олейник, А.Д. Лозинская, А.В. Шемерянкина, и другие. Квантово-размерные эффекты переноса носителей заряда в сверхрешетках и множественных квантовых ямах InGaN/GaN //Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы : тез. докл. 11-й Всерос. конф., 1-3 февр. 2017 г., Москва. М., 2017. С. 158-159.
9 С.С. Хлудков, И.А. Прудаев, О.П. Толбанов. Магнитные свойства нитрида индия //Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы : тез. докл. 11-й Всерос. конф., 1-3 февр. 2017 г., Москва. М., 2017. С. 186-187.
10 V.M. Kalygina, I.A. Prudaev, I.L. Remizova, O.P. Tolbanov. Photoelectric Characteristics of Metal-Ga2O3-GaAs Structures //The International Workshop on UV : materials and devices, 27-31 july 2016. Beijing, 2016. P. 90-91.