Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 250
71) Полупроводники-2019. XIV Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции | Всероссийский |
Тема доклада | Лозовой К.А., Коханенко А.П., Дирко В.В., Войцеховский А.В. Кинетические модели роста наноструктур по механизмам Франка-ван дер Мерве, Фольмера-Вебера и Странского-Крастанова //XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Ч. 1. М.: Перо, 2019. С. 111. |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 09.09.2019 - 13.09.2019 |
72) Полупроводники-2019. XIV Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции | Всероссийский |
Тема доклада | Средин В.Г., Сахаров М.В., Войцеховский А.В. Механизм формирования рельефа поверхности эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe при лазерном облучении // XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Ч. 1. М.: Перо, 2019. С. 134. DOI: 10.34077/Semicond2019-134 |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 09.09.2019 - 13.09.2019 |
73) Полупроводники-2019. XIV Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции | Всероссийский |
Тема доклада | Активационный отжиг имплантированных As МЛЭ структур CdHgTe / Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Дворецкий С.А. [и др.] // XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Ч. 2. М.: Перо, 2019. С. 324. DOI: 10.34077/Semicond2019-324 |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 09.09.2019 - 13.09.2019 |
74) Полупроводники-2019. XIV Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции | Всероссийский |
Тема доклада | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Коханенко А.П., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М. Диагностика многослойных структур на основе органических полупроводников при помощи методов спектроскопии адмиттанса и переходной электролюминесценции //XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Ч. 2. М.: Перо, 2019. С. 373. |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 09.09.2019 - 13.09.2019 |
75) Полупроводники-2019. XIV Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции | Всероссийский |
Тема доклада | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю. Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках //XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Ч. 2. М.: Перо, 2019. С. 439. |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 09.09.2019 - 13.09.2019 |
76) Nanotechnologies and Nanomaterials NANO-2019. 7th International Conference
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Unipolar superlattice structures based on MBE HgCdTe for infrared detection / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2019) : abstract book, 27-30 august 2019, Lviv. Kiev: LLC "Computer-publishing, information center", 2019. P. 489. |
Тип доклада | постер |
Дата участия | 27.08.2019 - 30.08.2019 |
77) Nanotechnologies and Nanomaterials NANO-2019. 7th International Conference
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Epitaxial synthesis of 2D materials of group IV elements / Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A., Dirko V.V. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2019) : abstract book, 27-30 august 2019, Lviv. Kiev: LLC "Computer-publishing, information center", 2019. P. 65. |
Тип доклада | постер |
Дата участия | 27.08.2019 - 30.08.2019 |
78) Nanotechnologies and Nanomaterials NANO-2019. 7th International Conference
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Nanosize defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with TEM / Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Dvoretsky S.A., Bonchyk O.Yu. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2019) : abstract book, 27-30 august 2019, Lviv. Kiev: LLC "Computer-publishing, information center", 2019. P. 493. |
Тип доклада | постер |
Дата участия | 27.08.2019 - 30.08.2019 |
79) 21-st International conference on surface modification of materials by ion beams (SMMIB-2019)
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Admittance studies of modification of HgCdTesurface properties with ion implantation and thermal annealing / Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I., Nesmelov S.N. [et al] // The 21st international conference on surface modification of materials by lon beams. SMMIB-2019, 25-30 august 2019, Tomsk : abstract book. Tomsk, 2019. P. 147. |
Тип доклада | постер |
Дата участия | 25.08.2019 - 30.08.2019 |
80) 21-st International conference on surface modification of materials by ion beams (SMMIB-2019)
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Hall effect studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing / Korotaev A.G., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N. [et al] // The 21st international conference on surface modification of materials by lon beams. SMMIB-2019, 25-30 august 2019, Tomsk : abstract book. Tomsk, 2019. P. 148. |
Тип доклада | постер |
Дата участия | 25.08.2019 - 30.08.2019 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 239
Публикации в рамках конференций
1 | Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305. |
|
|
2 | Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541. |
|
|
3 | Рост nBn-структур на основе твердых растворов СdHgTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов / А.В. Войцеховский, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 685‒686. |
|
|
4 | Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.П. Мелехов [и др.] // IX Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023. С. 43. |
|
|
5 | Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов / Н.Н. Михайлов, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, Варавин В.С. [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 85. DOI: 10.34077/RCSP2023-85 |
|
|
6 | Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 143. DOI: 10.34077/RCSP2023-143 |
|
|
7 | Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 267‒269. |
|
|
8 | Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне / С.М. Дзядух, А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 270‒271. |
|
|
9 | К вопросу о дефектообразовании под действием мягкого рентгеновского излучения в структурах на основе антимонида индия / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.А. Степаненко [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 295‒296. |
|
|
10 | Экспериментальное исследование барьерных nBvN-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR и LWIR спектральных областях / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Дворецкий С.А. [и др.] // XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022, Москва : тезисы докладов. Москва: АО "НПО Орион", 2022. С. 249‒251. DOI: 10.51368/978-5-7164-1173-9-2022-249 |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность