Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 258
71) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2019. VIII Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Подвижность носителей заряда в OLED структурах с излучающими слоями ЯК-203 и Alq3
Тип доклада устный
Дата участия 01.10.2019 - 04.10.2019
72) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2019. VIII Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Адмиттанс многослойных органо-неорганических систем на основе пентацена в широком диапазоне температур
Тип доклада устный
Дата участия 01.10.2019 - 04.10.2019
73) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2019. VIII Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики MWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe
Тип доклада приглашенный
Дата участия 01.10.2019 - 04.10.2019
74) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2019. VIII Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние различных стадий процессов ионной имплантации и отжига в МЛЭ HgCdTe на адмиттанс тестовых структур металл–диэлектрик–полупроводник
Тип доклада устный
Дата участия 01.10.2019 - 04.10.2019
75) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2019. VIII Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Рост квантовых точек Ge на окисленной поверхности Si
Тип доклада устный
Дата участия 01.10.2019 - 04.10.2019
76) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2019. VIII Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком МЛЭ пленках CdHgTe
Тип доклада приглашенный
Дата участия 01.10.2019 - 04.10.2019
77) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2019. VIII Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада К проблеме дефектообразования в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы
Тип доклада устный
Дата участия 01.10.2019 - 04.10.2019
78) XIV Международная конференция по импульсным лазерам и применением лазеров. XIV International conference on pulsed lasers and laser applications – AMPL-2019
Уровень конференции Международный
Тема доклада Designing laser systems for the diagnosis of gas-aerosol media
Тип доклада устный
Дата участия 15.09.2019 - 20.09.2019
79) Полупроводники-2019. XIV Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Кинетические модели роста наноструктур по механизмам Франка-ван дер Мерве, Фольмера-Вебера и Странского-Крастанова
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.09.2019 - 13.09.2019
80) Полупроводники-2019. XIV Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Механизм формирования рельефа поверхности эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe при лазерном облучении
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.09.2019 - 13.09.2019

Общее число публикаций в рамках конференций - 249
Публикации в рамках конференций
1 Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286.
2 Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607.
3 Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 326‒328. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-326
4 Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329
5 Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 334‒335. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-334
6 Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.В. Степанченко, А.П. Мелехов [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 339‒341. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-339
7 Каширский Д.Е., Войцеховский А.В., Горн Д.И. Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013) // Новые информационные технологии в исследовании сложных структур : материалы Пятнадцатой Международной конференции, 16–20 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. гос. ун-та, 2024. С. 35‒36.
8 Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XVI Российская конференция по физике полупроводников (XVI РКФП), 7–11 октября 2024 года, Санкт-Петербург : тезисы докладов. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 2024. С. 133.
9 Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305.
10 Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541.