ТГУ.Сотрудники
Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 262
21) Нанофизика и наноэлектроника. XXVII Международный симпозиум
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 13.03.2023 - 16.03.2023 |
22) Нанофизика и наноэлектроника. XXVII Международный симпозиум
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Рост nBn-структур на основе твердых растворов СdHgTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 13.03.2023 - 16.03.2023 |
23) XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике (XII International conference on photonics and information optics)
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 01.02.2023 - 03.02.2023 |
24) XV Российская конференция по физике полупроводников
| Уровень конференции | Всероссийский |
| Тема доклада | Анализ сверхструктурных переходов при низкотемпературном росте наноструктур в системе Ge/S |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 03.10.2022 - 07.10.2022 |
25) XV Российская конференция по физике полупроводников
| Уровень конференции | Всероссийский |
| Тема доклада | Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 03.10.2022 - 07.10.2022 |
26) Кремний 2022. XIV Международная конференция и XIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Исследования сверхструктурных переходов при эпитакcиальном росте Ge/Si и GeSi/Si |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 26.09.2022 - 30.09.2022 |
27) Кремний 2022. XIV Международная конференция и XIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Моделирование эпитаксиального формирования двумерных и нульмерных структур кремния и германия с учетом изменения зависимости их параметров от толщины |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 26.09.2022 - 30.09.2022 |
28) XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Экспериментальное исследование барьерных nBνN-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR и LWIR спектральных областях |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 25.05.2022 - 27.05.2022 |
29) XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ N-HgCdTe в конфигурации nBνN методом спектроскопии адмиттанса |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 25.05.2022 - 27.05.2022 |
30) XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 25.05.2022 - 27.05.2022 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 251
Публикации в рамках конференций
| 1 | Электрические характеристики nB(SL)n - структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 275‒276. |
|
|
| 2 | Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника. XXIX симпозиум, 10–14 марта 2025 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Н. Новгород, 2025. С. 346. |
|
|
| 3 | Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286. |
|
|
| 4 | Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607. |
|
|
| 5 | Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 326‒328. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-326 |
|
|
| 6 | Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329 |
|
|
| 7 | Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 334‒335. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-334 |
|
|
| 8 | Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.В. Степанченко, А.П. Мелехов [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 339‒341. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-339 |
|
|
| 9 | Каширский Д.Е., Войцеховский А.В., Горн Д.И. Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013) // Новые информационные технологии в исследовании сложных структур : материалы Пятнадцатой Международной конференции, 16–20 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. гос. ун-та, 2024. С. 35‒36. |
|
|
| 10 | Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XVI Российская конференция по физике полупроводников (XVI РКФП), 7–11 октября 2024 года, Санкт-Петербург : тезисы докладов. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 2024. С. 133. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность