ТГУ.Сотрудники
Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 271
21) XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 24.01.2024 - 26.01.2024 |
22) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 09.10.2023 - 13.10.2023 |
23) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Униполярные барьерные nBn структуры на основе HgCdTe: состояние и перспективы |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 09.10.2023 - 13.10.2023 |
24) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений |
| Тип доклада | открытая лекция в рамках конференции |
| Дата участия | 26.09.2023 - 29.09.2023 |
25) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне |
| Тип доклада | открытая лекция в рамках конференции |
| Дата участия | 26.09.2023 - 29.09.2023 |
26) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | К вопросу о дефектообразовании под действием мягкого рентгеновского излучения в структурах на основе антимонида индия |
| Тип доклада | открытая лекция в рамках конференции |
| Дата участия | 26.09.2023 - 29.09.2023 |
27) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 04.09.2023 - 08.09.2023 |
28) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 04.09.2023 - 08.09.2023 |
29) Лазерные, плазменные исследования и технологии. ЛаПлаз-2023. IX Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 28.03.2023 - 31.03.2023 |
30) Нанофизика и наноэлектроника. XXVII Международный симпозиум
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 13.03.2023 - 16.03.2023 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 261
Публикации в рамках конференций
| 1 | Механизмы дефектообразования рентгеновским излучением на границе раздела поверхностный окисел – антимонид индия / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, Р.Ш. Рамакоти, А.А. Степаненко [и др.] // XII Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2026» : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2026. С. 292. |
|
|
| 2 | Электрические характеристики nB(SL)n - структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 275‒276. |
|
|
| 3 | Влияние мягкого рентгеновского излучения на свойства границ раздела поверхностный диэлектрик – антимонид индия / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.П. Мелехов, Р.Ш. Рамакоти [и др.] // XI Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2025» : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 204. |
|
|
| 4 | Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника. XXIX симпозиум, 10–14 марта 2025 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Н. Новгород, 2025. С. 346. |
|
|
| 5 | Сравнительный анализ составов носителей заряда в эпитаксиальных пленках CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантированных мышьяком, кремнием и бором / И.И. Ижнин, А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, К.Д. Мынбаев [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 22. |
|
|
| 6 | Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 132. |
|
|
| 7 | Оптическое отражение ионно-имплантированных эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, К.Д. Мынбаев, М.В. Дорогов [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 152. |
|
|
| 8 | Моделирование образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом для антиотражающих покрытий / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.П. Коханенко [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 318. |
|
|
| 9 | Диффузионное ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nB(SL)n фоточувствительной структуре / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 331. |
|
|
| 10 | Исследование темновых характеристик LWIR nB(SL)n-структур методом спектроскопии адмиттанса / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2025. 11-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 16-18 сентября 2025 г. : сборник трудов. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2025. С. 169‒170. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность