Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 253
21) XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками / А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский, К.А. Лозовой, Р.М. Духан [и др.] // XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022, Москва : тезисы докладов. Москва: АО "НПО Орион", 2022. С. 287‒289. DOI: 10.51368/978-5-7164-1173-9-2022-287
Тип доклада стендовый
Дата участия 25.05.2022 - 27.05.2022
22) Нанофизика и наноэлектроника. XXVI международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Темновые токи униполярных NbνN структур на основе HgCdTe / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVI Международного симпозиума, 14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород : 2 т. Т. 2. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского университета, 2022. С. 720‒721.
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 14.03.2022 - 17.03.2022
23) Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов. Девятая международная конференция, посвященная 100-летию со дня рождения академика Б.К. Вайнштейна
Уровень конференции Международный
Тема доклада Униполярные барьерные структуры на основе МЛЭ HgCdTe / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Григорьев Д.В. [и др.] // Девятая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов" к 100-летию со дня рождения академика Б.К. Вайнштейна. Четвертая Международная Школа молодых ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения", Москва, 22-26 ноября 2021 г. : сборник тезисов. Москва, 2021. С. 48.
Тип доклада стендовый
Дата участия 22.11.2021 - 26.11.2021
24) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2021. IX-я Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Состав носителей в имплантированных бором МЛЭ пленках р-CdHgTe / Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д. [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2021: 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2021. С. 222‒224.
Тип доклада устный
Дата участия 20.10.2021 - 22.10.2021
25) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2021. IX-я Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Дирко В.В., Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2021: 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2021. С. 245.
Тип доклада секционный
Дата участия 20.10.2021 - 22.10.2021
26) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2021. IX-я Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрические свойства органо-неорганических систем на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3 / Дзядух С.М., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Копылова Т.Н. [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2021: 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2021. С. 237‒238.
Тип доклада секционный
Дата участия 20.10.2021 - 22.10.2021
27) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2021. IX-я Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики униполярных барьерных структур на основе МЛЭ HgCdTe для детектирования в спектральных диапазонах 3 – 5 и 8 – 12 мкм / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2021: 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2021. С. 242‒243.
Тип доклада пленарный
Дата участия 20.10.2021 - 22.10.2021
28) Фотоника 2021. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Лозовой К.А., Дирко В.В., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Моделирование особенностей эпитаксиального формирования 2D- и 3D-островков с учетом изменения физических параметров двумерных пленок с толщиной //Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2021. С. 64.
Тип доклада секционный
Дата участия 04.10.2021 - 08.10.2021
29) Фотоника 2021. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Григорьев Д.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Электрические характеристики MWIR и LWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe //Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2021. С. 136.
Тип доклада стендовый
Дата участия 04.10.2021 - 08.10.2021
30) Фотоника 2021. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках Cd0.3Hg0.7Te: накопление и отжиг / Коротаев А.Г., Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Дворецкий С.А. [и др.] // Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2021. С. 140. DOI: 10.34077/RCSP2021-140
Тип доклада стендовый
Дата участия 04.10.2021 - 08.10.2021

Общее число публикаций в рамках конференций - 242
Публикации в рамках конференций
1 Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286.
2 Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305.
3 Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541.
4 Рост nBn-структур на основе твердых растворов СdHgTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов / А.В. Войцеховский, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 685‒686.
5 Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.П. Мелехов [и др.] // IX Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023. С. 43.
6 Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов / Н.Н. Михайлов, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, Варавин В.С. [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 85. DOI: 10.34077/RCSP2023-85
7 Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 143. DOI: 10.34077/RCSP2023-143
8 Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 267‒269.
9 Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне / С.М. Дзядух, А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 270‒272.
10 К вопросу о дефектообразовании под действием мягкого рентгеновского излучения в структурах на основе антимонида индия / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.А. Степаненко [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 295‒296.