ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 261
81) XIV Международная конференция по импульсным лазерам и применением лазеров. XIV International conference on pulsed lasers and laser applications – AMPL-2019
Уровень конференции Международный
Тема доклада Designing laser systems for the diagnosis of gas-aerosol media
Тип доклада секционный
Дата участия 15.09.2019 - 20.09.2019
82) Полупроводники-2019. XIV Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Кинетические модели роста наноструктур по механизмам Франка-ван дер Мерве, Фольмера-Вебера и Странского-Крастанова
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.09.2019 - 13.09.2019
83) Полупроводники-2019. XIV Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Механизм формирования рельефа поверхности эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe при лазерном облучении
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.09.2019 - 13.09.2019
84) Полупроводники-2019. XIV Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Активационный отжиг имплантированных As МЛЭ структур CdHgTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.09.2019 - 13.09.2019
85) Полупроводники-2019. XIV Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Диагностика многослойных структур на основе органических полупроводников при помощи методов спектроскопии адмиттанса и переходной электролюминесценции
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.09.2019 - 13.09.2019
86) Полупроводники-2019. XIV Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.09.2019 - 13.09.2019
87) Nanotechnologies and Nanomaterials NANO-2019. 7th International Conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Unipolar superlattice structures based on MBE HgCdTe for infrared detection
Тип доклада постер
Дата участия 27.08.2019 - 30.08.2019
88) Nanotechnologies and Nanomaterials NANO-2019. 7th International Conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Epitaxial synthesis of 2D materials of group IV elements
Тип доклада постер
Дата участия 27.08.2019 - 30.08.2019
89) Nanotechnologies and Nanomaterials NANO-2019. 7th International Conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Nanosize defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with TEM
Тип доклада постер
Дата участия 27.08.2019 - 30.08.2019
90) 21-st International conference on surface modification of materials by ion beams (SMMIB-2019)
Уровень конференции Международный
Тема доклада Admittance studies of modification of HgCdTesurface properties with ion implantation and thermal annealing
Тип доклада постер
Дата участия 25.08.2019 - 30.08.2019

Общее число публикаций в рамках конференций - 250
Публикации в рамках конференций
1 Электрические характеристики nB(SL)n - структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 275‒276.
2 Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286.
3 Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607.
4 Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 326‒328. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-326
5 Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329
6 Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 334‒335. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-334
7 Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.В. Степанченко, А.П. Мелехов [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 339‒341. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-339
8 Каширский Д.Е., Войцеховский А.В., Горн Д.И. Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013) // Новые информационные технологии в исследовании сложных структур : материалы Пятнадцатой Международной конференции, 16–20 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. гос. ун-та, 2024. С. 35‒36.
9 Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XVI Российская конференция по физике полупроводников (XVI РКФП), 7–11 октября 2024 года, Санкт-Петербург : тезисы докладов. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 2024. С. 133.
10 Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305.

Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность