ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 256
81) Полупроводники-2019. XIV Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.09.2019 - 13.09.2019
82) Nanotechnologies and Nanomaterials NANO-2019. 7th International Conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Unipolar superlattice structures based on MBE HgCdTe for infrared detection
Тип доклада постер
Дата участия 27.08.2019 - 30.08.2019
83) Nanotechnologies and Nanomaterials NANO-2019. 7th International Conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Epitaxial synthesis of 2D materials of group IV elements
Тип доклада постер
Дата участия 27.08.2019 - 30.08.2019
84) Nanotechnologies and Nanomaterials NANO-2019. 7th International Conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Nanosize defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with TEM
Тип доклада постер
Дата участия 27.08.2019 - 30.08.2019
85) 21-st International conference on surface modification of materials by ion beams (SMMIB-2019)
Уровень конференции Международный
Тема доклада Admittance studies of modification of HgCdTesurface properties with ion implantation and thermal annealing
Тип доклада постер
Дата участия 25.08.2019 - 30.08.2019
86) 21-st International conference on surface modification of materials by ion beams (SMMIB-2019)
Уровень конференции Международный
Тема доклада Hall effect studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing
Тип доклада постер
Дата участия 25.08.2019 - 30.08.2019
87) 21-st International conference on surface modification of materials by ion beams (SMMIB-2019)
Уровень конференции Международный
Тема доклада Kinetics of formation of nanostructures by Frank-van der Merwe, Volmer-Weber and Stranski-Krastanow growth modes
Тип доклада постер
Дата участия 25.08.2019 - 30.08.2019
88) 21-st International conference on surface modification of materials by ion beams (SMMIB-2019)
Уровень конференции Международный
Тема доклада The relaxation of electrophysical properties HgCdTeepitaxial films affected by plasma of high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air
Тип доклада постер
Дата участия 25.08.2019 - 30.08.2019
89) Фотоника-2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Радиационные донорные дефекты в имплантированных As пленках МЛЭ CdHgTe: пространственное распределение и природа
Тип доклада устный
Дата участия 27.05.2019 - 31.05.2019
90) Фотоника-2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Оптимизация режимов эпитаксиального синтеза структур с квантовыми точками для фотоприемников и солнечных элементов
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.05.2019 - 31.05.2019

Общее число публикаций в рамках конференций - 247
Публикации в рамках конференций
1 Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286.
2 Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607.
3 Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 326‒328. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-326
4 Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329
5 Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 334‒335. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-334
6 Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.В. Степанченко, А.П. Мелехов [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 339‒341. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-339
7 Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305.
8 Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541.
9 Рост nBn-структур на основе твердых растворов СdHgTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов / А.В. Войцеховский, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 685‒686.
10 Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.П. Мелехов [и др.] // IX Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023. С. 43.

Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность