ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 250
41) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2020. XII Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М. Импеданс многослойных структур, перспективных для создания органических светодиодов //Фундаментальные проблемы оптики – 2020 : сборник трудов XII Международной конференции, Санкт-Петербург, 19-23 октября 2020 г. СПб.: Университет ИТМО, 2020. С. 279-281.
Тип доклада стендовый
Дата участия 19.10.2020 - 23.10.2020
42) Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2020 online). 7th International Congress
Уровень конференции Международный
Тема доклада Accumulation and annealing of radiation donor defects in arsenic–implanted Hg0.7Cd0.3Te films / Voitsekhovskii A.V, Izhnin I.I., Korotaev A.G., Dvoretsky S. A. [et al] // 7th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2020 online) : abstracts, 14-25 september 2020, Tomsk. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2020. P. 460. 1 CD-ROM.
Тип доклада постер
Дата участия 14.09.2020 - 25.09.2020
43) Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2020 online). 7th International Congress
Уровень конференции Международный
Тема доклада Sredin V.G., Voitsekhovskii A.V., Melekhov A.P., Ramakoti R.S. Peculiarities of the external photoelectric effect in narrow-band sem-iconductors caused by soft X-ray radiation // 7th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2020 online) : abstracts, 14-25 september 2020, Tomsk. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2020. P. 461. 1 CD-ROM.
Тип доклада постер
Дата участия 14.09.2020 - 25.09.2020
44) Nanotechnologies and Nanomaterials NANO-2020. 8th International Conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Single-photon avalanche diode detectors based on group IV nanostructures / Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A., Douhan R. [et al] // Nanotechnology and nanomaterials (NANO-2020) : abstract book of international research and practice conference, 26-29 august 2020, Lviv. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2020. P. 417.
Тип доклада стендовый
Дата участия 26.08.2020 - 29.08.2020
45) Nanotechnologies and Nanomaterials NANO-2020. 8th International Conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S. A. [et al] // Nanotechnology and nanomaterials (NANO-2020) : abstract book of international research and practice conference, 26-29 august 2020, Lviv. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2020. P. 418.
Тип доклада стендовый
Дата участия 26.08.2020 - 29.08.2020
46) Nanotechnologies and Nanomaterials NANO-2020. 8th International Conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Nanosize radiation defects in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films of n- and p-type studied with TEM/HRTEM / Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Dvoretsky S.A., Izhnin I.I. [et al] // Nanotechnology and nanomaterials (NANO-2020) : abstract book of international research and practice conference, 26-29 august 2020, Lviv. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2020. P. 421.
Тип доклада стендовый
Дата участия 26.08.2020 - 29.08.2020
47) НАНО 2020. VII Всероссийская конференция по наноматериалам
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Войцеховский А.В., Лозовой К.А., Винарский В.П., Дирко В.В. Эпитаксиальное выращивание двумерных материалов по механизму Франка-Ван дер Мерве //НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам : сборник материалов, 18-22 мая 2020 г., Москва. М.: ИМЕТ РАН, 2020. С. 110-111.
Тип доклада стендовый
Дата участия 18.05.2020 - 22.05.2020
48) НАНО 2020. VII Всероссийская конференция по наноматериалам
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю., Каширский Д.Е., Горн Д.И., Лозовой К.А., Дирко В.В. Многослойные униполярные системы на основе HgCdTe для инфракрасного детектирования //НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам : сборник материалов, 18-22 мая 2020 г., Москва. М.: ИМЕТ РАН, 2020. С. 111-112.
Тип доклада стендовый
Дата участия 18.05.2020 - 22.05.2020
49) НАНО 2020. VII Всероссийская конференция по наноматериалам
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Импеданс органических светоизлучающих диодов с термически активированной замедленной флуоресценцией / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н. [и др.] // НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам : сборник материалов, 18-22 мая 2020 г., Москва. М.: ИМЕТ РАН, 2020. С. 113‒114.
Тип доклада стендовый
Дата участия 18.05.2020 - 22.05.2020
50) IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Сигнальные и темновые свойства инфракрасных барьерных детекторов на основе теллурида кадмия ртути / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2020. С. 413‒414.
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.01.2020 - 31.01.2020

Общее число публикаций в рамках конференций - 239
Публикации в рамках конференций
1 Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305.
2 Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541.
3 Рост nBn-структур на основе твердых растворов СdHgTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов / А.В. Войцеховский, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 685‒686.
4 Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.П. Мелехов [и др.] // IX Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023. С. 43.
5 Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов / Н.Н. Михайлов, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, Варавин В.С. [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 85. DOI: 10.34077/RCSP2023-85
6 Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 143. DOI: 10.34077/RCSP2023-143
7 Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 267‒269.
8 Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне / С.М. Дзядух, А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 270‒271.
9 К вопросу о дефектообразовании под действием мягкого рентгеновского излучения в структурах на основе антимонида индия / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.А. Степаненко [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 295‒296.
10 Экспериментальное исследование барьерных nBvN-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR и LWIR спектральных областях / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Дворецкий С.А. [и др.] // XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022, Москва : тезисы докладов. Москва: АО "НПО Орион", 2022. С. 249‒251. DOI: 10.51368/978-5-7164-1173-9-2022-249

Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность