ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 261
51) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2020. XII Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Темновой ток и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе теллурида кадмия и ртути
Тип доклада стендовый
Дата участия 19.10.2020 - 23.10.2020
52) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2020. XII Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Импеданс многослойных структур, перспективных для создания органических светодиодов
Тип доклада стендовый
Дата участия 19.10.2020 - 23.10.2020
53) Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2020 online). 7th International Congress
Уровень конференции Международный
Тема доклада Accumulation and annealing of radiation donor defects in arsenic–implanted Hg0.7Cd0.3Te films
Тип доклада постер
Дата участия 14.09.2020 - 25.09.2020
54) Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2020 online). 7th International Congress
Уровень конференции Международный
Тема доклада Peculiarities of the external photoelectric effect in narrow-band sem-iconductors caused by soft X-ray radiation
Тип доклада постер
Дата участия 14.09.2020 - 25.09.2020
55) Nanotechnologies and Nanomaterials NANO-2020. 8th International Conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Single-photon avalanche diode detectors based on group IV nanostructures
Тип доклада стендовый
Дата участия 26.08.2020 - 29.08.2020
56) Nanotechnologies and Nanomaterials NANO-2020. 8th International Conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 26.08.2020 - 29.08.2020
57) Nanotechnologies and Nanomaterials NANO-2020. 8th International Conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Nanosize radiation defects in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films of n- and p-type studied with TEM/HRTEM
Тип доклада стендовый
Дата участия 26.08.2020 - 29.08.2020
58) НАНО 2020. VII Всероссийская конференция по наноматериалам
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Эпитаксиальное выращивание двумерных материалов по механизму Франка-Ван дер Мерве
Тип доклада стендовый
Дата участия 18.05.2020 - 22.05.2020
59) НАНО 2020. VII Всероссийская конференция по наноматериалам
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Многослойные униполярные системы на основе HgCdTe для инфракрасного детектирования
Тип доклада стендовый
Дата участия 18.05.2020 - 22.05.2020
60) НАНО 2020. VII Всероссийская конференция по наноматериалам
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Импеданс органических светоизлучающих диодов с термически активированной замедленной флуоресценцией
Тип доклада стендовый
Дата участия 18.05.2020 - 22.05.2020

Общее число публикаций в рамках конференций - 250
Публикации в рамках конференций
1 Электрические характеристики nB(SL)n - структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 275‒276.
2 Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286.
3 Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607.
4 Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 326‒328. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-326
5 Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329
6 Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 334‒335. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-334
7 Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.В. Степанченко, А.П. Мелехов [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 339‒341. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-339
8 Каширский Д.Е., Войцеховский А.В., Горн Д.И. Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013) // Новые информационные технологии в исследовании сложных структур : материалы Пятнадцатой Международной конференции, 16–20 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. гос. ун-та, 2024. С. 35‒36.
9 Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XVI Российская конференция по физике полупроводников (XVI РКФП), 7–11 октября 2024 года, Санкт-Петербург : тезисы докладов. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 2024. С. 133.
10 Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305.

Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность