ТГУ.Сотрудники
Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 275
251) XXIII Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Стимулированное излучение в структурах КРТ с квантовыми ямами |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 28.05.2014 - 30.05.2014 |
252) Актуальные проблемы развития науки и образования. Международная научно-практическая конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Обзор достижений по получению лазерной генерации в квантовых ямах на основе КРТ МЛЭ |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 05.05.2014 |
253) Актуальные проблемы развития науки и образования. Международная научно-практическая конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Обзор достижений по получению лазерной генерации в квантовых ямах на основе КРТ МЛЭ |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 05.05.2014 |
254) Saint-Petersburg OPEN 2014. 1-st International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | GeSi elongated quantum dots formation modelling |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 25.03.2014 - 27.03.2014 |
255) Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. INTERMATIC - 2013. XII Международная научно-техническая конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Влияние облучения на характеристики HgCdTe ИК фотодетекторов |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 02.12.2013 - 06.12.2013 |
256) Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. INTERMATIC - 2013. XII Международная научно-техническая конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Инфракрасные детекторы с квантовыми точками Ge/Si |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 02.12.2013 - 06.12.2013 |
257) Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. INTERMATIC - 2013. XII Международная научно-техническая конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Неохлаждаемые микроболометры на основе поликристаллического SiGe для инфракрасного диапазона |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 02.12.2013 - 06.12.2013 |
258) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2013. V международная научно-практическая конференция с элементами научной школы для молодёжи
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Проблемы создания высокоэффективных солнечных батарей для космических аппаратов |
| Тип доклада | открытая лекция в рамках конференции |
| Дата участия | 01.10.2013 - 06.10.2013 |
259) Нитрид галлия в электронике и оптоинформатике. Научно-технический семинар
| Уровень конференции | Всероссийский |
| Тема доклада | |
| Тип доклада | без доклада |
| Дата участия | 28.02.2012 - 29.02.2012 |
260) Нитрид галлия в электронике и оптоинформатике. Научно-технический семинар
| Уровень конференции | Всероссийский |
| Тема доклада | |
| Тип доклада | без доклада |
| Дата участия | 28.02.2012 - 29.02.2012 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 265
Публикации в рамках конференций
| 1 | Механизмы дефектообразования рентгеновским излучением на границе раздела поверхностный окисел – антимонид индия / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, Р.Ш. Рамакоти, А.А. Степаненко [и др.] // XII Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2026» : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2026. С. 292. | ||
| 2 | Квантовые наноструктуры HgCdTe для ИК фотоприемников / Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, А.В. Войцеховский, Д.И. Горн [и др.] // Материалы XXVIII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и системам технического зрения. М.: АО «НПО «Орион», 2026. С. 68‒69. DOI: 10.51368/978-5-94836-754-52026-68 |
|
|
| 3 | Характеризация МДП-систем на основе структур LWIR nBn HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / Д.И. Горн, А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, С.А. Дворецкий [и др.] // Материалы XXVIII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и системам технического зрения. М.: АО «НПО «Орион», 2026. С. 436‒438. DOI: 10.51368/978-5-94836-754-52026-436 |
|
|
| 4 | Электрофизические и фотоэлектрические характеристики nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области для LWIR диапазона / Д.И. Горн, А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, С.А. Дворецкий [и др.] // Материалы XXVIII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и системам технического зрения. М.: АО «НПО «Орион», 2026. С. 439‒441. DOI: 10.51368/978-5-94836-754-52026-439 |
|
|
| 5 | Термодинамическая модель образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О. Кукенов, А.В. Войцеховский [и др.] // Кремний-2026: тезисы докладов XVI Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе (Владивосток, 13–17 июля 2026 г.). Владивосток: Дальнаука, 2026. С. 42. |
|
|
| 6 | Электрические характеристики nB(SL)n - структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 275‒276. | ||
| 7 | Влияние мягкого рентгеновского излучения на свойства границ раздела поверхностный диэлектрик – антимонид индия / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.П. Мелехов, Р.Ш. Рамакоти [и др.] // XI Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2025» : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 204. |
|
|
| 8 | Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника. XXIX симпозиум, 10–14 марта 2025 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Н. Новгород, 2025. С. 346. |
|
|
| 9 | Сравнительный анализ составов носителей заряда в эпитаксиальных пленках CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантированных мышьяком, кремнием и бором / И.И. Ижнин, А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, К.Д. Мынбаев [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 22. |
|
|
| 10 | Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 132. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность