ТГУ.Сотрудники
Яковлев Никита Николаевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 10
1) Физические и физико-химические основы ионной имплантации. IX Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов
| Уровень конференции | Всероссийский |
| Тема доклада | Структурные, электропроводящие и газочувствительные свойства тонких плёнок Ga2O3, TiO2 и Cr2O3, полученных методом IBSD |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 20.10.2024 - 25.10.2024 |
2) Химия твёрдого тела и функциональные материалы 2024. XIII Всероссийская конференция с международным участием
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Фотоэлектрические характеристики диодов с барьером Шоттки на основе Pt/(100) β-Ga2O3 |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 16.09.2024 - 20.09.2024 |
3) Химия твёрдого тела и функциональные материалы 2024. XIII Всероссийская конференция с международным участием
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Диод с барьером Шоттки β-Ga2O3 с полуизолирующим слоем, нанесенным методом IBS |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 16.09.2024 - 20.09.2024 |
4) Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики. Всероссийская научная конференция с международным участием
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Ga2O3 для приборов силовой и сенсорной электроники |
| Тип доклада | устный |
| Дата участия | 10.09.2024 - 13.09.2024 |
5) Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики. Всероссийская научная конференция с международным участием
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Диоды с барьером Шоттки на основе β-Ga2O3 |
| Тип доклада | устный |
| Дата участия | 10.09.2024 - 13.09.2024 |
6) Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики. Всероссийская научная конференция с международным участием
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Фотоэлектрические свойства диода с барьером Шоттки на основе Pt/(100) β-Ga2O3 |
| Тип доклада | устный |
| Дата участия | 10.09.2024 - 13.09.2024 |
7) Advances in science and technology. XLVII Международная научно-практическая конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Датчики низких концентраций NO2 на основе тонких пленок диоксида олова с добавками золота и никеля |
| Тип доклада | устный |
| Дата участия | 15.09.2022 |
8) Open Science 2021. VIII Всероссийский молодежный научный форум
| Уровень конференции | Всероссийский |
| Тема доклада | Селективные сенсоры водорода на основе структур Pt-α-Ga2O3:Sn-Pt |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 17.11.2021 - 19.11.2021 |
9) XXI Всероссийская школа - семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-21)
| Уровень конференции | Всероссийский |
| Тема доклада | Сенсоры низких концентраций Н2 на основе структур Pt/α-Ga2O3/ε-Ga2O3/Pt с островковыми слоями платины на поверхности |
| Тип доклада | секционный |
| Награды | Диплом за лучший научный доклад |
| Дата участия | 18.03.2021 - 25.03.2021 |
10) 2019 International Multi-Conference on Engineering, Computer and Information Sciences (SIBIRCON)
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | The Effect of Optical Radiation on the Properties of Nitrogen Dioxide Sensors Based on Thin Films of Tungsten Trioxide Modified with Gold |
| Тип доклада | устный |
| Дата участия | 23.10.2019 - 24.10.2019 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 18
Публикации в рамках конференций
| 1 | Цымбалов А.В., Алмаев А.В., Яковлев Н.Н. Фотоэлектрические характеристики диодов с барьером Шоттки на основе Pt/(100) β-Ga2O3 // XIII Всероссийская конференция с международным участием «Химия твёрдого тела и функциональные материалы 2024». : тезисы докладов. СПб.: Новбытхим, 2024. С. 409. |
|
|
| 2 | Яковлев Н.Н., Алмаев А.В. Диод с барьером Шоттки β-Ga₂O₃ с полуизолирующим слоем, нанесенным методом IBS // XIII Всероссийская конференция с международным участием «Химия твёрдого тела и функциональные материалы 2024». : тезисы докладов. СПб.: Новбытхим, 2024. С. 421. |
|
|
| 3 | Алмаев А.В., Яковлев Н.Н., Кушнарёв Б.О. Структурные, электропроводящие и газочувствительные свойства тонких плёнок Ga₂O₃, TiO₂ и Cr₂O₃, полученных методом IBSD // Физические и физико-химические основы ионной имплантации : тезисы докладов IX Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 22–25 октября 2024 г.). Н. Новгород, 2024. С. 31. |
|
|
| 4 | Алмаев А.В., Яковлев Н.Н., Цымбалов А.В. GА2O3 для приборов силовой и сенсорной электроники // Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы Всероссийской конференции с международным участием, 10–13 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2024. С. 73. |
|
|
| 5 | Яковлев Н.Н., Алмаев А.В. Диоды с барьером Шоттки на основе β-Ga₂O₃ // Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы Всероссийской конференции с международным участием, 10–13 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2024. С. 67. |
|
|
| 6 | Цымбалов А.В., Алмаев А.В., Яковлев Н.Н. Фотоэлектрические свойства диода с барьером Шоттки на основе Pt/(100) β-Ga2O3 // Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы Всероссийской конференции с международным участием, 10–13 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2024. С. 68. |
|
|
| 7 | Тонкие пленки TiO2, полученные методом атомно-слоевого осаждения, с высокой чувствительностью и селективностью к O2 / Д.А. Алмаев, А.В. Алмаев, Н.Н. Яковлев, М.Г. Верхолетов [и др.] // XII Всероссийская научно-техническая конференция "Электроника и микроэлектроника СВЧ": сборник докладов. Санкт-Петербург, 29 мая - 2 июня 2023 г. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2023. С. 34‒38. URL: https://mwelectronics.etu.ru/assets/files/2023/novoe/034-038.pdf (дата обращения: 31.08.2023). |
|
|
| 8 | Корчемагин А.О., Яковлев Н.Н. Сенсоры водорода для аппаратов ВДТ на основе ПМО // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 177‒179. |
|
|
| 9 | Яковлев Н.Н., Алмаев А.В. Селективные сенсоры водорода на основе структур Pt-α-Ga2O3:Sn-Pt // Сборник тезисов VIII Всероссийского молодёжного научного форума "Open Science 2021". Гатчина, 2022. С. 150. |
|
|
| 10 | Влияние имплантации ионов Si+ на газовую чувствительность плёнок αGa2O3 / Н.Н. Яковлев, А.В. Алмаев, П.Н. Бутенко, А.Н. Михайлов [и др.] // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов VIII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Казань, 11–14 октября 2022 г.). Н. Новгород, 2022. С. 24. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность