Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 261
41) Nanotechnology and nanomaterials. NANO-2021. 9th International research and practice conference
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Electrical properties of optimized nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy |
Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
Дата участия | 25.08.2021 - 27.08.2021 |
42) Nanotechnology and nanomaterials. NANO-2021. 9th International research and practice conference
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Single element 2D materials and methods of their epitaxial synthesis |
Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
Дата участия | 25.08.2021 - 27.08.2021 |
43) Nanotechnology and nanomaterials. NANO-2021. 9th International research and practice conference
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Fluence dependence of nanosize defect layers in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films studied with TEM/HRTEM |
Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
Дата участия | 25.08.2021 - 27.08.2021 |
44) Нанофизика и наноэлектроника. XXV Международный симпозиум
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Униполярные nBn-структуры и детекторы на основе HgCdTe |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 09.03.2021 - 12.03.2021 |
45) X Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Темновые токи бариодных структур на основе теллурида кадмия ртути для средне- и длинноволновых инфракрасных детекторов |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 27.01.2021 - 29.01.2021 |
46) X Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Адмиттанс МДП-приборов на основе теллурида кадмия ртути с одиночными квантовыми ямами теллурида ртути в активной области |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 27.01.2021 - 29.01.2021 |
47) Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем АППН-2020. Школа молодых ученых
Уровень конференции | Всероссийский |
Тема доклада | Темновые токи и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе МЛЭ HgCdTe |
Тип доклада | приглашенный |
Дата участия | 14.12.2020 - 16.12.2020 |
48) Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем АППН-2020. Школа молодых ученых
Уровень конференции | Всероссийский |
Тема доклада | Адмиттанс тестовых МДП-приборов на основе nBn-структур из МЛЭ HgCdTe |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 14.12.2020 - 16.12.2020 |
49) Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем АППН-2020. Школа молодых ученых
Уровень конференции | Всероссийский |
Тема доклада | Электрофизические свойства МДП-структур на основе пентацена в широком диапазоне температур |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 14.12.2020 - 16.12.2020 |
50) Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем АППН-2020. Школа молодых ученых
Уровень конференции | Всероссийский |
Тема доклада | Рост наноструктур по механизму Фольмера–Вебера |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 14.12.2020 - 16.12.2020 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 250
Публикации в рамках конференций
1 | Электрические характеристики nB(SL)n - структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 275‒276. |
|
|
2 | Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286. |
|
|
3 | Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607. |
|
|
4 | Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 326‒328. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-326 |
|
|
5 | Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329 |
|
|
6 | Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 334‒335. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-334 |
|
|
7 | Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.В. Степанченко, А.П. Мелехов [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 339‒341. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-339 |
|
|
8 | Каширский Д.Е., Войцеховский А.В., Горн Д.И. Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013) // Новые информационные технологии в исследовании сложных структур : материалы Пятнадцатой Международной конференции, 16–20 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. гос. ун-та, 2024. С. 35‒36. |
|
|
9 | Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XVI Российская конференция по физике полупроводников (XVI РКФП), 7–11 октября 2024 года, Санкт-Петербург : тезисы докладов. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 2024. С. 133. |
|
|
10 | Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность