Прудаев Илья Анатольевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 26
1) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Физические основы работы лавинного S-диода
Тип доклада устный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
2) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Приборное моделирование сенсоров из компенсированного GaAs
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
3) 2022 IEEE International MultiConference on Engineering, Computer and Information Sciences (SIBIRCON)
Уровень конференции Международный
Тема доклада Multi-Filament Triggering of Superfast HG PCSS
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 11.11.2022 - 13.11.2022
4) СНИИ-2022. Девятнадцатая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Температурные зависимости вольт-амперных характеристик детекторных структур на основе арсенида галлия, компенсированного хромом
Тип доклада устный
Дата участия 04.05.2022 - 07.05.2022
5) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2017. VII Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Свойства пленок оксида галлия, нанесенных ВЧ магнетронным напылением
Тип доклада постер
Дата участия 18.09.2017 - 22.09.2017
6) XV Российская научная студенческая конференция по физике твердого тела
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN
Тип доклада устный
Дата участия 18.05.2016 - 20.05.2016
7) International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials
Уровень конференции Международный
Тема доклада Sensor properties of metal-Ga oxide-GaAs structures
Тип доклада постер
Дата участия 03.11.2015 - 06.11.2015
8) Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах. XI Международная научная конференцияи и XI школа-конференция молодых ученых
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние высокоэнергетической радиации на электронные свойства фосфидов InP, GaP, AlP и параметры светодиодов AlGaInP/GaAs
Тип доклада устный
Дата участия 31.08.2015 - 10.09.2015
9) 11th International Conference on Nitride Semiconductors
Уровень конференции Международный
Тема доклада Inversion of the temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN LEDs at high current density
Тип доклада постер
Дата участия 30.08.2015 - 04.09.2015
10) International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON-2015). XI Международная IEEE конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада The optical properties of 9 MeV electron irradiated GaSe crystals
Тип доклада стендовый
Дата участия 20.05.2015 - 22.05.2015

Общее число публикаций в рамках конференций - 35
Публикации в рамках конференций
1 Прудаев И.А., Копьев В.В., Олейник В.Л., Петрова Ю.С. Физические основы работы лавинного S-диода // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 181.
2 S-диоды для накачки полупроводниковых лазерных диодов / В.Л. Олейник, И.А. Прудаев, В.В. Копьев, Ю.С. Петрова [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 163‒164.
3 Копьев В.В., Прудаев И.А., Олейник В.Л., Скакунов М.С. Влияние частоты и температуры на импульсную оптическую мощность лазерной микросборки на основе лавинного S-диода // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 159‒160.
4 Verkholetov M.G., Prudaev I.A. Multi-Filament Triggering of Superfast HG PCSS // 2022 IEEE International Multi-Conference on Engineering, Computer and Information Sciences (SIBIRCON). [Danvers]: IEEE, 2022. P. 1930‒1933. URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/10016980 (date of access: 30.01.2023).
5 Barmin V.V., Priputnev P.V., Konev V.Y., Maltsev S.N., Romanchenko I.V., Prudaev I.A. Study of The Switching Characteristics of Gas S-Diodes //2020 7th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE). Proceedings. USA: IEEE, 2020. P. 256-259.
6 The application of superfast GaAs switch for nanosecond pumping of a semiconductor laser / M.G. Verkholetov, V.V. Kopyev, V.L. Oleynik, I.A. Prudaev [et al] // Saint Petersburg OPEN 2020. 7th international school and conference on optoelectronics, photonics, engineering and nanostructures : book of abstracts. Saint Petersburg: Academic University Publishing, 2020. P. 201‒202. URL: https://spbopen.spbau.com/PDF/EN/SPBOPEN2020.pdf (date of access: 26.01.2023).
7 Lipatov E.I., Genin D.E., Burumbaeva K.R., Dzyadukh S.M., Prudaev I.A. Free excitons in diamond: influence on the fundamental edge of optical absorption //Pulsed lasers and laser applications. AMPL-2019 : abstracts of XIV International Conference. Tomsk: STT, 2019. P. 149-150.
8 Smirnova T.E., Kopyev V.V., Oleinik V.L., Prudaev I.A. The influence of the deep level type on a switching time delay of GaAs avalanche S-diodes // Saint Petersburg OPEN 2018. 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Book of Abstracts. St. Petersburg: Academic University Publishing, 2018. P. 504‒505. URL: http://spbopen.spbau.com/PDF/EN/SPBOPEN2018.pdf (date of access: 28.09.2018).
9 V. Kalygina, I. Prudaev, I. Remizova, O. Tolbanov. Photo electrical characteristics of Ga2O3-GaAs structures //2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials, 12-15 september 2017, Parma, IWGO 2017 : programme and abstracts. Parma, 2017. P. P57.
10 В.В. Копьев, И.С. Романов, И.А. Прудаев, А.А. Мармалюк, и другие. Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN //Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы : тез. докл. 11-й Всерос. конф., 1-3 февр. 2017 г., Москва. М., 2017. С. 84-85.