ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 270
51) Nanotechnology and nanomaterials. NANO-2021. 9th International research and practice conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Single element 2D materials and methods of their epitaxial synthesis
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 25.08.2021 - 27.08.2021
52) Nanotechnology and nanomaterials. NANO-2021. 9th International research and practice conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Fluence dependence of nanosize defect layers in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films studied with TEM/HRTEM
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 25.08.2021 - 27.08.2021
53) Нанофизика и наноэлектроника. XXV Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Униполярные nBn-структуры и детекторы на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.03.2021 - 12.03.2021
54) X Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Темновые токи бариодных структур на основе теллурида кадмия ртути для средне- и длинноволновых инфракрасных детекторов
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.01.2021 - 29.01.2021
55) X Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Адмиттанс МДП-приборов на основе теллурида кадмия ртути с одиночными квантовыми ямами теллурида ртути в активной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.01.2021 - 29.01.2021
56) Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем АППН-2020. Школа молодых ученых
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Темновые токи и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе МЛЭ HgCdTe
Тип доклада открытая лекция в рамках конференции
Дата участия 14.12.2020 - 16.12.2020
57) Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем АППН-2020. Школа молодых ученых
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Адмиттанс тестовых МДП-приборов на основе nBn-структур из МЛЭ HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 14.12.2020 - 16.12.2020
58) Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем АППН-2020. Школа молодых ученых
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Электрофизические свойства МДП-структур на основе пентацена в широком диапазоне температур
Тип доклада стендовый
Дата участия 14.12.2020 - 16.12.2020
59) Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем АППН-2020. Школа молодых ученых
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Рост наноструктур по механизму Фольмера–Вебера
Тип доклада стендовый
Дата участия 14.12.2020 - 16.12.2020
60) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2020. XII Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Темновой ток и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе теллурида кадмия и ртути
Тип доклада стендовый
Дата участия 19.10.2020 - 23.10.2020

Общее число публикаций в рамках конференций - 259
Публикации в рамках конференций
1 Электрические характеристики nB(SL)n - структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 275‒276.
2 Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника. XXIX симпозиум, 10–14 марта 2025 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Н. Новгород, 2025. С. 346.
3 Сравнительный анализ составов носителей заряда в эпитаксиальных пленках CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантированных мышьяком, кремнием и бором / И.И. Ижнин, А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, К.Д. Мынбаев [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 22.
4 Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 132.
5 Оптическое отражение ионно-имплантированных эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, К.Д. Мынбаев, М.В. Дорогов [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 152.
6 Моделирование образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом для антиотражающих покрытий / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.П. Коханенко [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 318.
7 Диффузионное ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nB(SL)n фоточувствительной структуре / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 331.
8 Исследование темновых характеристик LWIR nB(SL)n-структур методом спектроскопии адмиттанса / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2025. 11-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 16-18 сентября 2025 г. : сборник трудов. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2025. С. 173‒174.
9 Адмиттансные характеристики MWIR nBn-структур со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2025. 11-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 16-18 сентября 2025 г. : сборник трудов. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2025. С. 175.
10 Модификация свойств границ раздела поверхностный окисел-антимонид индия мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А. А. Степаненко [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2025. 11-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 16-18 сентября 2025 г. : сборник трудов. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2025. С. 190‒191.

Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность