ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 270
41) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2021. IX-я Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Состав носителей в имплантированных бором МЛЭ пленках р-CdHgTe
Тип доклада секционный
Дата участия 20.10.2021 - 22.10.2021
42) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2021. IX-я Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов
Тип доклада секционный
Дата участия 20.10.2021 - 22.10.2021
43) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2021. IX-я Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрические свойства органо-неорганических систем на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3
Тип доклада секционный
Дата участия 20.10.2021 - 22.10.2021
44) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2021. IX-я Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики униполярных барьерных структур на основе МЛЭ HgCdTe для детектирования в спектральных диапазонах 3 – 5 и 8 – 12 мкм
Тип доклада пленарный
Дата участия 20.10.2021 - 22.10.2021
45) Фотоника 2021. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Моделирование особенностей эпитаксиального формирования 2D- и 3D-островков с учетом изменения физических параметров двумерных пленок с толщиной
Тип доклада секционный
Дата участия 04.10.2021 - 08.10.2021
46) Фотоника 2021. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Электрические характеристики MWIR и LWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 04.10.2021 - 08.10.2021
47) Фотоника 2021. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках Cd0.3Hg0.7Te: накопление и отжиг
Тип доклада стендовый
Дата участия 04.10.2021 - 08.10.2021
48) Фотоника 2021. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3
Тип доклада стендовый
Дата участия 04.10.2021 - 08.10.2021
49) XV Международная конференция по импульсным лазерам и применениям лазеров. 15th International Conference on Pulsed Lasers and Laser Applications (AMPL-2021)
Уровень конференции Международный
Тема доклада Unipolar barrier structures based on HgCdTe for infrared detection
Тип доклада стендовый
Дата участия 12.09.2021 - 17.09.2021
50) Nanotechnology and nanomaterials. NANO-2021. 9th International research and practice conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Electrical properties of optimized nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 25.08.2021 - 27.08.2021

Общее число публикаций в рамках конференций - 260
Публикации в рамках конференций
1 Электрические характеристики nB(SL)n - структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 275‒276.
2 Влияние мягкого рентгеновского излучения на свойства границ раздела поверхностный диэлектрик – антимонид индия / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.П. Мелехов, Р.Ш. Рамакоти [и др.] // XI Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2025» : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 204.
3 Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника. XXIX симпозиум, 10–14 марта 2025 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Н. Новгород, 2025. С. 346.
4 Сравнительный анализ составов носителей заряда в эпитаксиальных пленках CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантированных мышьяком, кремнием и бором / И.И. Ижнин, А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, К.Д. Мынбаев [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 22.
5 Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 132.
6 Оптическое отражение ионно-имплантированных эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, К.Д. Мынбаев, М.В. Дорогов [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 152.
7 Моделирование образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом для антиотражающих покрытий / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.П. Коханенко [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 318.
8 Диффузионное ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nB(SL)n фоточувствительной структуре / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 331.
9 Исследование темновых характеристик LWIR nB(SL)n-структур методом спектроскопии адмиттанса / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2025. 11-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 16-18 сентября 2025 г. : сборник трудов. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2025. С. 173‒174.
10 Адмиттансные характеристики MWIR nBn-структур со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2025. 11-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 16-18 сентября 2025 г. : сборник трудов. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2025. С. 175.

Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность