Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 262
71) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2019. XI Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Униполярные барьерные структуры на основе МЛЭ HgCdTe для детектирования излучения в спектральном диапазоне 3-5 мкм
Тип доклада стендовый
Дата участия 21.10.2019 - 25.10.2019
72) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2019. XI Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизм формирования рельефа поверхности эпитаксиальных слоев CdHgTe при лазерном облучении
Тип доклада стендовый
Дата участия 21.10.2019 - 25.10.2019
73) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2019. XI Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние отжига на структурные свойства имплантированных мышьяком слоев CdHgTe по данным оптического отражения
Тип доклада стендовый
Дата участия 21.10.2019 - 25.10.2019
74) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2019. VIII Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Гибридный подход к разработке лазерных систем зондирования газово-аэрозольных сред
Тип доклада секционный
Дата участия 01.10.2019 - 04.10.2019
75) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2019. VIII Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Подвижность носителей заряда в OLED структурах с излучающими слоями ЯК-203 и Alq3
Тип доклада секционный
Дата участия 01.10.2019 - 04.10.2019
76) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2019. VIII Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Адмиттанс многослойных органо-неорганических систем на основе пентацена в широком диапазоне температур
Тип доклада секционный
Дата участия 01.10.2019 - 04.10.2019
77) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2019. VIII Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики MWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe
Тип доклада открытая лекция в рамках конференции
Дата участия 01.10.2019 - 04.10.2019
78) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2019. VIII Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние различных стадий процессов ионной имплантации и отжига в МЛЭ HgCdTe на адмиттанс тестовых структур металл–диэлектрик–полупроводник
Тип доклада секционный
Дата участия 01.10.2019 - 04.10.2019
79) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2019. VIII Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Рост квантовых точек Ge на окисленной поверхности Si
Тип доклада секционный
Дата участия 01.10.2019 - 04.10.2019
80) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2019. VIII Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком МЛЭ пленках CdHgTe
Тип доклада открытая лекция в рамках конференции
Дата участия 01.10.2019 - 04.10.2019

Общее число публикаций в рамках конференций - 251
Публикации в рамках конференций
1 Электрические характеристики nB(SL)n - структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 275‒276.
2 Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника. XXIX симпозиум, 10–14 марта 2025 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Н. Новгород, 2025. С. 346.
3 Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286.
4 Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607.
5 Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 326‒328. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-326
6 Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329
7 Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 334‒335. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-334
8 Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.В. Степанченко, А.П. Мелехов [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 339‒341. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-339
9 Каширский Д.Е., Войцеховский А.В., Горн Д.И. Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013) // Новые информационные технологии в исследовании сложных структур : материалы Пятнадцатой Международной конференции, 16–20 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. гос. ун-та, 2024. С. 35‒36.
10 Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XVI Российская конференция по физике полупроводников (XVI РКФП), 7–11 октября 2024 года, Санкт-Петербург : тезисы докладов. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 2024. С. 133.