Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 250
241) Высокие технологии в промышленности России. XVII Международная научно-техническая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Детекторы инфракрасного диапазона на основе микроэлектромеханических систем
Тип доклада стендовый
Дата участия 08.09.2011 - 10.09.2011
242) Высокие технологии в промышленности России. XVII Международная научно-техническая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Неохлаждаемые микроболометры на основе поликристаллического SiGe для инфракрасного диапазона
Тип доклада стендовый
Дата участия 08.09.2011 - 10.09.2011
243) Фотоника-2011. Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Ионная имплантация и ионное травление варизонных эпитаксиальных структур HgCdTe
Тип доклада устный
Дата участия 22.08.2011 - 26.08.2011
244) Фотоника-2011. Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с неоднородным распределением состава
Тип доклада стендовый
Дата участия 22.08.2011 - 26.08.2011
245) Фотоника-2011. Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Влияние квантовых точек Ge на эффективность преобразования солнечного элемента на основе Si
Тип доклада стендовый
Дата участия 22.08.2011 - 26.08.2011
246) Фотоника-2011. Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Теоретический анализ спектра фотолюминесценции гетероструктуры КРТ МЛЭ с одиночной КЯ
Тип доклада стендовый
Дата участия 22.08.2011 - 26.08.2011
247) Наука и образование. XIV Всероссийская с международным участием конференция студентов, аспирантов и молодых учёных
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Соотношение вкладов излучательного и безызлучательного механизмов рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
Тип доклада стендовый
Дата участия 19.04.2011 - 23.04.2011
248) ГЕО-Сибирь-2011. VII Международный научный конгресс
Уровень конференции Международный
Тема доклада Экспериментальная установка для исследования фотомагнитного эффекта и фотопроводимости в магнитном поле на плёнках узкозонных полупроводников р-типа
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 19.04.2011 - 29.04.2011
249) ГЕО-Сибирь-2011. VII Международный научный конгресс
Уровень конференции Международный
Тема доклада Фотопроводимость в магнитном поле плёнок кадмий-ртуть-теллур р-типа, выращенных методом жидкофазной эпитаксии
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 19.04.2011 - 29.04.2011
250) Студент и научно-технический прогресс. XLIX Международная научная студенческая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Исследование фотолюминесценции гетероструктур КРТ с одиночной квантовой ямой
Тип доклада устный
Дата участия 16.04.2011 - 20.04.2011

Общее число публикаций в рамках конференций - 239
Публикации в рамках конференций
1 Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305.
2 Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541.
3 Рост nBn-структур на основе твердых растворов СdHgTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов / А.В. Войцеховский, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 685‒686.
4 Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.П. Мелехов [и др.] // IX Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023. С. 43.
5 Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов / Н.Н. Михайлов, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, Варавин В.С. [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 85. DOI: 10.34077/RCSP2023-85
6 Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 143. DOI: 10.34077/RCSP2023-143
7 Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 267‒269.
8 Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне / С.М. Дзядух, А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 270‒271.
9 К вопросу о дефектообразовании под действием мягкого рентгеновского излучения в структурах на основе антимонида индия / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.А. Степаненко [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 295‒296.
10 Экспериментальное исследование барьерных nBvN-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR и LWIR спектральных областях / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Дворецкий С.А. [и др.] // XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022, Москва : тезисы докладов. Москва: АО "НПО Орион", 2022. С. 249‒251. DOI: 10.51368/978-5-7164-1173-9-2022-249