ТГУ.Сотрудники
Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 271
201) СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо'2015). 25-я Международная Крымская конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 06.09.2015 - 12.09.2015 |
202) СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо'2015). 25-я Международная Крымская конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 06.09.2015 - 12.09.2015 |
203) СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо'2015). 25-я Международная Крымская конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Capacitance-voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 06.09.2015 - 12.09.2015 |
204) Gas Discharge Plasmas and Their Applications" (GDP 2015). 12-th International Conference
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Changes in the Electro-Physical Propertyies of Mct Epitaxial Films Affected by a Plasma Volume Discharge Induced by an Avalache Beam in Atmospheric-Pressure Air |
| Тип доклада | постер |
| Дата участия | 06.09.2015 - 11.09.2015 |
205) Gas Discharge Plasmas and Their Applications" (GDP 2015). 12-th International Conference
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Influence of Plasma Volume Discharge in Atmospheric-Pressure Air on the Admittance of MIS Structures Based on MBE p-HgCdTe |
| Тип доклада | постер |
| Дата участия | 06.09.2015 - 11.09.2015 |
206) Nanotechnology and nanomaterials. NANO-2015. III International research and practice conference
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well |
| Тип доклада | постер |
| Дата участия | 26.08.2015 - 29.08.2015 |
207) ICPTTFN-XV. International Conference on Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Comparison of Background Donor Concentration in HgCdTe Grown With Different Technologies |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 11.05.2015 - 16.05.2015 |
208) Вакуумная техника, материалы и технология. Х Международная научно-техническая конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 14.04.2015 - 16.04.2015 |
209) Вакуумная техника, материалы и технология. Х Международная научно-техническая конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 14.04.2015 - 16.04.2015 |
210) ИНТЕРЭКСПО ГЕО-Сибирь-2015. XI Международные научный конгресс и выставка
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Свойства наноструктур с квантовыми ямами на основе CdHgTe для фотоники |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 13.04.2015 - 25.04.2015 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 261
Публикации в рамках конференций
| 1 | Механизмы дефектообразования рентгеновским излучением на границе раздела поверхностный окисел – антимонид индия / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, Р.Ш. Рамакоти, А.А. Степаненко [и др.] // XII Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2026» : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2026. С. 292. |
|
|
| 2 | Электрические характеристики nB(SL)n - структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 275‒276. |
|
|
| 3 | Влияние мягкого рентгеновского излучения на свойства границ раздела поверхностный диэлектрик – антимонид индия / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.П. Мелехов, Р.Ш. Рамакоти [и др.] // XI Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2025» : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 204. |
|
|
| 4 | Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника. XXIX симпозиум, 10–14 марта 2025 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Н. Новгород, 2025. С. 346. |
|
|
| 5 | Сравнительный анализ составов носителей заряда в эпитаксиальных пленках CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантированных мышьяком, кремнием и бором / И.И. Ижнин, А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, К.Д. Мынбаев [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 22. |
|
|
| 6 | Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 132. |
|
|
| 7 | Оптическое отражение ионно-имплантированных эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, К.Д. Мынбаев, М.В. Дорогов [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 152. |
|
|
| 8 | Моделирование образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом для антиотражающих покрытий / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.П. Коханенко [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 318. |
|
|
| 9 | Диффузионное ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nB(SL)n фоточувствительной структуре / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 331. |
|
|
| 10 | Исследование темновых характеристик LWIR nB(SL)n-структур методом спектроскопии адмиттанса / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2025. 11-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 16-18 сентября 2025 г. : сборник трудов. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2025. С. 169‒170. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность