Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 256
31) Фотоника 2021. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Моделирование особенностей эпитаксиального формирования 2D- и 3D-островков с учетом изменения физических параметров двумерных пленок с толщиной
Тип доклада секционный
Дата участия 04.10.2021 - 08.10.2021
32) Фотоника 2021. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Электрические характеристики MWIR и LWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 04.10.2021 - 08.10.2021
33) Фотоника 2021. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках Cd0.3Hg0.7Te: накопление и отжиг
Тип доклада стендовый
Дата участия 04.10.2021 - 08.10.2021
34) Фотоника 2021. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3
Тип доклада стендовый
Дата участия 04.10.2021 - 08.10.2021
35) XV Международная конференция по импульсным лазерам и применениям лазеров. 15th International Conference on Pulsed Lasers and Laser Applications (AMPL-2021)
Уровень конференции Международный
Тема доклада Unipolar barrier structures based on HgCdTe for infrared detection
Тип доклада стендовый
Дата участия 12.09.2021 - 17.09.2021
36) Nanotechnology and nanomaterials. NANO-2021. 9th International research and practice conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Electrical properties of optimized nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 25.08.2021 - 27.08.2021
37) Nanotechnology and nanomaterials. NANO-2021. 9th International research and practice conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Single element 2D materials and methods of their epitaxial synthesis
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 25.08.2021 - 27.08.2021
38) Nanotechnology and nanomaterials. NANO-2021. 9th International research and practice conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Fluence dependence of nanosize defect layers in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films studied with TEM/HRTEM
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 25.08.2021 - 27.08.2021
39) Нанофизика и наноэлектроника. XXV Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Униполярные nBn-структуры и детекторы на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.03.2021 - 12.03.2021
40) X Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Темновые токи бариодных структур на основе теллурида кадмия ртути для средне- и длинноволновых инфракрасных детекторов
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.01.2021 - 29.01.2021

Общее число публикаций в рамках конференций - 247
Публикации в рамках конференций
1 Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286.
2 Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607.
3 Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 326‒328. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-326
4 Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329
5 Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 334‒335. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-334
6 Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.В. Степанченко, А.П. Мелехов [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 339‒341. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-339
7 Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305.
8 Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541.
9 Рост nBn-структур на основе твердых растворов СdHgTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов / А.В. Войцеховский, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 685‒686.
10 Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.П. Мелехов [и др.] // IX Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023. С. 43.