Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 254
41) Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем АППН-2020. Школа молодых ученых
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Адмиттанс тестовых МДП-приборов на основе nBn-структур из МЛЭ HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 14.12.2020 - 16.12.2020
42) Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем АППН-2020. Школа молодых ученых
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Электрофизические свойства МДП-структур на основе пентацена в широком диапазоне температур
Тип доклада стендовый
Дата участия 14.12.2020 - 16.12.2020
43) Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем АППН-2020. Школа молодых ученых
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Рост наноструктур по механизму Фольмера–Вебера
Тип доклада стендовый
Дата участия 14.12.2020 - 16.12.2020
44) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2020. XII Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Темновой ток и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе теллурида кадмия и ртути
Тип доклада стендовый
Дата участия 19.10.2020 - 23.10.2020
45) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2020. XII Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Импеданс многослойных структур, перспективных для создания органических светодиодов
Тип доклада стендовый
Дата участия 19.10.2020 - 23.10.2020
46) Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2020 online). 7th International Congress
Уровень конференции Международный
Тема доклада Accumulation and annealing of radiation donor defects in arsenic–implanted Hg0.7Cd0.3Te films
Тип доклада постер
Дата участия 14.09.2020 - 25.09.2020
47) Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2020 online). 7th International Congress
Уровень конференции Международный
Тема доклада Peculiarities of the external photoelectric effect in narrow-band sem-iconductors caused by soft X-ray radiation
Тип доклада постер
Дата участия 14.09.2020 - 25.09.2020
48) Nanotechnologies and Nanomaterials NANO-2020. 8th International Conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Single-photon avalanche diode detectors based on group IV nanostructures
Тип доклада стендовый
Дата участия 26.08.2020 - 29.08.2020
49) Nanotechnologies and Nanomaterials NANO-2020. 8th International Conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 26.08.2020 - 29.08.2020
50) Nanotechnologies and Nanomaterials NANO-2020. 8th International Conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Nanosize radiation defects in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films of n- and p-type studied with TEM/HRTEM
Тип доклада стендовый
Дата участия 26.08.2020 - 29.08.2020

Общее число публикаций в рамках конференций - 243
Публикации в рамках конференций
1 Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286.
2 Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607.
3 Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305.
4 Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541.
5 Рост nBn-структур на основе твердых растворов СdHgTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов / А.В. Войцеховский, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 685‒686.
6 Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.П. Мелехов [и др.] // IX Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023. С. 43.
7 Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов / Н.Н. Михайлов, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, Варавин В.С. [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 85. DOI: 10.34077/RCSP2023-85
8 Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 143. DOI: 10.34077/RCSP2023-143
9 Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 267‒269.
10 Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне / С.М. Дзядух, А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 270‒272.