ТГУ.Сотрудники
Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 275
31) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 04.09.2023 - 08.09.2023 |
32) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 04.09.2023 - 08.09.2023 |
33) Лазерные, плазменные исследования и технологии. ЛаПлаз-2023. IX Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 28.03.2023 - 31.03.2023 |
34) Нанофизика и наноэлектроника. XXVII Международный симпозиум
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 13.03.2023 - 16.03.2023 |
35) Нанофизика и наноэлектроника. XXVII Международный симпозиум
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Рост nBn-структур на основе твердых растворов СdHgTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 13.03.2023 - 16.03.2023 |
36) XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике (XII International conference on photonics and information optics)
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 01.02.2023 - 03.02.2023 |
37) XV Российская конференция по физике полупроводников
| Уровень конференции | Всероссийский |
| Тема доклада | Анализ сверхструктурных переходов при низкотемпературном росте наноструктур в системе Ge/S |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 03.10.2022 - 07.10.2022 |
38) XV Российская конференция по физике полупроводников
| Уровень конференции | Всероссийский |
| Тема доклада | Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 03.10.2022 - 07.10.2022 |
39) Кремний 2022. XIV Международная конференция и XIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Исследования сверхструктурных переходов при эпитакcиальном росте Ge/Si и GeSi/Si |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 26.09.2022 - 30.09.2022 |
40) Кремний 2022. XIV Международная конференция и XIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Моделирование эпитаксиального формирования двумерных и нульмерных структур кремния и германия с учетом изменения зависимости их параметров от толщины |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 26.09.2022 - 30.09.2022 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 265
Публикации в рамках конференций
| 1 | Механизмы дефектообразования рентгеновским излучением на границе раздела поверхностный окисел – антимонид индия / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, Р.Ш. Рамакоти, А.А. Степаненко [и др.] // XII Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2026» : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2026. С. 292. | ||
| 2 | Квантовые наноструктуры HgCdTe для ИК фотоприемников / Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, А.В. Войцеховский, Д.И. Горн [и др.] // Материалы XXVIII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и системам технического зрения. М.: АО «НПО «Орион», 2026. С. 68‒69. DOI: 10.51368/978-5-94836-754-52026-68 |
|
|
| 3 | Характеризация МДП-систем на основе структур LWIR nBn HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / Д.И. Горн, А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, С.А. Дворецкий [и др.] // Материалы XXVIII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и системам технического зрения. М.: АО «НПО «Орион», 2026. С. 436‒438. DOI: 10.51368/978-5-94836-754-52026-436 |
|
|
| 4 | Электрофизические и фотоэлектрические характеристики nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области для LWIR диапазона / Д.И. Горн, А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, С.А. Дворецкий [и др.] // Материалы XXVIII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и системам технического зрения. М.: АО «НПО «Орион», 2026. С. 439‒441. DOI: 10.51368/978-5-94836-754-52026-439 |
|
|
| 5 | Термодинамическая модель образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О. Кукенов, А.В. Войцеховский [и др.] // Кремний-2026: тезисы докладов XVI Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе (Владивосток, 13–17 июля 2026 г.). Владивосток: Дальнаука, 2026. С. 42. |
|
|
| 6 | Электрические характеристики nB(SL)n - структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 275‒276. | ||
| 7 | Влияние мягкого рентгеновского излучения на свойства границ раздела поверхностный диэлектрик – антимонид индия / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.П. Мелехов, Р.Ш. Рамакоти [и др.] // XI Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2025» : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 204. |
|
|
| 8 | Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника. XXIX симпозиум, 10–14 марта 2025 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Н. Новгород, 2025. С. 346. |
|
|
| 9 | Сравнительный анализ составов носителей заряда в эпитаксиальных пленках CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантированных мышьяком, кремнием и бором / И.И. Ижнин, А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, К.Д. Мынбаев [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 22. |
|
|
| 10 | Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 132. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность