Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 262
61) НАНО 2020. VII Всероссийская конференция по наноматериалам
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Импеданс органических светоизлучающих диодов с термически активированной замедленной флуоресценцией
Тип доклада стендовый
Дата участия 18.05.2020 - 22.05.2020
62) IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Сигнальные и темновые свойства инфракрасных барьерных детекторов на основе теллурида кадмия ртути
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.01.2020 - 31.01.2020
63) IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Импеданс органических светодиодных структур с термоактивированной замедленной флуоресценцией
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.01.2020 - 31.01.2020
64) IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Микроскопический механизм формирования поверхностных дефектов в CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.01.2020 - 31.01.2020
65) Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов. Восьмая Международная конференция, посвященная 150-летию открытия Д.И. Менделеевым Периодического закона химических элементов
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизмы формирования темнового тока в униполярных барьерных структурах на основе КРТ, вырашенного методом молекулярно-лучевой эптаксии
Тип доклада стендовый
Дата участия 05.11.2019 - 08.11.2019
66) Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов. Восьмая Международная конференция, посвященная 150-летию открытия Д.И. Менделеевым Периодического закона химических элементов
Уровень конференции Международный
Тема доклада Исследование параметров дефектов в многослойных органических структурах путем низкотемпературных измерений адмиттанса
Тип доклада стендовый
Дата участия 05.11.2019 - 08.11.2019
67) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2019. XI Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Дистанционная диагностика газовых неоднородных сред оптическими методами
Тип доклада стендовый
Дата участия 21.10.2019 - 25.10.2019
68) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2019. XI Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Параметры фотоприемников и солнечных элементов с квантовыми точками Ge/Si
Тип доклада стендовый
Дата участия 21.10.2019 - 25.10.2019
69) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2019. XI Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Теоретическое исследование вольт-амперных характеристик фоточувствительных nBn структур крт для ближнего и среднего ИК диапазонов
Тип доклада стендовый
Дата участия 21.10.2019 - 25.10.2019
70) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2019. XI Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизическая и оптическая диагностика новых типов многослойных структур для приборов органической фотоники
Тип доклада стендовый
Дата участия 21.10.2019 - 25.10.2019

Общее число публикаций в рамках конференций - 251
Публикации в рамках конференций
1 Электрические характеристики nB(SL)n - структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 275‒276.
2 Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника. XXIX симпозиум, 10–14 марта 2025 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Н. Новгород, 2025. С. 346.
3 Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286.
4 Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607.
5 Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 326‒328. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-326
6 Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329
7 Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 334‒335. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-334
8 Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.В. Степанченко, А.П. Мелехов [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 339‒341. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-339
9 Каширский Д.Е., Войцеховский А.В., Горн Д.И. Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013) // Новые информационные технологии в исследовании сложных структур : материалы Пятнадцатой Международной конференции, 16–20 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. гос. ун-та, 2024. С. 35‒36.
10 Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XVI Российская конференция по физике полупроводников (XVI РКФП), 7–11 октября 2024 года, Санкт-Петербург : тезисы докладов. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 2024. С. 133.