ТГУ.Сотрудники
Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 270
261) Высокие технологии в промышленности России. XVII Международная научно-техническая конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Детекторы инфракрасного диапазона на основе микроэлектромеханических систем |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 08.09.2011 - 10.09.2011 |
262) Высокие технологии в промышленности России. XVII Международная научно-техническая конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Неохлаждаемые микроболометры на основе поликристаллического SiGe для инфракрасного диапазона |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 08.09.2011 - 10.09.2011 |
263) Фотоника-2011. Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники
| Уровень конференции | Всероссийский |
| Тема доклада | Ионная имплантация и ионное травление варизонных эпитаксиальных структур HgCdTe |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 22.08.2011 - 26.08.2011 |
264) Фотоника-2011. Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники
| Уровень конференции | Всероссийский |
| Тема доклада | Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с неоднородным распределением состава |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 22.08.2011 - 26.08.2011 |
265) Фотоника-2011. Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники
| Уровень конференции | Всероссийский |
| Тема доклада | Влияние квантовых точек Ge на эффективность преобразования солнечного элемента на основе Si |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 22.08.2011 - 26.08.2011 |
266) Фотоника-2011. Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники
| Уровень конференции | Всероссийский |
| Тема доклада | Теоретический анализ спектра фотолюминесценции гетероструктуры КРТ МЛЭ с одиночной КЯ |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 22.08.2011 - 26.08.2011 |
267) Наука и образование. XIV Всероссийская с международным участием конференция студентов, аспирантов и молодых учёных
| Уровень конференции | Всероссийский |
| Тема доклада | Соотношение вкладов излучательного и безызлучательного механизмов рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 19.04.2011 - 23.04.2011 |
268) ГЕО-Сибирь-2011. VII Международный научный конгресс
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Экспериментальная установка для исследования фотомагнитного эффекта и фотопроводимости в магнитном поле на плёнках узкозонных полупроводников р-типа |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 19.04.2011 - 29.04.2011 |
269) ГЕО-Сибирь-2011. VII Международный научный конгресс
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Фотопроводимость в магнитном поле плёнок кадмий-ртуть-теллур р-типа, выращенных методом жидкофазной эпитаксии |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 19.04.2011 - 29.04.2011 |
270) Студент и научно-технический прогресс. XLIX Международная научная студенческая конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Исследование фотолюминесценции гетероструктур КРТ с одиночной квантовой ямой |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 16.04.2011 - 20.04.2011 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 260
Публикации в рамках конференций
| 1 | Электрические характеристики nB(SL)n - структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 275‒276. |
|
|
| 2 | Влияние мягкого рентгеновского излучения на свойства границ раздела поверхностный диэлектрик – антимонид индия / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.П. Мелехов, Р.Ш. Рамакоти [и др.] // XI Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2025» : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 204. |
|
|
| 3 | Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника. XXIX симпозиум, 10–14 марта 2025 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Н. Новгород, 2025. С. 346. |
|
|
| 4 | Сравнительный анализ составов носителей заряда в эпитаксиальных пленках CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантированных мышьяком, кремнием и бором / И.И. Ижнин, А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, К.Д. Мынбаев [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 22. |
|
|
| 5 | Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 132. |
|
|
| 6 | Оптическое отражение ионно-имплантированных эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, К.Д. Мынбаев, М.В. Дорогов [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 152. |
|
|
| 7 | Моделирование образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом для антиотражающих покрытий / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.П. Коханенко [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 318. |
|
|
| 8 | Диффузионное ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nB(SL)n фоточувствительной структуре / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 331. |
|
|
| 9 | Исследование темновых характеристик LWIR nB(SL)n-структур методом спектроскопии адмиттанса / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2025. 11-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 16-18 сентября 2025 г. : сборник трудов. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2025. С. 173‒174. |
|
|
| 10 | Адмиттансные характеристики MWIR nBn-структур со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2025. 11-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 16-18 сентября 2025 г. : сборник трудов. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2025. С. 175. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность