Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 261
41) Nanotechnology and nanomaterials. NANO-2021. 9th International research and practice conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Electrical properties of optimized nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 25.08.2021 - 27.08.2021
42) Nanotechnology and nanomaterials. NANO-2021. 9th International research and practice conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Single element 2D materials and methods of their epitaxial synthesis
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 25.08.2021 - 27.08.2021
43) Nanotechnology and nanomaterials. NANO-2021. 9th International research and practice conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Fluence dependence of nanosize defect layers in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films studied with TEM/HRTEM
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 25.08.2021 - 27.08.2021
44) Нанофизика и наноэлектроника. XXV Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Униполярные nBn-структуры и детекторы на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.03.2021 - 12.03.2021
45) X Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Темновые токи бариодных структур на основе теллурида кадмия ртути для средне- и длинноволновых инфракрасных детекторов
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.01.2021 - 29.01.2021
46) X Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Адмиттанс МДП-приборов на основе теллурида кадмия ртути с одиночными квантовыми ямами теллурида ртути в активной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.01.2021 - 29.01.2021
47) Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем АППН-2020. Школа молодых ученых
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Темновые токи и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе МЛЭ HgCdTe
Тип доклада приглашенный
Дата участия 14.12.2020 - 16.12.2020
48) Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем АППН-2020. Школа молодых ученых
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Адмиттанс тестовых МДП-приборов на основе nBn-структур из МЛЭ HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 14.12.2020 - 16.12.2020
49) Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем АППН-2020. Школа молодых ученых
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Электрофизические свойства МДП-структур на основе пентацена в широком диапазоне температур
Тип доклада стендовый
Дата участия 14.12.2020 - 16.12.2020
50) Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем АППН-2020. Школа молодых ученых
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Рост наноструктур по механизму Фольмера–Вебера
Тип доклада стендовый
Дата участия 14.12.2020 - 16.12.2020

Общее число публикаций в рамках конференций - 250
Публикации в рамках конференций
1 Электрические характеристики nB(SL)n - структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 275‒276.
2 Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286.
3 Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607.
4 Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 326‒328. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-326
5 Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329
6 Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 334‒335. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-334
7 Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.В. Степанченко, А.П. Мелехов [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 339‒341. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-339
8 Каширский Д.Е., Войцеховский А.В., Горн Д.И. Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013) // Новые информационные технологии в исследовании сложных структур : материалы Пятнадцатой Международной конференции, 16–20 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. гос. ун-та, 2024. С. 35‒36.
9 Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XVI Российская конференция по физике полупроводников (XVI РКФП), 7–11 октября 2024 года, Санкт-Петербург : тезисы докладов. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 2024. С. 133.
10 Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305.