Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 250
31) Nanotechnology and nanomaterials. NANO-2021. 9th International research and practice conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Single element 2D materials and methods of their epitaxial synthesis / Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A., Dirko V.V. [et al] // International research and practice conference «Nanotechnology and nanomaterials» (NANO-2021), 25-27 august 2021, Lviv : abstract book. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2021. P. 43.
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 25.08.2021 - 27.08.2021
32) Nanotechnology and nanomaterials. NANO-2021. 9th International research and practice conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Fluence dependence of nanosize defect layers in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films studied with TEM/HRTEM / Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Dvoretsky S.A., Izhnin I.I. [et al] // International research and practice conference «Nanotechnology and nanomaterials» (NANO-2021), 25-27 august 2021, Lviv : abstract book. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2021. P. 378.
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 25.08.2021 - 27.08.2021
33) Нанофизика и наноэлектроника. XXV Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Униполярные nBn-структуры и детекторы на основе HgCdTe / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXV Международного симпозиума, 9-12 марта 2021 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: Издательство Нижегородского университета, 2021. С. 603‒604.
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.03.2021 - 12.03.2021
34) X Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Темновые токи бариодных структур на основе теллурида кадмия ртути для средне- и длинноволновых инфракрасных детекторов / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // X Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2021. С. 215‒216.
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.01.2021 - 29.01.2021
35) X Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Адмиттанс МДП-приборов на основе теллурида кадмия ртути с одиночными квантовыми ямами теллурида ртути в активной области / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. [и др.] // X Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2021. С. 233‒234.
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.01.2021 - 29.01.2021
36) Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем АППН-2020. Школа молодых ученых
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Темновые токи и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе МЛЭ HgCdTe //Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (АППН-2020), 14-16 декабря 2020, Новосибирск : интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск: Дигит Про, 2020. С. 8-9.
Тип доклада приглашенный
Дата участия 14.12.2020 - 16.12.2020
37) Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем АППН-2020. Школа молодых ученых
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Адмиттанс тестовых МДП-приборов на основе nBn-структур из МЛЭ HgCdTe //Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (АППН-2020), 14-16 декабря 2020, Новосибирск : интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск: Дигит Про, 2020. С. 17-18.
Тип доклада стендовый
Дата участия 14.12.2020 - 16.12.2020
38) Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем АППН-2020. Школа молодых ученых
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М. Электрофизические свойства МДП-структур на основе пентацена в широком диапазоне температур //Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (АППН-2020), 14-16 декабря 2020, Новосибирск : интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск: Дигит Про, 2020. С. 19-20.
Тип доклада стендовый
Дата участия 14.12.2020 - 16.12.2020
39) Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем АППН-2020. Школа молодых ученых
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Коханенко А.П., Лозовой К.А., Дирко В.В., Войцеховский А.В. Рост наноструктур по механизму Фольмера–Вебера //Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (АППН-2020), 14-16 декабря 2020, Новосибирск : интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск: Дигит Про, 2020. С. 38-39.
Тип доклада стендовый
Дата участия 14.12.2020 - 16.12.2020
40) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2020. XII Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Темновой ток и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе теллурида кадмия и ртути //Фундаментальные проблемы оптики – 2020 : сборник трудов XII Международной конференции, Санкт-Петербург, 19-23 октября 2020 г. СПб.: Университет ИТМО, 2020. С. 276-278.
Тип доклада стендовый
Дата участия 19.10.2020 - 23.10.2020

Общее число публикаций в рамках конференций - 239
Публикации в рамках конференций
1 Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305.
2 Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541.
3 Рост nBn-структур на основе твердых растворов СdHgTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов / А.В. Войцеховский, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 685‒686.
4 Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.П. Мелехов [и др.] // IX Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023. С. 43.
5 Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов / Н.Н. Михайлов, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, Варавин В.С. [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 85. DOI: 10.34077/RCSP2023-85
6 Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 143. DOI: 10.34077/RCSP2023-143
7 Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 267‒269.
8 Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне / С.М. Дзядух, А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 270‒271.
9 К вопросу о дефектообразовании под действием мягкого рентгеновского излучения в структурах на основе антимонида индия / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.А. Степаненко [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 295‒296.
10 Экспериментальное исследование барьерных nBvN-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR и LWIR спектральных областях / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Дворецкий С.А. [и др.] // XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022, Москва : тезисы докладов. Москва: АО "НПО Орион", 2022. С. 249‒251. DOI: 10.51368/978-5-7164-1173-9-2022-249