ТГУ.Сотрудники
Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 258
61) Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов. Восьмая Международная конференция, посвященная 150-летию открытия Д.И. Менделеевым Периодического закона химических элементов
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Механизмы формирования темнового тока в униполярных барьерных структурах на основе КРТ, вырашенного методом молекулярно-лучевой эптаксии |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 05.11.2019 - 08.11.2019 |
62) Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов. Восьмая Международная конференция, посвященная 150-летию открытия Д.И. Менделеевым Периодического закона химических элементов
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Исследование параметров дефектов в многослойных органических структурах путем низкотемпературных измерений адмиттанса |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 05.11.2019 - 08.11.2019 |
63) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2019. XI Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Дистанционная диагностика газовых неоднородных сред оптическими методами |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 21.10.2019 - 25.10.2019 |
64) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2019. XI Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Параметры фотоприемников и солнечных элементов с квантовыми точками Ge/Si |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 21.10.2019 - 25.10.2019 |
65) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2019. XI Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Теоретическое исследование вольт-амперных характеристик фоточувствительных nBn структур крт для ближнего и среднего ИК диапазонов |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 21.10.2019 - 25.10.2019 |
66) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2019. XI Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрофизическая и оптическая диагностика новых типов многослойных структур для приборов органической фотоники |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 21.10.2019 - 25.10.2019 |
67) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2019. XI Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Униполярные барьерные структуры на основе МЛЭ HgCdTe для детектирования излучения в спектральном диапазоне 3-5 мкм |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 21.10.2019 - 25.10.2019 |
68) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2019. XI Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Механизм формирования рельефа поверхности эпитаксиальных слоев CdHgTe при лазерном облучении |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 21.10.2019 - 25.10.2019 |
69) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2019. XI Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Влияние отжига на структурные свойства имплантированных мышьяком слоев CdHgTe по данным оптического отражения |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 21.10.2019 - 25.10.2019 |
70) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2019. VIII Международная научно-практическая конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Гибридный подход к разработке лазерных систем зондирования газово-аэрозольных сред |
| Тип доклада | устный |
| Дата участия | 01.10.2019 - 04.10.2019 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 249
Публикации в рамках конференций
| 1 | Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286. |
|
|
| 2 | Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607. |
|
|
| 3 | Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 326‒328. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-326 |
|
|
| 4 | Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329 |
|
|
| 5 | Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 334‒335. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-334 |
|
|
| 6 | Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.В. Степанченко, А.П. Мелехов [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 339‒341. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-339 |
|
|
| 7 | Каширский Д.Е., Войцеховский А.В., Горн Д.И. Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013) // Новые информационные технологии в исследовании сложных структур : материалы Пятнадцатой Международной конференции, 16–20 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. гос. ун-та, 2024. С. 35‒36. |
|
|
| 8 | Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XVI Российская конференция по физике полупроводников (XVI РКФП), 7–11 октября 2024 года, Санкт-Петербург : тезисы докладов. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 2024. С. 133. |
|
|
| 9 | Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305. |
|
|
| 10 | Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность